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国家自然科学基金(10575039)

作品数:35 被引量:70H指数:5
相关作者:符斯列陈俊芳王春安唐吉玉文于华更多>>
相关机构:华南师范大学广东技术师范学院新疆医科大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金广东省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程核科学技术更多>>

文献类型

  • 35篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 25篇理学
  • 6篇电子电信
  • 3篇机械工程
  • 2篇核科学技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 8篇等离子体
  • 6篇第一性原理
  • 4篇蓝光
  • 4篇光谱
  • 4篇发射光谱
  • 4篇C-V法
  • 4篇GAN
  • 4篇GAN基蓝光
  • 3篇第一性原理研...
  • 3篇形成能
  • 3篇二极管
  • 3篇ZNO
  • 3篇掺杂
  • 3篇磁性
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化镓
  • 2篇氮化镓薄膜
  • 2篇等离子体辅助
  • 2篇电磁
  • 2篇电子结构

机构

  • 31篇华南师范大学
  • 7篇广东技术师范...
  • 2篇新疆医科大学
  • 1篇华南农业大学
  • 1篇太原理工大学
  • 1篇中国三江航天...
  • 1篇广东技术师范...

作者

  • 17篇符斯列
  • 14篇陈俊芳
  • 7篇王春安
  • 6篇唐吉玉
  • 4篇郭超峰
  • 4篇文于华
  • 3篇赖秀琼
  • 3篇汤莉莉
  • 3篇黄孟祥
  • 3篇刘超
  • 3篇吴先球
  • 3篇史磊
  • 3篇吴利锋
  • 3篇张洪宾
  • 3篇李炜
  • 2篇薛永奇
  • 2篇杨春林
  • 2篇吴靓臻
  • 2篇王燕
  • 2篇马远新

传媒

  • 7篇华南师范大学...
  • 4篇原子与分子物...
  • 3篇物理实验
  • 3篇Journa...
  • 3篇材料导报
  • 3篇Plasma...
  • 2篇功能材料
  • 2篇大学物理
  • 2篇光谱学与光谱...
  • 1篇发光学报
  • 1篇实验室研究与...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇Chines...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2010
  • 8篇2009
  • 6篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
35 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
离子源辅助法制备TiN及等离子体特性研究被引量:2
2006年
采用TCP等离子体辅助电子束蒸发沉积技术,在室温条件下的玻璃基片上制备了纳米结构的氮化钛薄膜.运用X衍射技术对该薄膜进行表征.利用朗缪尔静电双探针诊断了蒸发镀膜装置反应室内等离子体密度及分析其分布规律,并分析了气压和功率对等离子体分布的影响.结果表明:离子源源口等离子体密度较大且分布不均匀;反应室内等离子体迅速扩散,密度变小且分布趋于均匀.
张茂平陈俊芳蒙高庆向鹏飞史磊赖秀琼
关键词:氮化钛
纤锌矿ZnO:Cu体系空位缺陷的电磁特性理论研究
2021年
ZnO:Cu体系具有p型导电性并出现室温铁磁性,但是对于其磁性来源还颇有争议.用Cu掺杂ZnO晶体容易增加空位缺陷产生的几率,从而使ZnO:Cu体系产生磁性.因此,本文采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法对ZnO:Cu及其本征空位缺陷体系进行了理论研究,分别计算分析了ZnO:Cu超晶胞中相对Cu为近邻、次近邻、远近邻位置锌空位和氧空位的出现后体系的晶格结构、形成能、能带结构、态密度以及磁矩,以便准确合理地对其电磁特性进行判定.结果表明,ZnO:Cu远近邻V_(Zn)容易形成且其费米能级附近态密度较无缺陷体系增大,导电性增强;而含V_(O)的缺陷体系禁带远远增大且变为间接带隙半导体,其费米能级处的态密度几乎不变或微弱减小,导电性无增强.Cu近邻V_(Zn)和V_(O)的引入会导致ZnO:Cu掺杂系统的磁性相几乎或完全消失,但较远V_(O)的出现无法显著改变磁性,较远V_(Zn)的出现使体系磁性增强.因此,在实验过程中要实现ZnO:Cu掺杂体系的良好电磁特性,应尽量避免Cu近邻V_(Zn)和V_(O)的出现,而有效利用远近邻锌空位缺陷.
缪晶符斯列王春安雷涛李俊贤
关键词:空位缺陷电磁特性形成能
N空位、Ga空位对GaN∶Mn体系电磁性质和光学性质影响的第一性原理研究被引量:3
2016年
基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法分别计算了VGa和VN距掺入Mn原子为近邻、次近邻、远近邻各3种情况下GaN体系的电子结构和光学性质,分析比较了空位的不同位置对Mn掺杂GaN体系磁性的影响。计算结果表明,Mn掺杂会导致GaN体系带隙增大且体系表现为半金属铁磁性;VN的存在会增强缺陷复合物体系的铁磁性,且随着VN相对杂质Mn距离越近,体系总磁矩增加;而VGa的存在会降低缺陷复合物体系的铁磁性,且随Ga空位相对杂质Mn距离越近,体系总磁矩减少。不同位置的VGa和VN均会导致缺陷复合物体系主吸收峰和光吸收边相对于单Mn掺杂而言向低能方向移动,出现红移现象。
蒋联娇符斯列秦盈星李健翔
关键词:MN掺杂空位电子结构光学性质
等离子体辅助电子枪蒸发制备AlN薄膜及等离子体参数诊断被引量:1
2006年
采用射频TCP(Transverse coup led p lasm a)等离子体辅助电子枪蒸发技术首次在室温下制备了氮化铝薄膜,用傅立叶变换红外光谱仪分析了氮化铝薄膜红外光谱的特性.利用朗缪尔静电单探针诊断了射频TCP离子束辅助电子枪蒸发镀膜装置反应室内等离子体密度的空间分布规律,并分析了气压对等离子体分布的影响.离子源口等离子体密度较大,但分布不均匀;反应室内等离子体迅速扩散,密度变小,分布趋向于均匀.
向鹏飞陈俊芳蒙高庆胡社军吴先球符斯列李赟
关键词:氮化铝
Ga1-xInxNyAs1-y体系中平均键长的统计模型
2008年
提出了Ga1-xInxNyAs1-y材料中组分比为整数且x∶y≥4时,直接生长和完全退火后各二元化合键平均键长的统计模型。该模型首先计算特定组分超单胞的键统计分布。然后结合前人实验采用Guass分布拟合各N最近邻原子团簇的存在几率,并总结出平均键长的公式。最后,用基于第一性原理的Material Studio软件中的DMol3模块计算并读取Ga28In4N1As31超单胞在不同N最近邻原子环境下的最优化键长,实现该组分条件下平均键长和应变的计算。结果表明,退火后局域应变和体系总应变均呈减少趋势,这与前人实验结果具有较好的一致性。
汤莉莉马远新唐吉玉文于华黄伟刘超吴利锋
关键词:第一性原理退火
利用电容-电压法研究GaN基双异质结发光二极管的结构特点
2022年
本文利用电容-电压法(C-V法)研究GaN基蓝光发光二极管的双异质结构,将测得的样品C-V曲线由变化中心处分为两部分,分别分析其PN结类型.接着通过液氮对二极管进行温度控制,得到不同温度下的C-V曲线及其对应的杂质浓度分布曲线,分析温度对两者的影响.最后由不同温度下的杂质浓度分布曲线,分析GaN基蓝光发光二极管的双异质结构.实验结果表明该GaN基双异质结蓝光二极管的PN结类型两边都为突变结,在不同温度下,样品的电容值随温度的升高呈增大趋势.双异质结构随温度的降低逐渐显著,当T=98 K时,双异质结构趋于理想情况.
范千千徐坤熠符斯列
关键词:C-V法双异质结构
Spatial Distribution of ECR Plasma Density in ECR-PECVD Reaction Chamber被引量:5
2006年
The spatial distribution of Electron Cyclotron Resonance (ECR) plasma in the ECRPlasma Enhanced Metalorganic Chemical Vapour Deposition (ECR-PECVD) reaction chamber is diagnosed by a Langmuir probe. The uniformity is also investigated. The results show that the ECR plasma in the upper region of the reaction chamber under the influence of magnetic field has poor radial and axial uniformity. However, the plasma in the downstream region of the reaction chamber has fine radial uniformity. This excellent uniform plasma in the downstream has extensive application in plasma process.
符斯列陈俊芳吴先球王宁星张茂平胡社军
利用C-V法研究GaN基蓝光LED的多量子阱结构
2020年
利用C-V测量法研究了GaN基高亮度蓝光发光二极管的InGaN/GaN多量子阱结构(MQWs),通过样品的C-V曲线及对应的杂质浓度分布曲线得出MQWs的结构特性.实验结果表明:MQWs为5个周期的InGaN/GaN多量子阱.室温下InGaN阱层的平均阱宽为2.00 nm,阱层的平均杂质浓度为7.12×1018 cm^-3,GaN垒层的平均垒宽为12.32 nm,垒层的平均杂质浓度为0.82×1018 cm^-3.温度降低,InGaN阱宽变窄,杂质浓度增大,而GaN垒宽变宽,杂质浓度降低.
郑晓思符斯列
关键词:GAN基蓝光LED多量子阱
Mn掺杂浓度对Mn-N共掺ZnO电子结构及磁性的影响被引量:3
2017年
采用第一性原理的超软赝势法,分别计算单掺杂Mn、Mn-N按1∶1和2∶1共掺杂ZnO掺杂体系的形成能、能带结构、态密度以及铁磁性。计算结果表明,单掺Mn并不能得到稳定的ZnO,Mn-N共掺会形成p型ZnO。相对Mn-N以1∶1共掺(Mn掺杂浓度6.25%),Mn-N以2∶1共掺(Mn掺杂浓度12.5%)具有更低的形成能,更高的化学稳定性。进一步对ZnO掺杂体系的磁性研究表明,单掺Mn及Mn-N共掺均使ZnO体系呈现铁磁性,其磁性主要来源于Mn3d态电子;在Mn-N以2∶1共掺ZnO体系中,由于Mn掺杂浓度提高,导致总磁矩增加,铁磁性增强明显。
秦盈星符斯列蒋联娇丁罗城吴先球
关键词:ZNO形成能铁磁性
A Study of Diamond-Like Carbon Thin Films Prepared by Microwave Plasma Chemical Vapour Deposition
2007年
In order to deposit good films, we need to study the uniformity of plasma density and the plasma density under different gas pressures and powers. The plasma density was diagnosed by a Langmuir probe. The optical emission spectroscopy (OES) of CH4 and H2 discharge was obtained with raster spectroscopy, with characteristic peaks of H and CH achieved. Diamond-like carbon films were achieved based on the study of plasma density and OES and characterized by atomic force microscope (AFM), X-ray diffraction instrument (XRD), Raman spectroscope and profiler.
赖秀琼陈俊芳符斯列李炜张茂平史磊杨春林
关键词:OES
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