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全球变化研究国家重大科学研究计划(2007CB935400)

作品数：2 被引量：2H指数：1
相关作者：宋志棠刘彦伯张挺周伟民更多>>
相关机构：上海市纳米科技与产业发展促进中心中国科学院更多>>
发文基金：中国博士后科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划上海市博士后基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇阵列
  • 1篇相变
  • 1篇相变材料
  • 1篇UV
  • 1篇标准差
  • 1篇超高密度
  • 1篇存储阵列
  • 1篇IL

机构

  • 2篇中国科学院
  • 2篇上海市纳米科...

作者

  • 2篇张挺
  • 2篇刘彦伯
  • 2篇宋志棠
  • 1篇周伟民

传媒

  • 1篇微细加工技术
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
压印技术制备超高密度Si2Sb2Te5基相变存储阵列被引量：2
2009年
采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器(PCRAM)存储阵列的制备,开发出Si2Sb2Te5(SST)新材料的4Gbit/inch2存储阵列,存储单元面积为0.04μm2;利用SEM观测压印获得的光刻胶图形阵列以及刻蚀后的SST存储阵列,其单元外形均具有高度的一致性,且单元特征尺寸的3倍标准差均小于6nm;利用AFM研究了SST存储单元的I-V特性,阈值电压为1.56V,高、低电阻态阻值变化超过两个数量级。实验结果表明了SST新材料及压印技术在PCRAM芯片中的应用价值。
刘彦伯闵国全宋志棠周伟民张静张挺万永中李小丽张剑平
关键词：相变
利用压印技术制备大面积相变材料阵列
2008年
采用高效、低成本的紫外压印技术（UV—IL）在2in．Si／SiO2基Ti／TiN／Si2Sb2Te5（SST）多层膜表面制备了密度为3．8M／In^2的AMONIL点阵结构，并通过反应离子刻蚀得到相变材料SST阵列；电阻与脉冲宽度特性测得SST基PCRAM存储单元SET／RESET电阻值变化约30倍，Ⅰ—Ⅴ特性表明，阈值电压为1．18V。此外，时间分辨XRD原位加热情况下SST薄膜结构变化说明，SST材料的相变发生在200℃～300℃之间。
刘彦伯钮晓鸣宋志棠闵国全万永中张静周伟民李小丽张挺张剑平
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