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国家重点基础研究发展计划(51613Z)

作品数:3 被引量:2H指数:1
相关作者:杨成韬张彩虹张万里于永杰张亚磊更多>>
相关机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程理学更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇应力
  • 2篇剩磁
  • 2篇矫顽力
  • 1篇微结构
  • 1篇膜厚
  • 1篇薄膜厚度
  • 1篇COFE
  • 1篇磁性能

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇杨成韬
  • 2篇张万里
  • 2篇张彩虹
  • 1篇翟亚红
  • 1篇毕长红
  • 1篇解群眺
  • 1篇彭斌
  • 1篇庞翔
  • 1篇张亚磊
  • 1篇奉建华
  • 1篇于永杰

传媒

  • 2篇压电与声光
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
CoFe_2O_4薄膜厚度对其微结构和磁性能的影响被引量:1
2010年
以铁和钴的硝酸盐为主要原料,采用sol-gel旋涂法在Si(001)基片上制备了不同厚度的CoFe2O4(CFO)薄膜。研究了薄膜厚度对其结构、形貌及磁性能的影响。结果表明:随着其厚度的增大,薄膜的结晶度变好,薄膜晶粒度逐渐增大到70nm。Ms随着薄膜厚度的增大先增大后减小;Hc的变化规律和Ms相反。当薄膜厚度为800nm时,Ms达到最大值59.2A·m2/kg,此时Hc最小为106.7kA/m。该薄膜具有高度的平行各向异性。
张亚磊杨成韬于永杰解群眺
关键词:微结构磁性能
应力对厚30nm的FeCoSiB薄膜影响的微磁模拟被引量:1
2012年
从微磁学理论出发,建立了单轴应力作用下的等效模型;利用美国国家标准技术协会(NIST)开发的微磁学软件OOMMF,从理论上研究应力对厚30nm的FeCoSiB非晶磁弹性薄膜图形化单元磁畴、剩磁、矫顽力等磁性特性的影响。结果表明,FeCoSiB非晶磁弹性薄膜的磁矩分布随应力的变化明显不同;当应力于外磁场方向平行时,薄膜单元的矫顽力和剩磁随张应力的增加而线性增加,随着压应力的增加而线性减小。
张彩虹杨成韬庞翔毕长红张万里彭斌
关键词:剩磁矫顽力应力
FeCoSiB薄膜在应力调控下的微磁模拟
2013年
从微磁学理论出发,利用微磁学软件OOMMF,从理论上研究不同大小、方向的应力对FeCoSiB非晶磁弹性薄膜图形化单元磁畴、剩磁、矫顽力等磁性特性的影响。结果表明,磁滞回线明显取决于所施加的应力;且剩磁和矫顽力对应力的大小、方向的敏感度都很高。剩磁随应力以0.09/400MPa的梯度线性变化;矫顽力随应力以2mT/50MPa的梯度线性变化。
奉建华翟亚红杨成韬张彩虹张万里
关键词:剩磁矫顽力应力
共1页<1>
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