湖南省自然科学基金(03JJY3073)
- 作品数：5 被引量：90H指数：5
- 相关作者：李国栋熊翔黄伯云曾玉林陈招科更多>>
- 相关机构：中南大学襄樊学院更多>>
- 发文基金：湖南省自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：化学工程航空宇航科学技术一般工业技术冶金工程更多>>
- C/C复合材料基TaC涂层低功率激光烧蚀特征被引量：14
- 2005年
- 为研究TaC涂层的高温烧蚀特征和机理,用低功率激光仪对TaC涂层进行了不同时间的烧蚀试验,并用XRD,SEM等观测了该涂层在空气中的氧化与烧蚀过程。结果表明:在大气环境下激光烧蚀的开始阶段是TaC涂层的分解与游离碳向表面扩散,随即氧化生成含碳、氧、钽的熔体,随着时间的延长熔体氧化为低价的钽氧化物,最后生成Ta2O5;熔体在冷却过程中析出Ta2O5针状晶体。在熔体与TaC之间存在1～2μm由细小的晶体和孔隙组成的扩散过渡层,过渡层由碳、氧、钽组成。
- 李国栋熊翔
- 关键词：TAC激光烧蚀烧蚀机理
- TaC陶瓷的强化烧结被引量：9
- 2007年
- 为探索开发低成本TaC陶瓷强化烧结制备工艺,以C、Ta和TaC粉末为原料,经成形、常压烧结制备出TaC陶瓷。结果表明:以C与Ta单质粉末为原料反应烧结时,发生自蔓延反应,产物疏松多孔,不能获得致密TaC陶瓷;纯TaC粉末在2 100℃烧结时为多孔烧结体,相对密度约为78%,孔隙大、量多且相互连通;采用添加少量C与Ta粉末强化烧结TaC坯体时,在2 100～2 300℃可以制备相对密度为91%以上的TaC无裂纹陶瓷;随强化烧结温度提高以及C、Ta粉末添加量的增加,陶瓷晶粒变粗,致密度提高。讨论了添加少量C与Ta粉末在TaC陶瓷烧结过程中的强化烧结机理。
- 曾玉林熊翔李国栋陈招科
- 关键词：TAC多孔陶瓷显微结构自蔓延反应
- 温度对CVD-TaC涂层组成、形貌与结构的影响被引量：43
- 2005年
- 利用TaCl52C3H62H22Ar反应体系,用化学气相沉积法(CVD)成功地在C/C复合材料表面沉积TaC涂层及C2TaC复合涂层。研究了温度对TaC涂层的相组成和表面形貌的影响以及CVD2TaC涂层的沉积机理。结果表明:在1373～1673K温度范围内能够在C/C复合材料表面制备碳化钽涂层,它由TaC和游离碳组成。提高沉积温度和H2/C3H6的流量比,TaC涂层中游离碳的含量减少;随着沉积温度的升高,TaC涂层的颗粒尺寸增大,均匀程度下降;在1573K时颗粒间出现明显的烧结界面,结构致密无裂纹。制备出成分波动的C2TaC复合涂层,该涂层与基体间具有良好的机械相容性。分析了低应力、无裂纹TaC复合涂层的形成机制。
- 李国栋熊翔黄伯云
- 关键词：TAC涂层化学气相沉积相组成
- TaC涂层的氧化特征与氧化机制被引量：13
- 2007年
- 用在空气中氧化、氧炔焰超高温烧蚀等方法对TaC涂层在不同温度的氧化特征与氧化机制进行研究。研究结果表明:TaC在508℃以上开始氧化,在508～690℃时氧化产物为六角Ta2O3固溶体,690～900℃时氧化产物转化为斜方Ta2O5晶体,900～1500℃时氧化产物为斜方Ta2O5,其形态为龟裂或多孔烧结态,未能形成对TaC的隔离保护膜;1500℃氧化时出现部分Ta2O5液相与Ta2O5斜方相共存的现象;在氧炔焰超高温2300℃烧蚀时形成大量的Ta2O5熔体液膜,熔体与TaC的润湿性很好。TaC涂层由低温无熔体情况下界面反应控制机制变为氧通过熔体溶解与扩散的控制机制。
- 李国栋熊翔黄伯云曾玉林
- 关键词：TAC涂层
- 双梯度多层TaC/SiC复合涂层的结构及其低应力分析
- 介绍了在C/C复合材料表面化学气相沉积双梯度多层TaC/SiC复合涂层的结构特征,并分析了其低残余应力、无裂纹的形成机制。
- 李国栋熊翔陈招科曾玉林
- 关键词：C/C复合材料
- 文献传递
- 纳米粉体大气环境团聚机理及无团聚纳米粉体的制备被引量：26
- 2004年
- 分析了纳米粉体的表面结构与粉体间相互作用,研究了大气环境下纳米粉体的团聚机理及防止纳米粉体团聚的方法。研究结果表明:高的比表面积和表面能是纳米粉体团聚的强大动力,但常温下洁净粉体表面的本身结构调整不会导致纳米粉体团聚,只会导致其分散;外来物质(如空气、水等)在表面发生化学吸附与化学反应后,改变了表面结构和相互作用性质,在粉体表面生成具有羟基等新结构,导致粉体间相互吸引(如氢键间的作用力)与化学反应(如—OH基间聚合反应)等行为,是大多数纳米粉体团聚的真正原因。此外,还从原理上论述了真空状态、惰性气体保护及表面改性适合于无团聚纳米粉体的制备方法。
- 李国栋熊翔黄伯云
- 关键词：团聚机理
