沈阳市科技局资助项目(1032029-2-06)
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
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- 一种简单的电流控制振荡器被引量：3
- 2008年
- 设计了一种简单的电流控制的振荡器.该电路充分利用系统内部基准电流源产生的电流信号对电容进行充放电,此振荡器是降压变换器内部电路的一部分,在3.3 V电源电压下,经过控制电路作用后,上升时间和下降时间很接近,使振荡器输出的谐波信号近似于三角波信号.
- 孙嘉兴于晓鹏
- 关键词：振荡器基准电流源电容
- 低压UDMOSFET结构设计
- 2007年
- 对低压UDMOSFET的结构设计提出了要以提高品质因数为指向的思想,分析了对其产生影响的一些相关因素,如特征电阻和击穿电压之间的平衡,寄生电容的设计考虑,以及在满足上述条件下的面积优化.最后对20V/10A条件下UDMOSFET的结构设计给出了详细的推导和计算.
- 石广源唐宁张志鹏
- 关键词：品质因数
- 通用异步接收发送器的低功耗设计被引量：1
- 2007年
- 讨论了在DSP微处理器片上集成通用异步接收发送器(UART)的低功耗设计方案.给出了门控时钟休眠状态的控制方法和相应的电路图,以及有限状态机的低功耗设计方法.该设计思想对整个数字系统的低功耗设计具有重要参考价值.
- 朱成璋
- 关键词：UARTDSP低功耗设计
- 30伏P沟VDMOS场效应管的设计被引量：3
- 2007年
- 对于IRF7705型30伏P沟VDMOSFET进行了结构优化设计.给出了该器件的纵向结构和横向结构参数及材料的物理参数.较系统地分析了VDMOSFET的几个重要参数,重点讨论了P沟VDMOSFET的外延层电阻率、外延层厚度、N体区扩散浓度以及各个参数之间的关系,对该类器件的实际生产有一定的指导作用.
- 王中文胡雨石广源
- 关键词：VDMOSFET参数设计
