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甘肃省科技攻关计划(2GSO64-A52-05)

作品数:5 被引量:24H指数:3
相关作者:曹军丁雨田胡勇孔亚南郭廷彪更多>>
相关机构:兰州理工大学焦作大学河南理工大学更多>>
发文基金:甘肃省科技攻关计划更多>>
相关领域:金属学及工艺一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇铜线
  • 1篇单晶铜
  • 1篇等径
  • 1篇等径角挤压
  • 1篇电子封装
  • 1篇镀钯
  • 1篇多晶铜
  • 1篇氧化速率
  • 1篇再结晶
  • 1篇再结晶行为
  • 1篇伸长率
  • 1篇热影响区
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子封装
  • 1篇温度
  • 1篇浸镀
  • 1篇键合
  • 1篇键合质量
  • 1篇烘干
  • 1篇烘干温度

机构

  • 4篇兰州理工大学
  • 1篇河南理工大学
  • 1篇焦作大学

作者

  • 5篇曹军
  • 4篇丁雨田
  • 3篇胡勇
  • 2篇孔亚南
  • 1篇郭廷彪
  • 1篇孙钢
  • 1篇刘志强
  • 1篇李海峰
  • 1篇范俊玲
  • 1篇卢振华

传媒

  • 2篇材料热处理学...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇铸造技术
  • 1篇兰州理工大学...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
铜线性能及键合参数对键合质量的影响被引量:10
2012年
为了提高铜线性能及其键合质量,采用拉力-剪切力测试仪、扫描电镜等研究了不同力学性能铜线及相应的键合参数对其键合质量的影响,分析了不同伸长率和拉断力、铜线表面缺陷、超声功率和键合压力对铜线键合质量的作用机制.结果表明:伸长率过小和拉断力过大会造成焊点颈部产生微裂纹,从而导致焊点的拉力和球剪切力偏低;表面存在缺陷的铜线其颈部经过反复塑性大变形会造成铜线表面晶粒和污染物脱落而出现短路和球颈部断裂;键合过程中键合压力过大能够引起的焊盘变形,同时较大的接触应力引起铝层溢出;过大的超声功率使键合区域变形严重产生明显的裂纹和引起键合附近区域严重的应力集中,致使器件使用过程中产生微裂纹而降低器件的使用寿命.
曹军丁雨田郭廷彪
关键词:伸长率超声功率
微量Sn元素对高纯Cu线再结晶行为的影响被引量:3
2015年
利用扫描电镜、强度测试仪分析了高纯铜线与微Sn合金铜线不同热处理温度下组织结构及强度、伸长率的差异,研究了高纯铜线、微Sn合金铜线再结晶行为及微量合金元素Sn对高纯铜线再结晶温度的影响机理。结果表明:Sn原子与铜原子间的化学交互作用与弹性交互作用,引起高纯铜的点阵畸变,阻碍再结晶过程中铜的晶界迁移,抑制再结晶和晶粒长大,使微Sn合金铜线再结晶温度由高纯铜线的400℃提高至450℃,且高纯铜线在热处理过程中晶粒增长与热处理时间呈四次方关系;微量Sn合金减少了无空气焊球热影响区长度,热影响区长度由150μm减少至120μm。
曹军范俊玲刘志强
关键词:热影响区再结晶
组织和温度对Cu表面氧化速率的影响被引量:9
2011年
利用扫描电镜、X射线衍射仪和氧化称重实验对铜表面氧化速率进行研究,分析了不同组织、晶粒和温度对铜氧化性能的影响。结果表明:铜的组织结构是影响其氧化性能的主要因素,非密排的(100)晶面上界面能高、晶面原子堆垛相对疏松和原子尺度上粗糙,且氧化膜生长连续,氧化速率高于密排的(111)晶面;温度升高,铜表面的内能增大,铜原子较易成为活化原子与氧气发生反应,同时增大了铜原子在氧化膜中的扩散速率,加速了铜的氧化;铜试样经过等径角挤压(ECAP)后,(111)晶面铜表面的面积增大,氧化速率降低,晶界不是影响铜氧化速率的主要因素,能量较小的晶面原子所占的面积增大,铜的氧化速率减小。
曹军丁雨田卢振华胡勇
关键词:单晶铜多晶铜氧化速率
浸镀速度和烘干温度对镀银铜线表面质量的影响被引量:3
2014年
采用溶液浸镀纳米镀层技术对制备镀银铜线的生产工艺进行研究,并分析其相对于电镀技术的优越性.探讨镀银铜线的防氧化工艺和影响镀层厚度的因素.通过扫描电镜和高倍显微镜观察镀银铜线的表面质量并分析浸镀速度和烘干温度对镀银铜线表面质量的影响.结果表明:在烘干温度为250℃,浸镀速度为400r/min或者600r/min时,镀层的颜色接近银白色,而高于或者低于250℃进行烘干时,镀层颜色呈现不同程度的红色,从而确定出铜线镀银的最佳工艺参数,即烘干温度为250℃,浸镀速度为600r/min.
丁雨田胡勇孔亚南曹军李海峰
关键词:烘干温度
镀钯铜线的制作工艺及性能研究被引量:2
2013年
用扫描电镜观察了直接镀钯铜线和电镀钯铜线的表面形貌,并对直接镀钯铜线的性能进行了研究。结果表明,直接镀钯技术优于电镀钯技术。直接镀钯铜线具有高的伸长率和破断力、好的表面质量、致密的镀层、高的电信号传输性能。
丁雨田孔亚南曹军胡勇孙钢
关键词:微电子封装
共1页<1>
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