您的位置: 专家智库 > >

辽宁省自然科学基金(20102162)

作品数:5 被引量:9H指数:2
相关作者:李新刘沁孙承松刘野薛阳更多>>
相关机构:沈阳工业大学沈阳仪表科学研究院有限公司中国科学院更多>>
发文基金:辽宁省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇自动化与计算...

主题

  • 3篇感器
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇压力传感器
  • 2篇力传感器
  • 1篇调理电路
  • 1篇信号
  • 1篇压电薄膜
  • 1篇压阻
  • 1篇压阻效应
  • 1篇数字滤波
  • 1篇注氧隔离
  • 1篇注氧隔离技术
  • 1篇微压
  • 1篇微压传感器
  • 1篇谐振式压力传...
  • 1篇滤波
  • 1篇膜结构
  • 1篇晶圆
  • 1篇混合信号

机构

  • 5篇沈阳工业大学
  • 2篇沈阳仪表科学...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 5篇李新
  • 2篇刘沁
  • 1篇刘梦伟
  • 1篇刘野
  • 1篇薛明鑫
  • 1篇孙承松
  • 1篇薛阳

传媒

  • 4篇仪表技术与传...
  • 1篇传感技术学报

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
微型硅基弯曲板波器件
2012年
介绍了基于ZnO压电薄膜的微型弯曲板波(FPW)器件的设计与制作。为减小薄膜的应力,器件采用LTO/ZnO/LTO/Si3N4多层复合板结构,并采用直流磁控溅射工艺制备ZnO压电薄膜,在压电复合板结构上沉积两对叉指电极,分别用于Lamb波的激发和接收。X射线衍射分析表明,沉积的ZnO薄膜C轴高度择优;扫描电子显微镜分析表明,制备的ZnO薄膜平整、致密,晶粒生长呈现明显的柱状结构;通过分析制备的高次谐波体声波谐振器(HBAR)器件性能来间接检验ZnO压电薄膜的电学性能,HBAR器件的品质因子较高,表明薄膜有较好的压电性能。利用安捷伦E5071C网络分析仪检测FPW器件的频率响应,结果表明反对称A0模式Lamb波的实测中心频率与理论计算的频率结果基本一致。
李新刘梦伟薛明鑫
关键词:ZNO压电薄膜叉指电极
基于SOI晶圆材料的硅微压传感器被引量:4
2012年
为解决硅微压传感器制作过程中存在的问题,以SOI晶圆材料为基础,使用有限元方法优化设计岛-膜型1kPa压力敏感结构,采用MEMS工艺完成传感器芯片制作,并对封装后的传感器进行了测试。测试结果表明,传感器输出灵敏度大于60 mV/kPa,非线性小于0.1%FS,精度小于0.5%FS,器件具有较好的性能指标。
李新刘野刘沁孙承松
关键词:SOI晶圆
SiO_2-Si_3N_4-SiO_2复合梁谐振式压力传感器结构设计与分析
2015年
提出了一种采用SiO2-Si3N4-SiO2复合谐振梁结构的谐振式压力传感器。采用有限元分析技术分别对谐振梁和传感器芯片结构进行了电热分析、模态分析以及谐响应分析,最后对SiO2-Si3N4-SiO2复合梁谐振式压力传感器的工艺进行了探讨,表明通过多晶硅牺牲层技术能更好地得到Si O2-Si3N4-Si O2复合谐振梁,具有良好的选频特性。
李新薛阳李春风
关键词:压力传感器
注氧隔离技术SOI晶圆材料高温压阻效应被引量:1
2011年
针对注氧隔离技术制备的SOI晶圆顶层硅材料的高温压阻效应,设计并制作研究压阻效应的实验装置与测试样品,在高温条件下,利用悬臂梁结构研究SOI晶圆顶层硅的压阻效应。研究结果表明:在一定的掺杂浓度条件下,硅[110]晶向上的纵向压阻系数随温度的升高而减小,横向压阻系数随温度的升高变化不大。在300℃条件下,硅[110]晶向具有较大的纵向压阻系数和横向阻系数,且性能稳定,适于高温压阻式压力传感器的制作。
李新刘沁
关键词:压阻效应注氧隔离高温
压力传感器混合信号调理电路的设计被引量:4
2013年
详细介绍了压力传感器混合信号调理电路的设计,使用经典的三运放方式组成仪表放大电路,实现了模拟量的放大输出及归一化,采用二阶有源滤波电路抑制噪声的干扰,使用AVR单片机对模拟信号进行采样处理并控制开关量的输出,采用数字滤波、开关量阀值等方法保证控制的精度。设计了上位机的通讯软件,使用RS232通讯实现远程实时设定。设计电路模拟量输出为0.5-4.8V,输出纹波小于20mV,可以实现多路开关量的控制,控制的压力阈值为20kPa.
李新龙婉艺
关键词:混合信号数字滤波压力传感器
共1页<1>
聚类工具0