国家高技术研究发展计划(2006AA04Z302)
- 作品数：9 被引量：4H指数：1
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- 基于静电驱动NEMS混频器结构设计与分析被引量：1
- 2008年
- 提出了一种采用新型纳米梁结构利用静电驱动实现混频的NEMS混频器的工作原理。通过在两个双端固支梁中间加一平板质量块作为静电驱动与检测输出电极,可以明显提高纳米尺度下静电驱动静电力的大小以及电容信号输出强度,减少平板电容边缘效应的影响。采用双梁结构对于中间质量块而言回复力得到了提高,有利于提高谐振频率同时有效地抑制了梁扭转模态的干扰。在详细分析双梁结构静电驱动信号选取方式以及真空下动力学模型基础上,利用Lindstedt-Poincare方法推导出系统的幅频关系式。
- 李洪飞于虹黄庆安
- 关键词：混频器静电驱动
- 双端固支微机电变截面梁二维效应的研究
- 2009年
- 双端固支微机电变截面梁因为抗弹性扭曲作用,不能再简化为一维双端固支梁进行建模与分析,必须考虑梁结构在运动时因二维形变效应[1]对可变电容、光开关、RF MEMS开关等器件性能的影响。计算了由于二维形变效应所产生的误差,对主要参数变化所产生的影响进行了分析,又在分析的基础上进行了总结,分析与结论为设计者选取结构尺寸提供了参考。
- 刘天一李伟华
- 关键词：MEMS变截面梁形变可变电容
- 多晶硅薄膜热膨胀系数的电测试结构
- 2008年
- 提出了一种新型多晶硅薄膜热膨胀系数的电测试结构,给出了热机电耦合模型和测试方法,并利用Coventor软件和ANSYS软件进行模拟和验证.分析表明模拟结果和理论结果基本一致,从而验证了该模型.该方法能够实现多晶硅薄膜热膨胀系数的在线提取,测量方便,独立性较高,以电学量形式输出,对于薄膜热膨胀系数的在线检测有一定参考价值.
- 胡冬梅黄庆安李伟华
- 关键词：热膨胀系数多晶硅薄膜电测试吸合
- 静电驱动蝴蝶结状双端固支梁的节点分析法
- 2008年
- 为了在节点化设计方法中对静电驱动的蝴蝶结状双端固支梁进行分析,采用伽辽金残余法建立了静电驱动梯形梁单元的节点化模型,在HSpice中构建了相应的等效电路模型.与有限元仿真结果及文献中给出的实验结果进行了比较,结果表明模型具有较高的精度,可在相关设计中作为参考.
- 李敏黄庆安李伟华
- 关键词：MEMS器件半导体器件等效电路MEMS
- 基于二维图形学的MEMS节点单元识别算法研究
- 2008年
- 设计了一种MEMS(Microelectronic mechanical system)器件节点单元自动识别的方法,介绍了如何根据工艺和版图信息实现识别的过程,对图形学相关算法进行了详细论述。结合节点单元特征提炼了各种单元的识别规则,并基于此规则实现了具体的识别流程。详细讨论了识别过程中用到的二维图形学相关理论、算法。最后以多种常用MEMS器件为例进行了节点单元类型识别,均获得了正确的结果。
- 邓伟李伟华
- 关键词：图形学
- 用于MEMS器件的硅材料塞贝克系数测试结构被引量：2
- 2007年
- 综述了微观尺度下利用MEMS结构测量硅材料塞贝克系数的已有工作。这些测试结构主要由电加热、电压测量和温度测量三部分构成,通过测量塞贝克电压和与之相对应的温度,从而获知塞贝克系数。加式测试结构的工艺大多与CMOS工艺兼容。指出这些方法原理简单、测量直接,但必须要求真空环境,尚无法满足普通大气环境下在线测试的要求。
- 马洪宇黄庆安李伟华
- 关键词：塞贝克系数微机电系统硅
- 牺牲层腐蚀改进模型与模拟研究被引量：1
- 2008年
- 牺牲层腐蚀主要受腐蚀液的扩散过程制约,由扩散方程决定。扩散系数在腐蚀过程中随温度和腐蚀液浓度变化而改变。文中对改进的腐蚀模型给出有限差分算法,由每一时刻溶液在具体位置的浓度值得出扩散系数,再由Topography模型计算前端面的腐蚀情况得到腐蚀前端行进的轮廓线。并编程对一些MEMS结构的释放过程进行仿真,最后给出实验验证。
- 彭奇李伟华
- 关键词：牺牲层腐蚀差分算法
- 基于受力分析的MEMS薄膜系统级模拟方法的研究
- 2008年
- 介绍一种MEMS系统级模拟方法。该方法直接分析运动物体的受力情况,并结合能量原理,利用受控源的反馈实现耦合作用,建立机电耦合MEMS薄膜的等效电路模型。利用该等效电路实现对薄膜动态行为的系统级模拟,并将Spice和有限元法,Saber的模拟结果进行对比,验证了该模拟方法应用于二维情况分析的有效性。
- 李蓓佳李伟华
- 关键词：系统级模拟受力分析等效电路宏模型
- MEMS加工中对准误差的在线提取结构
- 2008年
- 对准误差是MEMS表面加工工艺中的一个重要参数,对它的测量和控制有着重要的意义。目前大多采用光机械的方法来测量,但是测试方法复杂、测试时间长。主要对MEMS表面加工工艺中导电层和非导电层之间的对准误差测试结构进行了研究,可用于测量表面工艺中牺牲层和多晶硅层之间的对准误差。通过对集成电路中所用的锥形梳状游标结构进行改进,把对准误差的测量转化为电阻的测量,从而实现对准误差的快速电测量,理论上可达到0.1μm的分辨率,测试方法简单快捷,并且很便于测试系统集成。
- 钱晓霞李伟华
- 关键词：电测量
