国家高技术研究发展计划(2009AA043101)
- 作品数：7 被引量：18H指数：3
- 相关作者：潘国顺刘岩戴媛静周艳龚剑锋更多>>
- 相关机构：清华大学研究院清华大学中国电子科技集团公司第四十五研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划广东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：机械工程电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
- 蓝宝石抛光去除率试验的正交设计方法
- 2012年
- 影响蓝宝石抛光去除率的因子有很多,为了得到最佳工艺流程和工艺参数组合,实际工作中需要在诸多影响因素中找出对去除率影响最显著的因子,并以拟合方程的形式来建立数学模型。探讨了运用正交试验的方法,通过MINITAB软件对试验数据进行分析,从而了解各抛光参数对抛光去除率的影响,最终确定一组最优的工艺参数。
- 孙振杰费玖海刘涛
- 关键词：正交试验去除率
- 不锈钢超精抛光蜡的研制被引量：2
- 2011年
- 目前,国产不锈钢超精抛光蜡不能满足市场需求,对其配方研制报道较少。为此,对不锈钢粗抛光后,采用超精抛光蜡进行精抛光,对其组分进行了筛选:以α型氧化铝粉为抛光磨料;以混合硬脂酸作抛光内脂;利用油酸的润滑作用降低不锈钢表面的抛光温度,利用三乙醇胺与有机酸的皂化反应生成物润滑和清洁不锈钢表面;利用松香和石油磺酸钡提高不锈钢表面的光泽度。获得的抛光蜡最佳组成:22.5 g硬脂酸4,.5 g油酸0,.5 g三乙醇胺0,.5 g石油磺酸钡,2.5 g水白氢化松香,69.5 g氧化铝粉。经该超精抛光蜡抛光后不锈钢表面光泽度可达690.6。不锈钢超精抛光蜡的抛光机理:硬脂酸在铁表面产生化学吸附形成单分子层硬脂酸铁皂膜,该润滑膜在金属表面附着力大,使边界润滑能力大为提高,从而消除了氧化铝粉体磨削过程中可能带来的微细划痕。
- 朱永华潘国顺刘岩
- 关键词：不锈钢光泽度
- 钛基片的化学机械抛光技术研究被引量：5
- 2011年
- 采用化学机械抛光(CMP)方法对钛基片进行纳米级平坦化处理,通过系列抛光试验优化抛光液组成和抛光工艺条件后,得到AFM-Ra为0.159 nm的纳米级抛光表面和156.5 nm/min的抛光速率.抛光液的电化学分析结果表明:二氧化硅颗粒和乳酸在钛表面有不同程度的吸附缓蚀作用,氨水和F-的络合、扩散作用能破坏缓蚀膜层,两者的中间平衡状态才能得到最佳抛光效果.抛光后钛表层XPS测试结果显示钛表层经过化学氧化形成疏松氧化层后,再通过磨粒和抛光垫的机械作用去除.
- 戴媛静裴惠芳潘国顺刘岩
- 关键词：化学机械抛光
- 聚苯乙烯-二氧化硅复合颗粒对铜层的化学机械抛光性能
- 2012年
- 随着集成电路线宽变窄,要求铜互连表面具有更低的表面粗糙度,对化学机械抛光(CMP)技术提出更高的要求。采用聚苯乙烯(PS)-二氧化硅(SiO2)复合颗粒作为铜层CMP的抛光磨粒,研究出PS-SiO2核壳结构的形成条件,分析新型抛光液体系中各颗粒含量、pH值等因素对Cu抛光效果的影响,通过X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)等手段探讨其中的抛光机制和颗粒残留等问题。结果表明:较之PS、SiO2颗粒抛光液,复合颗粒抛光液抛光Cu后,获得更大的去除和更好的表面质量,且与抛光过程中摩擦因数的关系相符合。
- 龚剑锋潘国顺周艳刘岩
- 关键词：化学机械抛光聚苯乙烯颗粒铜
- 抛光盘、抛光头转速比对化学机械抛光效果的影响分析被引量：2
- 2011年
- 针对化学机械抛光(CMP)过程中,抛光盘、抛光头转速比不同,其晶片的抛光效果不同的现象,从运动学角度详细分析了CMP过程中晶片上任一点的去除速度和运动轨迹,并通过Matlab进行仿真,找出转速比与去除速度和运动轨迹的函数关系。
- 高慧莹费玖海
- 关键词：化学机械抛光
- 抛光液组分对硬盘盘基片超光滑表面抛光的影响被引量：6
- 2012年
- 在硬盘盘基片的最终抛光中,研究SiO2溶胶颗粒、氧化剂、络合剂和润滑剂对盘基片Ni-P材料抛光性能的变化规律,获得较高的材料去除速率(MRR)和原子级光滑表面,以满足下一代硬盘盘基片制造的更高要求.结果表明,采用平均粒径25 nm的SiO2溶胶颗粒,易减少微划痕等缺陷;以过氧化氢为氧化剂,可大幅提高MRR;加入有机酸络合剂后,MRR显著增大,其中含有水杨酸的抛光液MRR最大,并讨论不同络合剂对盘基片去除的影响机理;丙三醇润滑剂的引入,使抛光中摩擦系数减小,盘基片的表面粗糙度得到明显降低.采用原子力显微镜(AFM)、光学显微镜和Chapman MP2000+表面形貌仪来考察盘基片抛光后的表面质量,基于抛光液各组分的影响作用,最终获得表面粗糙度Ra为0.08 nm的盘基片表面,且MRR达到0.132μm/min.
- 周艳罗桂海潘国顺
- 关键词：络合剂
- 聚苯乙烯(PS)颗粒抛光液特性对铜表面化学机械抛光的影响被引量：3
- 2010年
- 铜互连与低-k介质在集成电路制造中的应用对表面平坦化提出更高的要求。为改善铜层化学机械抛光(Cu-CMP)效果,将聚苯乙烯(PS)颗粒应用于铜的化学机械抛光液,分析PS颗粒抛光液中氧化剂、络合剂、pH值、粒径及颗粒含量对铜的化学机械抛光性能的影响,并通过静态腐蚀及电化学手段对PS颗粒在抛光液中的化学作用进行了分析。实验结果表明,当以过氧化氢(H2O2)为氧化剂,氨基乙酸(C2H5NO2)为络合剂时,优化后的PS颗粒抛光液取得了较高的铜抛光去除速率,达到1μm/min,同时发现PS颗粒的加入增强了抛光液的化学腐蚀作用。
- 龚剑锋潘国顺戴媛静刘岩
- 关键词：化学机械抛光去除速率
