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国家重点基础研究发展计划(2007CB607502)

作品数:16 被引量:34H指数:3
相关作者:赵新兵朱铁军蔚翠杨胜辉殷浩更多>>
相关机构:浙江大学东华大学中国科学院更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信金属学及工艺理学更多>>

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 11篇一般工业技术
  • 7篇电子电信
  • 5篇金属学及工艺
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇农业科学

主题

  • 8篇热电材料
  • 7篇热电性能
  • 4篇热电
  • 4篇SB
  • 3篇等离子
  • 3篇凝固
  • 3篇快速凝固
  • 3篇快速凝固法
  • 3篇化合物
  • 3篇放电等离子
  • 3篇RMO
  • 3篇X
  • 2篇电学性能
  • 2篇水热
  • 2篇水热法
  • 2篇热法
  • 2篇方钴矿
  • 2篇NI
  • 2篇N型
  • 2篇ZR

机构

  • 12篇浙江大学
  • 1篇东华大学
  • 1篇南昌大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 12篇赵新兵
  • 11篇朱铁军
  • 4篇杨胜辉
  • 3篇蔚翠
  • 2篇张倩
  • 2篇曹一琦
  • 2篇殷浩
  • 2篇沈俊杰
  • 1篇赵雪盈
  • 1篇罗沛兰
  • 1篇涂江平
  • 1篇季诚昌
  • 1篇张孝彬
  • 1篇李克
  • 1篇李小亚
  • 1篇万俊霞
  • 1篇糜建立
  • 1篇陈立东
  • 1篇赵波
  • 1篇姜广宇

传媒

  • 3篇无机材料学报
  • 3篇功能材料
  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇材料科学与工...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇Rare M...
  • 1篇Intern...
  • 1篇Intern...

年份

  • 1篇2012
  • 3篇2010
  • 8篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
悬浮熔炼制备Half-Heusler合金Zr_(1-x)Ti_xNiSn_(0.975)Sb_(0.025)及其热电性能被引量:1
2009年
采用悬浮熔炼法合成了Zr1-xTixNiSn0.975Sb0.025(x=0,0.15,0.25,0.5)基Half-Heusler热电材料,X射线衍射结果表明所制备合金为单相。相对于常规方法,悬浮熔炼显著缩短了制备Half-Heusler合金的时间。同时研究了Ti取代及不同热压条件对材料热电性能的影响。结果表明:ZrNiSn0.975Sb0.025合金进行A位取代可降低材料的热导率,而不会明显影响其热电性能。致密度可以影响材料的热电性能,适当的热压条件可以使合金的ZT值达到最大,约为0.45。
姜广宇徐绩赵波蔚翠朱铁军赵新兵
关键词:热电材料悬浮熔炼热电性能
Sb掺杂对Mg_2Si基化合物热电性能的影响(英文)被引量:6
2009年
采用感应熔炼和真空热压的方法制备了Sb掺杂和未掺杂的Mg2Si基热电材料。研究了Sb掺杂对Mg2Si基热电材料的结构以及热电特性的影响。结果表明:通过Sb掺杂使得载流子浓度从3.07×1019cm-3增加到1.25×1020cm-3,电子有效质量也相应增加。测试了从室温到800K下试样的Seebeck系数,电导率和热导率。结果显示,0.3at%Sb掺杂使得电导率得到显著增加,在783K时,ZT值达到0.7。
张倩赵新兵殷浩朱铁军
关键词:热电金属间化合物掺杂
Solvothermal synthesis and thermoelectric properties of skutterudite compound Fe_(0.25)Ni_(0.25)Co_(0.5)Sb_3被引量:1
2009年
Nanostructured skutterudite-related compound Fe0.25Ni0.25Co0.5Sb3 was synthesized by a solvothermal method using FeCl3, NiCl2, CoCl2, and SbCl3 as the precursors and NaBH4 as the reductant. The solvothermally synthesized powders consisted of fine granules with an average particle size of tens of nanometers. The bulk material was prepared by hot pressing the powders. Transport property measurements indicated a heavily doped semiconductor behavior with n-type conduction. The thermal conductivity is about 1.83 W·m-1·K-1 at room temperature and decreases to 1.57 W·m-1·K-1 at 673 K. The low thermal conductivity is attributed to small grain size and high porosity. A maximum dimensionless figure of merit of 0.15 is obtained at 673 K.
MI Jianli ZHAO Xinbing ZHU Tiejun
关键词:SKUTTERUDITENANOMATERIALS
快速凝固法制备(Ge1-ySnyTe)x(AgSbTe2)100-x化合物热电材料的电学性能
利用快速凝固方法制备了(GeTe)(AgSbTe) (x=80,85,90)和(GeSnTe)(AgSbTe)(y=0.05,0.1,0.2, 0.4)系列 TAGS 热电化合物。所得材料晶体结构属于菱形晶系,晶格常数随...
杨胜辉朱铁军赵新兵
关键词:热电材料快速凝固法电学性能
文献传递
放电等离子烧结制备的Bi2Te3/Sb2Te3复合材料的热电性能
研究了用低温湿化学法和水热法制备纳米级的 BiTe和 SbTe颗粒,并通过透射电镜观察其微观形貌, BiTe粉末的微观形貌为直径在30~50nm 之间的片状小颗粒,而 SbTe颗粒的微观形貌为薄带状,直径约为 70nm,...
曹一琦朱铁军赵新兵
关键词:水热法热电性能
文献传递
La掺杂n型Mg_2Si基半导体的热电性能研究被引量:5
2008年
采用感应熔炼然后热压的方法制备了La掺杂Mg2Si基热电材料Mg2-xLaxSi(x=0、0.002、0.005、0.010、0.015)。La在Mg2Si中占Mg位,当x≥0.005时,出现第二相LaMg。性能测试表明,Mg2-xLaxSi的导电类型为n型,Seebeck系数的绝对值随La含量的增多而减小,电导率和热导率均随La含量的增多而增大,在测试温度范围内,Mg1.995La0.005Si具有最高的ZT值,在774K温度下达到0.42。
张倩朱铁军殷浩赵新兵
关键词:热电材料MG2SI掺杂
退火时间对铕填充式方钴矿化合物热电性能的影响被引量:3
2009年
采用熔融法结合放电等离子烧结技术制备了Eu填充式方钴矿化合物EuyCo4Sb12,研究了退火时间对Eu填充量及化合物热电性能的影响。采用X射线衍射和电子探针表征了化合物的相组成及成分。在300~850K,测试了化合物的电导率、热导率和Seebeck系数,结果表明:随着退火时间的延长,Eu在Co4Sb12中的填充量增加,电导率增加,晶格热导率降低,Seebeck系数降低;当退火时间为96h时,Eu填充量达到0.43,与名义组分相同经168h退火所得化合物的Eu填充量相近。
万俊霞赵雪盈李小亚季诚昌陈立东
关键词:方钴矿热电性能退火时间
快速凝固法制备ZrNiSn基Half-Heusler热电材料的微结构被引量:2
2010年
通过悬浮熔炼的方法制备了half-Heusler热电材料Zr(Hf)NiSn(Sb)合金,并进一步通过快速凝固来细化晶粒,通过放电等离子烧结制备块材并测试其热电性能.X射线衍射分析表明获得了单相Half-Heusler化合物.扫描电子显微观察发现,快速凝固后的样品晶粒尺寸在500nm左右,放电等离子烧结后晶粒尺寸并未明显长大.同时观察到在晶粒的表面还分布了很多几十纳米尺寸的小晶粒.快速凝固的样品与熔炼样品相比具有较高的电导率及载流子浓度,据此推断在快速凝固过程中产生的纳米晶粒应为金属相.快速凝固后的样品晶界散射增多,因而具有较低的晶格热导率.
蔚翠朱铁军肖凯金吉沈俊杰杨胜辉赵新兵
关键词:ZRNISN快速凝固晶粒尺寸微结构
Ag_2Te掺杂对p型Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3块状合金热电性能的影响被引量:2
2010年
采用真空熔炼、机械球磨及放电等离子烧结技术(SPS)制备得到了(Ag2Te)x(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0,0.025,0.05,0.1)系列样品,性能测试表明,Ag2Te的掺入可以显著改变材料的热电性能变化趋势,掺杂样品在温度为450-550K范围内具有较未掺杂样品更优的热电性能.适当量的Ag2Te掺入能够有效地提高材料的声子散射,降低材料的热导率.在测试温度范围内,(Ag2Te)0.05(Bi0.5Sb1.5Te3)0.95具有最低的晶格热导,室温至575K范围内保持在0.2-0.3W/(m·K)之间,在575K时,(Ag2Te)0.05(Bi0.5Sb1.5Te3)0.95试样具有最大热电优值ZT=0.84,相较于未掺杂样品提高了约20%.
沈俊杰朱铁军蔚翠杨胜辉赵新兵
关键词:晶格热导率热电材料
Thermoelectric properties of quaternary Mg_2Sn_(0.4)Si_(0.6-x)Ge_x alloys
2009年
Quaternary alloys Mg2Sn0.4Si0.6-xGex (x=0, 0.02, 0.05, 0.08 0.1, and 0.2) were prepared using induction melting followed by hot-pressing. Relative densities of the sintered samples were over 97% of the theoretical values. Multiple phases were detected in the samples. It was found that the Seebeck coefficient was sensitive to the content of Mg2Ge and a maximum value of about 350 μV-K^-1 was obtained. The introduction of Ge increases the electrical conductivity and the thermal conductivity simultaneously. The mechanism of this phenomenon was discussed. A maximum dimensionless figure of merit, ZT, of about 0.28 was obtained for Mg2Sn0.4Si0.55Ge0.05 at 550 K.
Hao Yin Xin-Bing Zhao Qian Zhang Tie-Jun Zhu
关键词:HOT-PRESSING
共2页<12>
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