公共文化服务平台

n-BN／p-Si薄膜异质结的Ⅰ-Ⅴ特性: 用射频溅射系统制备了BN薄膜,并且用离子注入的方法在BN薄膜中注入S,从而成功制备了n-BN／p-Si薄膜异质结,并研究了异质结的电学性质。注入S的BN薄膜是用13．56 MHz射频溅射系统沉积在p型Si(100)(5-...; 陈浩邓金祥陈光华刘钧锴田凌; 关键词：伏安特性退火温度; 文献传递

c-BN薄膜的生长过程和可重复性的研究: 立方氮化硼(c-BN)是一种低密度、超硬、宽带隙、高热导率、高电阻率、高介电强度、高热稳定性和化学稳定性的Ⅲ-Ⅴ族化合物材料,具有与金刚石相类似的晶体结构。适用于作为超硬刀具涂层,而更为重要的是可被掺杂成为n型和p型半导...; 刘钧锴邓金祥陈浩田凌陈光华; 文献传递

立方氮化硼薄膜的掺杂及金属半导体接触研究: 立方氮化硼(c-BN)是人工合成的Ⅲ-Ⅴ族闪锌矿结构化合物半导体材料,它具有类似于甚至优于金刚石的优良的物理、化学性质而成为人们研究的热点。例如:c-BN的禁带宽度很大(6～6.4eV),可实现n型和p型掺杂(而金刚石的...; 邓金祥满超崔敏康成龙赵卫平; 文献传递

c-BN薄膜的生长过程和可重复性的研究: 用常规射频(RF)溅射系统,采用三步法在p型Si(111)上高重复率地制备出高品质的立方氮化硼(c-BN)薄膜。通过对c-BN薄膜生长过程的分析,找出了传统两步法制备高品质的c-BN薄膜重复率不高的原因。在两步法之前增加...; 刘钧锴邓金祥陈浩田凌陈光华; 关键词：立方氮化硼可重复性射频溅射; 文献传递

氮化硼薄膜的制备和离子注入掺杂: 2006年; 通常人们对氮化硼薄膜的S掺杂,采用的是在氮化硼制备过程中就地掺杂的方法,文中则采用S离子注入方法.氮化硼薄膜用射频溅射法制得.实验结果表明,在氮化硼薄膜中注入S,可以实现氮化硼薄膜的n型掺杂;随着注入剂量的增加,氮化硼薄膜的电阻率降低.真空退火有利于氮化硼薄膜S离子注入掺杂效果的提高.在离子注入剂量为1×1016cm-2时,在600℃的温度下退火60min后,氮化硼薄膜的电阻率为2.20×105 Ω·cm,比离子注入前下降了6个数量级.; 邓金祥陈浩刘钧锴田凌张岩周涛何斌陈光华王波严辉; 关键词：氮化硼薄膜 N型掺杂离子注入

二维MoS2以及Pentacene/MoS2异质结的光学和电学性质: 2018年; 以硫粉末和MoO_3粉末作为原料,通过化学气相沉积法制备出MoS_2薄膜,用光学显微镜、原子力显微镜、喇曼光谱以及X射线衍射谱对所制备的MoS_2薄膜进行表征。结果表明:制备得到的二维MoS_2,其晶体形貌为三角形,尺寸约为60μm,薄膜厚度约为0.7nm;二维MoS_2可以作为理想的表面增强喇曼散射衬底,促进与有机小分子的电子转移,因此两者的喇曼光谱强度均增强。在MoS_2薄膜上沉积有机小分子pentacene制备出具有良好整流特性的有机-无机pentacene/MoS_2异质结,通过分析ln(I/V2)-1/V曲线,发现该异质结存在Fowler-Nordheim隧穿现象,logI-logV曲线显示当电压在0～1V时,电荷传导为欧姆导电,当电压高于1V时,电荷传导由空间电荷限制电流机制主导.研究结果可为单层MoS_2与有机小分子pentacene结合应用于光电领域提供基础.; 白志英邓金祥潘志伟张浩孔乐王贵生; 关键词：异质结化学气相沉积法光电性质

n-BN/p-Si薄膜异质结的I-V特性研究: 氮化硼(BN)薄膜是有着广泛应用前景的Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜,它主要有两个稳定相,即立方氮化硼(c-BN)和六角氮化硼(h-BN)。其中,h-BN有着类似于石墨的层状结构,质地比较软,可以用作润滑剂:另外,h-BN有着很高的...; 陈浩邓金祥刘钧锴田凌陈光华; 文献传递

氮化硼薄膜在退火相变中的应力研究: 利用射频溅射系统在 p 型 Si(100)衬底上制备氮化硼薄膜．对其进行600～1000℃的常压下 N保护退火．通过傅立叶变换红外谱(FTIR)分析,发现 hBN-cBN-hBN 的可逆相变．通过不同温度退火后立方相横光...; 张晓康邓金祥王瑶陈光华郝伟侯碧辉贺德衍; 关键词：氮化硼薄膜退火傅立叶变换红外光谱应力; 文献传递

用射频溅射法制备立方氮化硼薄膜被引量：5: 2006年; 利用射频溅射方法在n型Si(111)衬底上制备出立方相含量接近100%且粘附性较高的立方氮化硼(c-BN)薄膜.傅里叶变换红外谱(FTIR)的结果表明,基底负偏压对薄膜立方相含量和薄膜压应力有很大影响,另外,衬底的电阻率对c-BN生长和薄膜的压应力也有一定的影响.; 田凌丁毅陈浩刘钧锴邓金祥贺德衍陈光华; 关键词：立方氮化硼射频溅射压应力

立方氮化硼薄膜沉积过程的相变研究被引量：2: 2007年; 从能量和结构两个角度分析了BN四种相的转变过程,以及杂质和缺陷对立方氮化硼(c-BN)薄膜制备的影响.研究了从六角氮化硼(h-BN)到c-BN转变的一个可能的过程,即h-BN→菱形氮化硼(r-BN)→c-BN过程.对纯的h-BN到r-BN的转变需要克服一个很高的能量势垒,在实验室条件下很难能够提供能量来越过这个势垒.而从r-BN到c-BN的转变只需要克服一个很低的能量势垒.这个能量势垒要低于从h-BN到纤锌矿氮化硼(w-BN)转变所需要克服的能量势垒.c-BN薄膜的制备过程中,薄膜在高能粒子轰击下,会产生大量的缺陷,这些缺陷对立方相的形成起到了重要的作用,缺陷和杂质的存在大大降低了从h-BN到r-BN转变的能量势垒.根据这个理论模型,在两步法制备c-BN薄膜的基础上,调整实验参数,形成三步法制备高质量c-BN薄膜.主要研究了三步法中第一步的时间和衬底负偏压对c-BN薄膜制备的影响,找到合适的沉积时间和衬底负偏压分别为5min和-180V.采用三步法制备薄膜,可以重复得到高立方相体积分数(立方相体积分数超过80%)的BN薄膜,并且实验重复性达到70%以上.; 陈浩邓金祥刘钧锴周涛张岩陈光华; 关键词：立方氮化硼

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

国家自然科学基金(60376007)