武汉市重点科技攻关计划项目(200761023420)
- 作品数：11 被引量：22H指数：3
- 相关作者：孙奉娄何翔门智新陆俊杰曹芳磊更多>>
- 相关机构：中南民族大学武汉工程大学更多>>
- 发文基金：武汉市重点科技攻关计划项目更多>>
- 相关领域：化学工程理学金属学及工艺电子电信更多>>
- Ti-O薄膜中O含量对紫外光-可见光吸收的影响
- 2010年
- 应用射频磁控溅射技术在普通载玻片上镀制一层均匀的Ti-O薄膜,采用红外光谱仪对其进行红外吸收光谱分析,采用紫外光-可见光分光光度计测量其吸光度,得到了在不同O含量条件下制备的Ti-O薄膜对紫外光-可见光的吸收情况,并进行了比较。实验结果表明:随着O含量的逐渐减少,Ti-O薄膜的结构从TiO2逐渐转变为多种Ti-O结构共存,并且其吸收峰出现红移现象。
- 万维威何翔孙奉娄
- 关键词：射频磁控溅射禁带宽度红移
- 沉淀法制备羟基磷灰石反应条件控制研究被引量：3
- 2010年
- 为了方便快速地获得高纯度羟基磷灰石,本研究以(NH4)2HPO4和Ca(NO3)2·4H2O为原料,利用沉淀法制备纳米级羟基磷灰石粉末,并描述了制备过程。对温度、pH值、分散剂添加比例、钙磷比、烧结温度等反应控制条件进行了研究,并对钙磷比及烧结温度做了详细的讨论。结果表明,此法可以得到分散性、均匀性好,纯度高,颗粒小,晶形完整的纳米级羟基磷灰石。
- 门智新何翔孙奉娄
- 关键词：羟基磷灰石沉淀法烧结温度晶形
- 朗谬尔探针诊断直流脉冲等离子体被引量：2
- 2008年
- 采用朗谬尔双探针对工作频率为1 kHz、占空比为15%的直流脉冲等离子体在气体分别为空气、氨气和氩气,脉冲电压为600 V,压强为109 Pa条件下进行了诊断,得到了电子密度、电子温度在一个脉冲周期内随时间变化的情况.在采用空气放电时测量了辐射光强在一个脉冲周期内的变化情况.并对脉冲激励下的等离子体内参数的响应特殊现象进行了讨论.
- 蓝加平孙奉娄
- 关键词：脉冲等离子体朗谬尔探针
- 一种简单的辉光放电等离子体诊断方法
- 2010年
- 以碰撞为能量交换机制,按局部热力学平衡近似处理低气压等离子体,并考虑辉光放电二极之间的电位分布,得到了电子密度与气体压力的关系和电子温度与电场强度的关系。提出了一种利用压强、电压和电流就获得电子温度和密度的诊断方法。用Langmuir探针方法验证了获得的结果。
- 孙奉娄陆俊杰
- 关键词：等离子体诊断电子温度电子密度道尔顿定律
- IGBT强驱动电路的设计被引量：4
- 2010年
- 根据脉冲渗碳电源要求,设计一种具有高可靠性、信号传输无延迟、驱动能力强等特点的IGBT强驱动电路,详细分析了工作原理,并对电路测试中出现的电流尖峰进行了抑制。在此基础上得出几个主要影响驱动电路的因素。实际用于大功率IGBT桥电路驱动,工作稳定可靠。结果表明,所设计的电路结构简单,驱动能力强,可靠性高,且对用变压器驱动大功率全桥电路有通用性。
- 曹芳磊孙奉娄
- 关键词：变压器隔离驱动电路
- LED电源几种保护电路的设计被引量：1
- 2010年
- 根据半导体二极管负载的特性,设计了30A/20V开关型稳流电源变换桥的直通保护、过电流保护、过电压保护以及防开关抖动引起电流过冲等的保护电路,分析了电路工作原理.实际应用表明:这些保护措施起到了防止过流、过压以及抑制尖峰电流的作用,能有效地保护电源和LED负载,延长其使用寿命.
- 孙奉娄马荩
- 关键词：开关电源保护电路过流过压
- 沉淀法制备羟基磷灰石反应条件控制研究被引量：2
- 2010年
- 为了方便快速地获得高纯度羟基磷灰石,本研究以(NH4)2HPO4和Ca(NO3).24H2O为原料,利用沉淀法制备纳米级羟基磷灰石粉末。对温度、pH值、分散剂添加比例、钙磷比、烧结温度等反应控制条件进行了研究,对钙磷比及烧结温度做了详细的讨论。结果表明:此法可以得到分散性、均匀性好,纯度高、颗粒小、晶形完整的纳米级羟基磷灰石。
- 门智新何翔孙奉娄
- 关键词：羟基磷灰石沉淀法烧结温度晶形
- 微弧氧化制备TiO_2光催化剂降解甲基橙实验研究被引量：3
- 2008年
- 用微弧氧化法在纯钛材料表面负载TiO2陶瓷膜,以此作为光催化剂,用紫外光为光源,降解甲基橙溶液.选用硅酸钠、磷酸钠、铝酸钠电解液体系,比较了所制备的不同TiO2光催化剂对降解甲基橙的影响.实验结果表明:不同溶液体系制成的TiO2膜对甲基橙均有脱色效果,但光催化降解甲基橙速率不同,在对比的溶液体系中,磷酸钠的效果最好.硅酸钠电解液中加入添加剂也改善了负载光催化剂的质量.
- 徐志立惠述伟
- 关键词：微弧氧化二氧化钛光催化降解甲基橙
- 沉淀法制备羟基磷灰石反应条件控制研究被引量：5
- 2011年
- 为了方便快速地获得高纯度羟基磷灰石,以磷酸氢二铵和四水硝酸钙为原料,利用沉淀法制备纳米级羟基磷灰石粉末。描述了制备过程;对温度、pH、分散剂添加量、钙磷物质的量比、烧结温度等反应控制条件进行了研究;对钙磷物质的量比及烧结温度做了详细的讨论。制备羟基磷灰石的最佳工艺条件:pH为10.5,n(Ca)/n(P)=2.0,反应温度为40℃,剧烈搅拌2 h,陈化温度为50℃,分散剂添加量为3%(质量分数),以酒精洗涤,120℃干燥2 h,900℃烧结2 h。此法可得到分散性、均匀性好,纯度高、颗粒小、晶形完整的纳米级羟基磷灰石。
- 门智新孙奉娄何翔
- 关键词：羟基磷灰石沉淀法烧结温度晶形
- 中频离子氮化脉冲电源的控制电路设计
- 2010年
- 介绍了自行研制的中频离子氮化脉冲电源的结构.利用UC 3825B设计了中频离子氮化脉冲电源的逆变控制电路,同时设计了一种新的灭弧保护电路.该控制电路已成功用于离子氮化脉冲电源,解决了高频变压器的偏磁问题,保护电路能快速可靠地灭弧,灭弧时间约为2.5μs.
- 孙奉娄陆俊杰
- 关键词：脉冲电源峰值电流控制灭弧保护电路
