西安应用材料创新基金(XA-AM-200603)
- 作品数：12 被引量：18H指数：2
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- Rashba自旋轨道耦合作用下电荷流散粒噪声与自旋极化的关系研究被引量：1
- 2009年
- 根据存在自旋轨道耦合时基于散射理论的电流表达式和散粒噪声表达式,并利用自旋密度矩阵推导出沿自旋量子化坐标的自旋极化率表达式.解析计算了单通道的情况,发现自旋极化率和电荷流散粒噪声无关.由于多通道解析推导的困难,使用非平衡格林函数技巧,数值计算了包含自旋轨道耦合效应的纯净二维电子气的多通道情况.分别改变偏压、自旋轨道耦合系数、导体长度,研究了这三种不同条件下的自旋极化率与电荷流散粒噪声Fano因子的相关性.两者的相关性表明,相关性定量关系的建立可能为自旋极化的全电学检测提供新思路.
- 陈华杜磊庄奕琪牛文娟
- 关键词：散粒噪声自旋极化RASHBA自旋轨道耦合散射矩阵
- 金属互连电迁移噪声的多尺度熵复杂度分析被引量：12
- 2008年
- 针对传统频域方法用于分析金属铝互连中的噪声信号的局限性,本文采用多尺度熵方法分析电迁移噪声时间序列.结果表明在电迁移早期,噪声信号较不规律,复杂度较大;随空洞成核的发生,噪声信号规律性增强,复杂度明显减小,反映出随电迁移过程的进行系统的混乱度不断减小.通过与传统表征参量的对比,证明多尺度熵能够对电迁移失效过程进行表征.
- 何亮杜磊庄奕琪李伟华陈建平
- 关键词：电迁移噪声复杂度
- MOSFET栅漏电流噪声模型研究
- 2009年
- 随着MOSFET尺寸的不断减小,栅漏电流对器件特性的影响日益明显。栅漏电流噪声一方面影响器件性能,另一方面可用于栅介质质量表征,因此对其研究备受关注。由于栅介质噪声研究具有重要意义,文献中已经建立起各种各样的噪声模型,文中对其进行了归纳整理。在此基础上分析了各种模型的特性和局限性,进而探讨了其应用范围。
- 赖忠有杜磊
- 关键词：栅介质噪声模型
- 金属互连电迁移噪声的分形特征被引量：2
- 2007年
- 为了研究金属互连电迁移失效机理并寻找新的电迁移表征参量,应用分形理论,通过电子扩散轨迹分形维数,将电迁移噪声时间序列分形维数与晶粒间界分形维数相联系,确定了噪声时间序列分形维数在电迁移演变中的变化趋势.研究结果表明,在金属互连电迁移前期,晶粒间界形貌越来越复杂,致使噪声时间序列的分形维数逐渐增大;成核后,由于空位凝聚成空洞,晶粒间界形貌变得较成核前规则,致使噪声时间序列的分形维数减小;成核时刻是其转折点.实验结果证明理论分析的正确性,噪声时间序列的分形维数可望作为金属互连电迁移演变的表征参量.
- 陈春霞杜磊何亮胡瑾黄小君卫涛
- 关键词：电迁移金属互连分形
- 量子点接触器件电势准3D数值模型和模拟方法
- 2010年
- 采用三维泊松方程和二维薛定谔方程自洽求解方法,建立量子点接触器件(QPC)内的电势分布和二维电子气层的电子密度分布的准三维模型及模拟方法,并将模拟结果与传统的Buttiker鞍型电势分布进行比较。结果表明,器件中的电势分布随结构和偏置对传统鞍型电势有所偏离,并讨论了栅极结构和外加偏压对电势分布影响的规律,对QPC传感器设计具有指导作用。
- 康宇杜磊陈华孙亚杰
- 关键词：电势分布
- 硅单结晶体管γ射线辐照电阻变化规律研究
- 2011年
- 针对硅材料和硅基器件辐照损伤机理之间存在的矛盾,采用对单结晶体管基区电阻实时监测的方法,得到单结晶体管基区阻值随γ射线辐照剂量的增加先减小后增大的规律.结合国内外硅材料和器件的辐照理论,从γ射线与物质的微观作用分析,提出单结晶体管基区主要的γ射线辐照机制位移效应较电离效应具有一定滞后性的观点,解决了原有矛盾,对器件加固的研究具有重要意义.
- 赵鸿飞杜磊何亮包军林
- 关键词：单结晶体管Γ射线实时监测基区电阻
- 量子点接触结构中散粒噪声的模拟方法研究被引量：1
- 2010年
- 在Landuer-Buttiker公式和非平衡格林函数方法的基础上,模拟得到量子点接触的散粒噪声特性。结果表明,在不同温度及偏压下,噪声功率谱密度呈现不同的变化规律,另外在QPC的电导平台及0.72e2/h处,均有明显的散粒噪声抑制现象。
- 孙亚杰杜磊陈华康宇
- 关键词：散粒噪声量子点接触
- SiO_2介质材料辐射损伤测试结构设计
- 2009年
- 为研究CMOS器件与电路的辐射效应,文中提出了SiO2介质材料辐射损伤测试结构的设计思想。针对栅氧化层和场氧化层在器件中位置、作用和结构上的差异,分别设计了用于场氧化层测试的多栅结构和用于栅氧化层测试的封闭栅结构以及Dog-Bone栅结构。为CMOS器件辐射损伤机理及辐射加固提供了新的样品和研究方法。
- 陈伟华杜磊何亮
- ^(60)Co γ射线辐照对肖特基二极管1/f噪声的影响
- 2008年
- 在肖特基二极管(Schottky barrier diode,SBD)辐照损伤机理和总剂量效应分析的基础上,利用1/f噪声的迁移率涨落和载流子数涨落模型,深入研究辐照损伤对器件1/f噪声的影响.研究结果表明,辐照诱生新的界面态,改变界面态密度分布,进而调制了肖特基势垒高度,增大表面复合速度是引起器件性能退化主要原因,也是1/f噪声剧烈增加的主要原因.正因为如此,噪声与器件退化存在相关性,即噪声拟合参数B越大,偏离标准值越多,器件可靠性越差,抗辐照能力越低,在辐照环境下工作越容易失效.由此可知,1/f噪声特性可以用作SBD辐照损伤机理的研究工具,并有可能用于SBD抗辐射加固的无损评估.
- 杨丽侠杜磊包军林庄奕琪陈晓东李群伟张莹赵志刚何亮
- 关键词：肖特基二极管^60COΓ射线界面态
- 多晶硅导电材料的1/f噪声模型研究
- 2009年
- 在多晶硅导电材料的1/f噪声迁移率涨落、载流子数涨落机制和模型的基础上,修正了基于迁移率涨落机制的噪声模型。通过分析材料中载流子输运的实际物理过程,论证了产生1/f噪声的两种机制同时存在于多晶硅材料中,提出建立多晶硅导电材料1/f噪声双机制不同掺杂浓度统一模型的思路。
- 张天福杜磊何亮陈伟华赵鸿飞
- 关键词：多晶硅
