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掺硼金刚石膜电极电化学特性的研究被引量：8: 2010年; 采用直流热阴极CVD法制备掺硼金刚石膜.利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对样品进行了表征,利用电化学循环伏安法测试了掺硼金刚石膜电极的电化学特性.结果表明,该方法制备的掺硼金刚石膜电极有宽的电势窗口、很高的析氧电位和良好的稳定性.; 祁文涛彭鸿雁姜宏伟; 关键词：掺硼金刚石膜电极电化学特性循环伏安法

直流热阴极CVD法中硼酸三甲酯流量对掺硼金刚石膜制备的影响: 2010年; 采用直流热阴极CVD方法,以液态硼酸三甲酯为硼源,在P型(100)硅基片上制备了掺硼金刚石(BDD)膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、激光拉曼光谱仪、X射线衍射仪(XRD)等方法对样品进行了表征,研究了其生长特性,并利用电输运特性测试系统对其电阻率进行了测试。结果表明,随着硼酸三甲酯流量的增加,晶体的表面逐渐光滑平整、棱角清晰;掺硼金刚石膜的品质呈先上升后下降的趋势;电阻率呈先下降后达到平稳的趋势,最终达到约8.0×10^(-3)Ω·cm。硼掺杂明显改变了金刚石晶体的组成结构。; 祁文涛彭鸿雁陈玉强姜宏伟王明磊尹龙承; 关键词：CVD

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黑龙江省教育厅资助项目(11541377)