国家自然科学基金(50372067)
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
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- 相关机构：中国科学院中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院研究生院更多>>
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- 非致冷In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP红外探测器研究被引量：3
- 2005年
- 采用LPMOCVD技术生长了InGaAs红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元器件,光谱响应范围为0.90～1.70μm,在1.95V偏压下,暗电流为5.75×10-5A,在反向偏压为-5V时,电容为6.96×10-12F.探测器波段探测率为2.08×1011cmHz1/2W-1.
- 缪国庆殷景志金亿鑫蒋红张铁民宋航
- 关键词：金属有机化学气相沉积铟镓砷探测器
- 缓冲层InxGa_(1-x)As组分对In_(0.82)Ga_(0.18)As结晶质量和表面形貌的影响被引量：3
- 2006年
- 采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层InxGa1-xAs的In组分对In0.82Ga0.18As结晶质量和表面形貌的影响。X射线衍射(XRD)用于表征材料的组分和结晶质量。用扫描电子显微镜(SEM)观察样品的表面形貌。实验结果表明,低温生长的缓冲层InxGa1-xAs的In组分影响高温生长的外延层In0.82Ga0.18As的结晶质量和表面形貌。测量得到四个样品的外延层In0.82Ga0.18As的X射线衍射谱峰半峰全宽(FWHM)为0.596°,0.468°,0.362°和0.391°,分别对应缓冲层In组分x=0.28,0.53,0.82,0.88,当缓冲层In组分是0.82时,FWHM最窄,表明样品的结晶质量最好。SEM观察四个样品的表面形貌,当缓冲层In组分是0.82时,样品的表面平整,没有出现交叉平行线或蚀坑等缺陷,表面形貌最佳。
- 张铁民缪国庆金亿鑫谢建春蒋红李志明宋航
- 关键词：铟镓砷金属有机化学气相沉积X射线衍射扫描电子显微镜
- 生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌和结晶质量的影响
- 2007年
- 采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上外延生长In0.82Ga0.18As.研究生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌、结晶质量和Ⅲ族源铟镓比的影响.扫描电子显微镜观察样品的表面形貌.X射线衍射用于表征材料的组分和结晶质量.结果表明,生长温度强烈地影响In0.82Ga0.18As材料的表面形貌和结晶质量.样品的表面形貌随生长温度的增加由典型的2D生长模式过渡到3D生长模式.X射线衍射曲线半峰全宽为1224、1454、2221、2527 S,分别对应于生长温度为410、430、450、470℃四个样品.此外,Ⅲ族源铟镓比值也随生长温度的增加从0.42增大到4.62.
- 张铁民缪国庆金亿鑫于淑珍蒋红李志明宋航
- 关键词：铟镓砷金属有机化学气相沉积生长温度
- LP-MOCVD两步生长法制备的InAs_(0.9)Sb_(0.1)/GaAs
- 2007年
- 利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法,在(100)GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、X射线单晶衍射、Hall测量以及Raman光谱等方法对材料进行了表征。分析了缓冲层和外延层生长温度对外延层表面形貌的影响。获得了表面光亮,室温载流子浓度为1.9×1017cm-3和迁移率为6214cm2/V.s的InAs0.9Sb0.1。在室温Raman光谱中观察到InAs0.9Sb0.1中InAs(LO)的233cm-1和InSb(LO)的187cm-1两种光学声子行为。
- 谢建春缪国庆金亿鑫张铁民宋航蒋红刘乃康李志明
- 关键词：金属有机化学气相沉积INASSBGAAS
