广西信息材料重点实验室主任基金(0710908-05-Z)
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
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- 溅射功率对Mg_(0.2)Zn_(0.8)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响
- 2013年
- 以自制Mg0.2Zn0.8O∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺室温条件下在石英玻璃衬底上制备Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜。研究溅射功率对Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜结构和光电性能的影响。测试结果表明:溅射功率不会明显影响薄膜中的成分及其浓度,并与靶材基本吻合;不同溅射功率下Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜均具有非常好的c轴择优取向生长特性,透光区域均扩展到紫外区域,而且随溅射功率从100W增大到200W,薄膜的晶粒有所增大,结晶程度明显提高,电阻率从50Ω·cm降低到不足1Ω·cm,透光率无明显差别,约为89%,带隙宽度略有减小,光吸收边略向长波方向移动,但溅射功率达到250W以后,薄膜质量有所下降,粗糙度增大,电阻率略有回升,透光率有所降低。
- 王华燕红黄竹许积文杨玲
- 关键词：溅射功率光电性能
- 溅射压强和退火气氛对Mg_(0.2)Zn_(0.8)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响被引量：1
- 2011年
- 以自制Mg0.2Zn0.8O∶Al陶瓷为靶材,采用室温溅射后续退火磁控溅射工艺制备了Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜。研究了溅射压强和退火气氛对Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜结构和光电性能的影响。结果表明:溅射氩气压强不影响薄膜的相结构,但对薄膜的取向生长和结晶质量有一定影响;薄膜的方块电阻随溅射压强的增加先大幅减小后有所增大,溅射气压为2.0 Pa时,薄膜的方块电阻最低;不同溅射气压下制备薄膜的透光范围均已扩展到了紫外区域,而且具有85%以上的高透射率,但溅射气压对薄膜的带隙宽度和透光率没有明显影响;室温下溅射制备的薄膜经真空退火处理后其导电性能显著提高,但在空气中退火处理后其导电性能反而有所下降。
- 王华燕红许积文江民红杨玲
- 关键词：磁控溅射溅射压强光电性能
- 超声喷雾热解法制备ZnO:Al薄膜及其光电性能研究被引量：3
- 2013年
- 摘要以乙酰丙酮锌、乙酰丙酮铝为锌和铝的原料，乙醇和水为溶剂，采用超声喷雾热解法在玻璃衬底上制备了Zn0：Al透明导电薄膜，研究了Al添加量为O％～20％（原子分数，下同）对ZnO：Al薄膜光电性能的影响。使用XRD、SEM、DSC、FTIR、四探针、分光光度计对薄膜进行了表征和分析。结果表明，300℃的低温能生长出结晶态的薄膜，AI掺杂引起晶格常数减小；晶粒形貌为片状；随着AI添加量的增加，方块电阻先降低后增大，Al添加量为4．0％时具有最低的方块电阻（4．43kΩ／sq），最佳的电阻率（O．43Ω·cm）；Al添加量对薄膜的透光率影响较小，平均可见光透光率大于80％。真空热处理可显著降低方块电阻，A1添加量为4．O％的薄膜经过550℃热处理后，其方块由．阻降低到106n／sa．相应的巾．阻率为1.0X10-2Ω·cm．
- 杨玲韦帅张婷婷许积文王华
- 关键词：喷雾热解法ZNO
