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高功率共振腔增强型光电探测器研究进展被引量：4: 2007年; 共振腔增强型光电探测器(RCE-PD)作为一种新型光电探测器,具有高量子效率、高响应度和波长选择性等优点,成为目前光纤通信领域中最为重要的探测器之一。在数字和模拟光传输系统中,高功率探测器由于具有高信噪比、低插入损耗等优点,在国际上越来越受到重视。综述了这两种探测器的基本结构、发展状况,展望了其发展前景等。指出高功率共振腔增强型光电探测器将是今后最有发展前途的探测器。; 朱彬韩勤杨晓红李文兵; 关键词：光电探测器空间电荷效应饱和电流

高稳定线性调谐GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器: 2012年; 研制了一种GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器.采用分子束外延设备生长In_(0.25)Ga_(0.75)As/GaAs量子阱作为器件的有源区,无偏压时器件的响应峰波长在1071 nm,器件在21 V的直流调谐电压下,实现了波长大于23 nm的调谐.统计结果表明,当调谐电压大于5 V时,调谐电压与响应波长之间具有稳定、精确的对应关系,且近似线性调谐,同时对器件响应峰的特性进行了理论分析.; 王杰韩勤杨晓红倪海桥贺继方王秀平; 关键词：GAAS 高稳定线性调谐

MEMS可调谐VCSEL的研究进展被引量：3: 2007年; 随着全光网络和DWDM系统的发展,MEMS可调谐VCSEL由于其优越的性能,有着相当广泛的应用前景。文章从结构差异上,将近几年来国际上的有关报道分成了单悬臂型,可变形介质模型,半对称腔型和掩埋隧道结型等四类,并对每一类型作了详细的介绍。; 李文兵韩勤杨晓红朱彬; 关键词：微机电系统

InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱中应变对光致发光特性的影响: 2006年; 对蓝宝石衬底上的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构和经激光剥离去除衬底的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构薄膜样品,进行了光致发光谱、高分辨XRD和喇曼光谱测量.PL测量结果表明,相对于带有蓝宝石衬底的样品,InGaN/GaN多量子阱薄膜样品的PL谱峰值波长发生较小的蓝移,而InGaN/AlGaN多量子阱薄膜样品的PL谱峰值波长发生明显的红移;喇曼光谱的结果表明,激光剥离前后E2模的峰值从569.1减少到567.5cm-1.这说明激光剥离去除衬底使得外延层整体的压应力得到部分释放,但InGaN/GaN与InGaN/AlGaN多量子阱结构中阱层InGaN的应力发生了不同的变化.XRD的结果证实了这一结论.; 于彤军; 关键词：光致发光谱 INGAN ALGAN 多量子阱

Fabrication of 1.55μm Si-Based Resonant Cavity Enhanced Photodetectors被引量：3: 2005年; A novel bonding method using silicate gel as bonding medium is developed.High reflective SiO 2/Si mirrors deposited on silicon substrates by e-beam deposition are bonded to the active layers at a low temperature of 350℃ without any special treatment on bonding surfaces.The reflectivities of the mirrors can be as high as 99 9%.A Si-based narrow band response InGaAs photodetector is successfully fabricated,with a quantum efficiency of 22 6% at the peak wavelength of 1 54μm,and a full width at half maximum of about 27nm.This method has a great potential for industry processes.; 毛容伟左玉华李传波成步文滕学公罗丽萍张合顺于金中王启明; 关键词：INGAAS

GaAs基MOEMS波长可调谐滤波器的设计和理论模拟: 2009年; 采用传输矩阵理论和结合悬臂梁的电学-机械模型对GaAs基1.55μm微光电机械系统(MOEMS)波长可调谐滤波器的光学和电学特性进行了深入的对比分析和研究。结果表明,采用800 nm厚的空气腔可以实现滤波器波长的调谐范围为100 nm,所需最大反向偏压为4 V,波长的调谐速率可以达到1.83 MHz。; 秦龙韩勤杨晓红朱彬鞠研玲; 关键词：密集波分复用调谐范围滤波器

1064nm RCE探测器光电响应特性分析被引量：1: 2005年; 对1064nm谐振腔增强型（RCE）光电探测器（PD）的光电响应特性进行了分析研究．利用MBE生长技术得到有源区分别为量子阱和量子点的1064nm RCE探测器的外延片，并对制作的探测器进行了各种光电特性测试．结果表明量子阱结构的RCE探测器量子效率峰值达到57％，谱线半宽6～7nm，峰值波长1059nm；而量子点结构的RCE探测器量子效率峰值达到30％，谱线半宽5nm，峰值波长1056nm．通过分析量子效率和吸收系数之间的关系，对两种结构器件的吸收进行了比较，发现虽然量子点探测器的吸收小，但通过合理设计共振腔等方法也可以达到较高的量子效率．两种结构的器件都有很好的I-V特性．; 彭红玲章昊韩勤杨晓红杜云倪海桥佟存柱牛智川郑厚植吴荣汉; 关键词：谐振腔增强型光电探测器量子点

利用C_6H_8O_7/H_2O_2溶液对Al_xGa_(1-x)As/GaAs的选择性腐蚀制作空气腔结构的研究: 2007年; 针对MEMS(micro-electro-mechanical system)工艺中牺牲层的选择性腐蚀问题,提出了一种判断牺牲层是否完全腐蚀的新方法,解决了这一工艺难点。测定了C6H8O7/H2O2溶液对GaAs的腐蚀速率,并采用这种方法选择性腐蚀了一个带有GaAs牺牲层的DBR(distributed bragg reflector)结构,得到一个空气腔结构,结合GaAs的晶体结构,分析了GaAs的各向异性腐蚀特性,为实际MEMS器件的制作奠定了基础。; 李文兵韩勤杨晓红杜云朱彬倪海乔; 关键词：MEMS

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国家自然科学基金(60376025)