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模拟集成电路重点实验室基金(JS0921DZ01)

作品数：2 被引量：9H指数：1
相关作者：戴显英胡辉勇张鹤鸣吕懿舒斌更多>>
相关机构：西安电子科技大学更多>>
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相关领域：理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇HBT
  • 2篇SIGE
  • 1篇电流增益
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子分布
  • 1篇增益
  • 1篇势垒
  • 1篇势垒电容
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇晶体管
  • 1篇PNP
  • 1篇SIGE_H...
  • 1篇GE组分分布
  • 1篇F

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇胡辉勇
  • 2篇戴显英
  • 1篇李立
  • 1篇舒斌
  • 1篇吕懿
  • 1篇张鹤鸣
  • 1篇朱永刚

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2004
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
SiGe HBT势垒电容模型被引量：9
2004年
在考虑SiGeHBT的势垒电容时 ,通常的耗尽层近似不再适用 ,应考虑可动载流子的影响 .在分析研究SiGeHBT载流子输运的基础上 ,建立了考虑发射结势垒区内载流子分布的发射结势垒电容模型和不同电流密度下包括基区扩展效应的集电结势垒电容模型 .将以上势垒电容模型应用于SiGeHBT频率特性模拟 。
吕懿张鹤鸣戴显英胡辉勇舒斌
关键词：SIGEHBT势垒电容载流子分布异质结双极晶体管
基区Ge组分分布对SiGe pnp HBT的影响
2006年
采用SiGe异质结结构提高pnp晶体管的性能,重点研究了Ge组分在基区的三角形分布对晶体管电流增益β和特征频率fT的影响。三角形分布,又分为起点为零和不为零两种情况。同时为了消除集电结处SiGe异质结的价带势垒对空穴输运的影响,Ge组分向集电区延伸进一步提高了晶体管的性能。得到最大电流增益β可达150和特征频率fT可达15 GHz的pnp SiGe HBT,可以广泛地应用到通信、微波和射频领域。
李立戴显英朱永刚胡辉勇
关键词：SIGEPNPHBT
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