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国家自然科学基金(61274081)

作品数:3 被引量:3H指数:1
相关作者:于晖白旭旭介万奇王涛郑昕更多>>
相关机构:西北工业大学上海交通大学空军工程大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划高等学校学科创新引智计划更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇英文
  • 2篇CDMNTE
  • 1篇深能级
  • 1篇能级
  • 1篇陷获
  • 1篇孪晶
  • 1篇TE
  • 1篇APPLIC...
  • 1篇CRYSTA...
  • 1篇CZT
  • 1篇DEFECT...

机构

  • 2篇上海交通大学
  • 2篇西北工业大学
  • 1篇空军工程大学

作者

  • 2篇介万奇
  • 2篇白旭旭
  • 2篇于晖
  • 1篇杜园园
  • 1篇郑昕
  • 1篇王蓓
  • 1篇王涛
  • 1篇查钢强
  • 1篇南瑞华

传媒

  • 2篇中国有色金属...
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Defects in CdMnTe crystals for nuclear detector applications被引量:1
2013年
A laser scanning confocal microscope (LSCM) and a field-emission scanning electron microscope (FE- SEM) were used to study the defects in CdMnTe crystals, such as twin boundaries, Te inclusions, and dislocations. Twin boundaries were usually decorated with Te inclusions, which could induce dislocations. The optical, elec- trical properties and detector performance of CdMnTe crystals with twins and free of twins were compared. The results showed that the wafers with a high density of twins usually had lower average IR transmittance and poorer crystalline quality. Besides, the energy spectra indicated that twin boundaries in a CdMnTe detector had a negative effect on detector performance; the values of both the energy resolution and (μτ)e were nearly half of those for a single crystal detector.
杜园园介万奇徐亚东郑昕王涛于晖
关键词:CDMNTE
ACRT-Te溶液Bridgman法生长的In掺杂CdMnTe界面研究(英文)被引量:2
2012年
采用ACRT-Te溶液垂直布里奇曼法成功制备出直径为30mm、长度为60mm的CdMnTe晶锭。相对于普通布里奇曼法生长的CdMnTe晶锭,Te溶液法生长的 CdMnTe晶锭中的孪晶大大减少。但是由于较高的Te夹杂相密度,红外透过成像显示晶锭生长界面的微观形貌既不均匀也不规则。同时,采用激光共聚焦显微镜也观察到CdMnTe富Te区存在无规律沉积的含有孔洞的不规则形状Te相。如果采用合适的生长工艺得到较为平直的生长界面,Te溶液垂直布里奇曼法可以有效减少CdMnTe晶体中的孪晶。
杜园园介万奇郑昕王涛白旭旭于晖
关键词:CDMNTE孪晶
热激电流谱确定CZT:In中的陷阱能级(英文)被引量:1
2012年
熔体法生长的半绝缘碲锌镉(Cd1-xZnxTe 或者CZT)晶体中存在着很多缺陷,这些缺陷作为陷获中心在带隙中引入了深能级,从而严重影响 CZT 的探测性能。分别采用初始上升法和同步多峰分析法(SIMPA)分析热激电流谱(TSC),从而获得了半绝缘的铟掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体中的陷阱能级分布。结果表明:由于重叠峰的干扰,初始上升法在确定陷阱峰的最大值时会产生较大的误差;而 SIMPA法被证实适用于分离重叠峰,可同步获得较全面的陷阱能级分布。基于此,获得了半绝缘 CZT:In晶体的缺陷能级分布结果,即包含十个陷阱能级和一个影响暗电流分布的深施主能级 EDD。此外,通过EDD能级与费米能级的关系,解释了CZT:In晶体获得高阻特性的原因。
南瑞华介万奇查钢强白旭旭王蓓于晖
关键词:陷获深能级
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