山西省自然科学基金(2007011066)
- 作品数：9 被引量：37H指数：4
- 相关作者：赵君芙梁建许并社马淑芳王华更多>>
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- N-己基咔唑和苯作为聚芴衍生物封端基团的对比研究
- 2009年
- 采用Suzuki偶合方法合成了9,9-二辛基芴(DOF)与窄带隙单体4,7-二噻吩-2,1,3-苯并噻二唑(DBT)的共聚物PDOF-DBT,然后分别以N-己基咔唑和苯作为封端基团进行封端,并对其发光性能、电化学性能以及热力学性能进行了对比研究.结果表明N-己基咔唑替换苯作为PDOF-DBT的封端基团后,导致其发光颜色偏蓝,而且还有助于提高PDOF-DBT-B的发光效率,而且没有改变PDOF-DBT-B良好的热稳定性.
- 徐阳王华卫芳芳侯建新周禾丰许并社
- 关键词：聚芴咔唑PLED
- GaN薄膜制备技术的研究进展被引量：2
- 2010年
- 综述了近年来国内外GaN薄膜制备技术的研究进展,并重点介绍了其发展历程、所使用的设备和技术、各自的优缺点及应用前景。通过比较这些技术的优缺点展望了制备GaN薄膜技术的发展前景。
- 赵丹梁建赵君芙马淑芳张华许并社
- 关键词：GAN薄膜
- YAG：Ce^3＋,Pr^3＋荧光粉的制备和光谱特性研究被引量：14
- 2009年
- 以稀土氧化物为原料,采用高温固相反应法合成了Ce3+,Pr3+共激活的钇铝石榴石蓝光转换材料。通过X射线粉末衍射和激发、发射光谱的测试进行表征,研究了掺杂Ce3+,Pr3+的钇铝石榴石荧光粉的晶体结构和光谱特性。结果表明:产物为立方晶系的钇铝石榴石结构,可被蓝光有效激发,并且通过Ce3+,Pr3+之间的能量传递激发镨离子发光,使荧光粉的红光成分有所增加,从而有望降低白光LED的色温,提高其显色指数。
- 周禾丰侯建新贾明理王华徐阳卫芳芳
- 关键词：钇铝石榴石显色指数发射光谱激发光谱
- PbX(X=S,Se)纳米结构材料的制备方法被引量：1
- 2010年
- PbX(X=S,Se)纳米结构材料因其良好的光电性能,在太阳能电池等方面有着较好的应用前景,目前已成为半导体领域的研究热点。概括和总结了几种制备PbX纳米材料的经典和新型方法,其中包括水热法、溶剂热法、化学气相沉积法、中孔材料模板法、熔盐籽晶法、纳米晶的取向附属物法和微波法等,并分析和讨论了各方法的特点及对应产物的特征。
- 危兆玲李天保赵君芙梁建马淑芳许并社
- 关键词：PBSPBSE
- InAs纳米颗粒的制备及性能表征被引量：2
- 2010年
- 以InCl3.4H2O、KBH4、As2O3和三乙醇胺为原料,采用溶剂热-退火法制备出了InAs纳米颗粒。用XRD、TEM和拉曼光谱仪对产物的微观结构进行表征。研究了反应物的配比和退火温度对产物的物相和形貌的影响,得到制备InAs纳米颗粒的最佳工艺参数为:反应物As2O3、InCl3.4H2O的物质的量配比为1:1,反应与退火温度分别为160℃和500℃。并对产物的形成过程进行了初步探讨。
- 梁建王玉赵君芙马淑芳
- 关键词：三乙醇胺
- 不同醇对溶剂热法制备氧化亚铜形貌的影响被引量：5
- 2010年
- 以乙酸铜、三乙醇胺和醇为原料,采用溶剂热法制备出了不同形貌的微米氧化亚铜颗粒。通过SEM和XRD对所制备产物的形貌和物相进行分析表征,结果表明,在适当的反应温度下,不同醇类作还原剂均可生成球形氧化亚铜微晶,但随着醇羟基数量的增加,球形氧化亚铜微晶的反应生成温度逐渐降低。同时,对醇在形成氧化亚铜微晶的反应过程中所起的作用进行了初步探讨。
- 梁建董海亮赵君芙黄平马淑芳
- 关键词：氧化亚铜溶剂热法自由基
- 8-羟基喹啉金属配合物的制备与提纯被引量：9
- 2009年
- 对以8-羟基喹啉为配位体的金属配合物合成过程中几个重要的影响因素进行研究,发现反应溶液的浓度、合成反应的时间、反应体系的pH值、反应温度等因素对8-羟基喹啉金属配合物的产率以及发光性能有很大的影响。结果表明:当8-羟基喹啉乙醇溶液浓度为80 g/L,反应体系pH值为7.14,温度为70℃,反应时间为3 h时,Alq3的产率最高;反应体系pH值为10,温度为50℃,反应时间为1 h,Liq的产率最高;pH值为8,温度为70℃,反应时间为1 h,Znq2的产率最高。
- 卫芳芳王华徐阳侯建新周禾丰许并社
- 关键词：8-羟基喹啉铝
- 阳极氧化铝模板的制备及其在纳米材料领域的应用进展被引量：4
- 2010年
- 概括了传统阳极氧化铝(AAO)模板及几种新型AAO模板的制备工艺,并总结了AAO模板在纳米材料领域的应用进展。
- 李婧梁建赵君芙黄平李慧
- 关键词：阳极氧化铝模板阳极氧化有序度纳米材料
- GaAs/Ga2O3复合多晶薄膜的生长与光学性能研究
- 2009年
- 采用热蒸发沉积法,以砷化镓和氧化镓粉末为原料,以氧化铟为催化剂,在800℃的氩气气氛中,在(100)砷化镓基片表面上沉积生成GaAs/Ga2O3薄膜。以配有成分分析的场发射扫描电镜(FESEM)、X-射线衍射仪(XRD)、光致发光仪(PL)等测试方法对所得薄膜的成分、形貌、晶体结构和光学性能进行了表征。研究结果表明:薄膜以规整的波浪形均匀地覆盖在砷化镓基片表面上,所得薄膜为GaAs/Ga2O3复合多晶薄膜,光致发光峰为强的红光发射;薄膜的生长机理为固-气-固过程,薄膜中砷元素含量的增加与氧化铟的作用有关。
- 马淑芳梁建赵君芙孙晓霞许并社
- 关键词：砷化镓光致发光
