您的位置： 专家智库 > >

西安应用材料创新基金(XA-AM-200701)

作品数：13 被引量：37H指数：4
相关作者：刘红侠吴笑峰胡仕刚周清军石立春更多>>
相关机构：西安电子科技大学湖南科技大学更多>>
发文基金：西安应用材料创新基金国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 13篇中文期刊文章

领域

  • 13篇电子电信

主题

  • 3篇栅介质
  • 3篇HFO
  • 2篇低功耗
  • 2篇电路
  • 2篇电路模型
  • 2篇铜互连
  • 2篇可靠性
  • 2篇互连
  • 2篇功耗
  • 2篇比较器
  • 2篇SRAM
  • 2篇CMOS工艺
  • 2篇成品率
  • 1篇等效电路
  • 1篇等效电路模型
  • 1篇电路设计
  • 1篇电特性
  • 1篇调制
  • 1篇调制器
  • 1篇动态比较器

机构

  • 13篇西安电子科技...
  • 2篇湖南科技大学

作者

  • 13篇刘红侠
  • 5篇吴笑峰
  • 4篇周清军
  • 4篇胡仕刚
  • 3篇石立春
  • 3篇匡潜玮
  • 2篇周文
  • 2篇蔡乃琼
  • 2篇李迪
  • 2篇栾苏珍
  • 1篇王瑾
  • 1篇王江安
  • 1篇高博
  • 1篇曹磊
  • 1篇刘青山
  • 1篇贾仁需
  • 1篇陈炽

传媒

  • 3篇西安电子科技...
  • 2篇Journa...
  • 2篇中南大学学报...
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇物理学报
  • 1篇湖南大学学报...
  • 1篇计算机辅助设...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇中国科学：信...

年份

  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 7篇2008
共 13 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
新型高速低功耗CMOS动态比较器的特性分析被引量：8
2009年
为了降低sigma-delta模数转换器功耗,针对应用于sigma-delta模数转换器环境的UMC 0.18μm工艺,提出1种由参考电压产生电路、预放大器、锁存器以及用作输出采样器的动态锁存器组成的新型高速低功耗的CMOS预放大锁存比较器。该比较器中输出采样器由传输门和2个反相器组成,可在较大程度上减少该比较器的功耗。电路采用标准UMC0.18μm工艺进行HSPICE模拟。研究结果表明:该比较器在1.8V电源电压下,分辨率为8位,在40MHz的工作频率下,功耗仅为24.4μW,约为同类比较器功耗的1/3。
吴笑峰刘红侠石立春李迪胡仕刚
关键词：CMOS工艺
针对新型HfO_2栅介质改进的四元件电路模型被引量：4
2008年
针对超薄HfO2栅介质MOS电容,提出改进的四元件小信号等效电路模型,修正了双频C-V法,增加了串联寄生电阻和串联电感两个参数.结合双频测量结果计算出修正的C-V曲线,消除了高频时的频率色散现象,而且曲线更加接近理想C-V曲线.通过实验结果提取了寄生参数值并拟合出各元件值与MOS电容面积和反型层厚度的解析表达式.实验测量和理论计算表明该方法可提高通常C-V法的测量精度.
刘红侠蔡乃琼
新型HfO_2栅介质中的频散效应及参数提取方法
2010年
本文研究了原子层化学气相淀积ALCVD(atom layer chemical vapor deposition)方法淀积的HfO2/SiO2/p-SiMOS电容的电特性.高频时,积累电容出现了频率色散现象.针对双频C-V法测量超薄HfO2/SiO2堆栈栅MOS电容中制备工艺和测量设备引入的寄生效应,给出了改进的等效电路模型,消除了频率色散.研究发现,高k介质中存在的缺陷和SiO2/Si处的界面态,使高频C-V特性发生漂移.对禁带中界面态的分布进行归纳,得到C-V曲线形变的规律.研究了形变的C-V曲线与理想C-V特性的偏离,给出了界面态电荷密度的分布,得到了相对于实测C-V曲线的矫正线.通过比较理想C-V曲线和矫正线,提取了平带电压、栅氧化层电荷、SiO2/Si界面的界面态密度等典型的电学参数.
刘红侠匡潜玮栾苏珍ZHAO AaronTALLAVARJULA Sai
关键词：高K栅介质等效电路模型
用于流水线ADC的预运放-锁存比较器的分析与设计被引量：2
2008年
提出了一种应用于开关电容流水线模数转换器的CMOS预运放-锁存比较器.该比较器采用UMC混合/射频0.18μm 1P6M P衬底双阱CMOS工艺设计,工作电压为1.8 V.该比较器的灵敏度为0.215 mV,最大失调电压为12 mV,差分输入动态范围为1.8 V,分辨率为8位,在40 M的工作频率下,功耗仅为24.4μW.基于0.18μm工艺的仿真结果验证了比较器设计的有效性.
吴笑峰刘红侠石立春周清军胡仕刚匡潜玮
关键词：流水线ADC
嵌入式SRAM的优化修复方法及应用被引量：4
2008年
为了提高SRAM的成品率并降低其功耗,提出一种优化的SRAM.通过增加的冗余逻辑及电熔丝盒来代替SRAM中的错误单元,以提高其成品率;通过引入电源开启或关闭状态及隔离逻辑降低其功耗.利用二项分布计算最佳冗余逻辑,引入成品率边界因子判定冗余逻辑的经济性.将优化的SRAM64K×32应用到SoC中,并对SRAM64K×32的测试方法进行了讨论.该SoC经90 nm CMOS工艺成功流片,芯片面积为5.6 mm×5.6 mm,功耗为1997 mW.测试结果表明:优化的SRAM64K×32在每个晶圆上的成品率提高了9.267%,功耗降低了17.301%.
周清军刘红侠吴笑峰王江安胡仕刚
关键词：低功耗
新型HfO_2栅介质电特性的理论分析与实验研究被引量：3
2008年
对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究,理论分析的界面态分布与实验结果吻合.利用高频C-V法计算了平带电压漂移量、氧化层内陷阱电荷密度和界面态密度,比较了不同工艺条件下样品的电参数.结果表明NH4F表面预处理和高温退火新型工艺可以显著降低界面态和氧化层陷阱电荷,从而降低栅极漏电流.
蔡乃琼刘红侠
关键词：C-V特性界面态氧化层陷阱
IC中多余物缺陷对信号串扰的定量研究被引量：1
2010年
该文研究了铜互连线中的多余物缺陷对两根相邻的互连线间信号的串扰,提出了互连线之间的多余物缺陷和互连线之间的互容、互感模型,用于定量的计算缺陷对串扰的影响。提出了把缺陷部分单独看作一段RLC电路模型,通过提出的模型研究了不同互连线参数条件下的信号串扰,主要研究了铜互连线的远端串扰和近端串扰,论文最后提出了一些改进串扰的建议。实验结果证明该文提出的信号串扰模型可用于实际的电路设计中,能够对设计人员设计满足串扰要求的电路提供指导。
周文刘红侠匡潜玮高博曹磊
关键词：集成电路信号串扰铜互连可靠性
有丢失物缺陷的铜互连线中位寿命的定量研究被引量：1
2009年
本文研究了六层互连线上的丢失物缺陷对互连电迁移中位寿命的影响,提出了各层互连线缺陷处的温度模型和缺陷在不同互连层的中位寿命模型,能够定量地计算缺陷对互连电迁移中位寿命的影响,给出了提高互连线中位寿命的方法.研究结果表明:互连线宽度与缺陷处互连线有效宽度的比值越大,互连线寿命越短;缺陷处的温度越高,互连线寿命越短.在互连线参数变化明显的层与层之间,互连线寿命受比值和温度的双重影响,寿命急剧下降.根据该物理模型可以准确计算出互连线具体的温度和寿命数据,可以直接指导集成电路的设计和工艺制造.
周文刘红侠
关键词：可靠性铜互连
SRAM的高成品率优化设计技术被引量：1
2008年
提出了一种嵌入式SRAM的高成品率优化方法:通过增加冗余逻辑和电熔丝盒来代替SRAM中的错误单元。利用二项分布计算最大概率缺陷字数,从而求出最佳冗余逻辑。将优化的SR SRAM64 K×32应用到SoC中,并对SR SRAM64K×32的测试方法进行了讨论。该SoC经90 nm CMOS工艺成功流片,芯片面积为5.6 mm×5.6 mm,功耗为1997 mW。测试结果表明:优化的SR SRAM64 K×32在每个晶圆上的成品数增加了191个,其成品率提高了13.255%。
周清军刘红侠吴笑峰陈炽
关键词：成品率
高精度Σ-ΔADC中的数字抽取滤波器设计被引量：6
2010年
设计1个应用于高精度sigma-delta模数转换器(Σ-ΔADC)的数字抽取滤波器。数字抽取滤波器采用0.35μm工艺实现,工作电压为5V。该滤波器采用多级结构,由级联梳状滤波器、补偿滤波器和窄带有限冲击响应半带滤波器组成。通过对各级滤波器的结构、阶数以及系数进行优化设计,有效地缩小了电路面积,降低了滤波器的功耗。所设计的数字抽取滤波器通带频率为21.77kHz,通带波纹系数为±0.01dB,阻带增益衰减120dB。研究结果表明:该滤波器对128倍过采样、二阶Σ-Δ调制器的输出码流进行处理,得到的信噪失真比达102.8dB,数字抽取滤波器功耗仅为49mW,面积约为0.6mm×1.9mm,达到了高精度模数转换器的要求。
吴笑峰刘红侠李迪胡仕刚石立春
关键词：调制器数字滤波器
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0