您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(61306090)

作品数:8 被引量:8H指数:2
相关作者:施朝霞李如春曹全君常丽萍朱大中更多>>
相关机构:浙江工业大学浙江大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金浙江省自然科学基金浙江省嘉兴市科技计划项目更多>>
相关领域:电子电信电气工程自动化与计算机技术生物学更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇生物学
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇结深
  • 4篇光电
  • 4篇光电二极管
  • 4篇二极管
  • 3篇荧光
  • 3篇CMOS
  • 2篇荧光传感
  • 2篇荧光传感器
  • 2篇灵敏度
  • 2篇敏度
  • 2篇光传感器
  • 2篇感器
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇电容
  • 1篇电压
  • 1篇压电式
  • 1篇压缩感知
  • 1篇荧光检测
  • 1篇优化设计

机构

  • 9篇浙江工业大学
  • 1篇浙江大学

作者

  • 8篇施朝霞
  • 5篇李如春
  • 3篇曹全君
  • 3篇常丽萍
  • 1篇朱大中

传媒

  • 4篇半导体光电
  • 2篇传感技术学报
  • 1篇浙江工业大学...
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 2篇2017
  • 2篇2015
  • 5篇2014
8 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
基于CMOS工艺的双结深CTIA荧光传感器被引量:2
2014年
基于标准CMOS工艺设计了P+/Nwell/Psub双结深光电二极管,建立了双结深光电二极管的光电响应模型,并用MATLAB仿真比较了单、双结光电二极管的光电响应灵敏度。针对双结深光电二极管分别设计了3T和CTIA有源像素电路,单个像素尺寸为100μm×100μm,采用0.5μm CMOS工艺实现。实验测试了在不同光强下有源像素电路的光电转换特性。双结深光电二极管的峰值灵敏度为0.59 A/W@440 nm,双结深的3T像素光电转换灵敏度为42 V/(lux·s),双结深的CTIA像素光电转换灵敏度为2243 V/(lux·s)。结果表明,采用双结深的CTIA光电传感电路对微弱的光具有更高的光电转换灵敏度,可以应用在环境、生物、医学荧光检测中。
施朝霞朱大中
关键词:荧光传感器
基于全局和局部残差复杂度的帧间模式选择被引量:1
2015年
针对H.264/AVC传统帧间模式选择算法的高复杂度,提出了一种适合各种视频分辨率格式的快速帧间模式选择算法.该算法基于全局残差复杂度(General residual complexity,GRC)和局部残差复杂度(Local residual complexity,LRC),通过GRC与QP来近似计算一个阈值,然后通过对局部残差复杂度跟该阈值比较来决定宏块的活跃度,再根据宏块的活跃度选出候选的帧间模式,由此进行率失真优化(Rate-distortion Optimization,RDO)计算,从而减少了不必要帧间模式的RDO计算,取得了较高的编码效率.实验结果表明,与JM18.4默认的帧间模式选择算法相比,该算法在峰值信噪比和码率基本不变的前提下,可以平均减少大约60%的帧间编码时间.
李如春林宇俊施朝霞
用于生物荧光检测的高灵敏CMOS双结深光电传感器设计
2014年
基于标准CMOS工艺,可实现单结深光电二极管传感器(p+/n-well、n-well/p-sub和n+/p-sub)和双结深光电二极管传感器(p+/n-well/p-sub)。建立了双结深光电二极管传感器的光电响应数学模型,仿真了四种结构的光敏响应。采用上华0.5μm CMOS工艺实现了p+/nwell和p+/n-well/p-sub两种结构,传感面积为100μm×100μm。p+/n-well型结构在400nm波长,60lux光强下光电流为1.55nA,暗电流为13pA,p+/n-well/p-sub型结构在同等条件下光电流为2.15nA,暗电流为11pA。测试表明,设计的双结深光电传感器具有更高的灵敏度,可用于微弱的生物荧光信号检测。
施朝霞李如春
关键词:光电二极管灵敏度CMOS
一种新型集成荧光传感器设计与实现
2014年
基于标准CMOS工艺设计了一种新型的集成荧光传感器,该传感器采用P+/Nwell/Psub双结深光电二极管结构和高灵敏度的电容跨阻抗放大器(CTIA)有源像素电路结构。传感器采用0.5μm CMOS工艺实现,测试结果表明:双结深光电二极管在波长532 nm时具有峰值灵敏度为2×10-8A·m2/W,CTIA有源像素结构在光照6lx、积分时间为310μs时的灵敏度可以达到2243 V/lx·s。该设计表明:采用双结深光电二极管单元的CTIA有源像素电路对微弱的光具有更高的光电转换灵敏度。
施朝霞曹全君常丽萍
关键词:荧光传感器灵敏度
CMOS荧光波长检测芯片的设计与仿真
2017年
双结深光电二极管包括一深一浅两个光电二极管,深、浅pn结光电二极管的光电流比值I_2/I_1随入射光波长单调增加。文章基于0.5μm CMOS工艺对双结深光电二极管深、浅结光电流进行了数学建模和Matlab仿真。设计了片上信号处理电路,将双结深光电二极管深、浅结光电流比值转换成电压输出。仿真结果表明,信号处理电路的输出与ln(I_2/I_1)具有良好的线性关系。单片集成的CMOS波长检测芯片可用于未知荧光的波长检测和特异性分析。
施朝霞吴柯柯李如春曹全君
关键词:CMOS仿真
微型之字形压电式能量收集器输出电压的建模和仿真被引量:4
2015年
为了有效解决无线传感器网络节点的供电难题,提出之字形结构的微型压电式能量收集器。相比于传统的直悬臂梁,此结构等效加大了压电梁的长度,降低了系统的固有振动频率。建立了之字形压电梁的本构方程和受迫振动方程,推导得到其输出电压的频域表达式。基于之字形压电梁的结构,利用ANSYS软件对其进行了谐响应分析。仿真结果表明,压电梁的输出电压在各阶固有振动频率处存在极值,符合理论分析的结果;输出电压大小随压电梁长度增加而降低,随压电梁宽度增加而升高,但均为非线性关系;压电梁末端质量块的长度和厚度、基体层厚度减小时,会导致输出电压的增大。在论文中所提出的结构尺寸下,10根直梁构成的之字形结构压电梁,在其一阶固有振动频率处,输出电压可达10 V以上,符合无线传感器网络节点的实际供电需求,证明了之字形压电梁结构的有效性。
李如春征琦施朝霞
关键词:输出电压
双结光电二极管荧光检测单元暗电流优化设计被引量:1
2017年
双结p+/n-well/p-sub光电二极管由于其较高灵敏度、低暗电流而成为荧光检测光电传感单元的最佳选择。文章基于0.5μm CMOS工艺对双结p+/n-well/p-sub光电二极管进行了版图优化设计,有效减少了硅和二氧化硅界面对光电二极管光吸收区暗电流的影响。流片后测试表明优化后版图面积为100μm×100μm,双结p+/n-well/p-sub光电二极管单元的暗电流从11pA减小到了6.5pA,光电流从2.15nA稍有减弱到2.05nA,光暗电流比值提高了60%。优化后的双结p+/n-well/p-sub光电二极管更适用于对微弱的荧光信号检测。
施朝霞李如春
关键词:暗电流荧光检测
基于CMOS传感芯片的荧光检测系统研究进展
2014年
回顾了荧光检测系统的发展历史,详细阐述了与半导体CMOS技术结合后荧光检测系统微型化的发展过程,包括基于CMOS荧光传感芯片的直接式和间接式荧光检测系统。最后,提出了一种新型的微型化单片集成CMOS荧光传感芯片,为荧光检测系统的设计和应用提供了新思路。
施朝霞常丽萍曹全君
关键词:CMOS
一种基于压缩感知的改进的缺失数据修复算法
图像缺失数据修复是对图像中缺失或者破损的部分进行恢复的过程。该文提出的基于压缩感知理论的图像修复是新颖的图像修复技术,它利用信号的稀疏性,高精度修复缺失信号。改进的图像缺失数据修复算法基于K-SVD字典,先提取出图像数据...
陈泽墅常丽萍
关键词:压缩感知图像修复
文献传递
共1页<1>
聚类工具0