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湖北省科技攻关计划(2003AA101C50)
作品数:
1
被引量:7
H指数:1
相关作者:
武七德
鄢永高
吉晓莉
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相关机构:
武汉理工大学
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1篇
2005
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掺加SiC片晶对反应烧结SiC性能的影响
被引量:7
2005年
以液Si浸渗SiC片晶和C的坯体制备了SiC片晶增韧反应烧结SiC陶瓷材料,讨论了SiC片晶的掺加分数及烧结温度对材料显微结构和力学性能的影响,并比较了所得材料与传统反应烧结材料的力学性能。结果表明,当烧结温度较低时,SiC片晶在烧结体中仍以片晶的形态存在;而当烧结温度提高到1 800℃后,SiC片晶明显向SiC颗粒转变。与传统材料相比,掺加质量分数为40%SiC片晶制备的材料,材料抗折强度由300 MPa左右提高到587 MPa,断裂韧性由3.5MPa.m1/2提高到4.6 MPa.m1/2。
吉晓莉
鄢永高
武七德
关键词:
片晶
SIC
抗折强度
断裂韧性
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