国家自然科学基金(60478010)
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
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- 有限深V型势阱中总折射率的改变(英文)被引量：2
- 2006年
- 研究了有限深V型势阱折射率改变,并且利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代法导出了一次,三次谐波极化率系数·最后,以GaAs有限深V型势阱为例作了数值计算·数值结果表明,减少入射光强度,或增加电子浓度使总折射率改变变大·
- 陆志恩郭康贤
- 关键词：谐波产生
- 双量子阱中的子带光吸收(英文)
- 2005年
- 由于微制造技术的不断发展,如液相外延(LPE), 气相外延(VPE),金属有机化学气相沉积(MOCVD)以及分子束外延技术(MBE)等先进的材料生长技术方法也日趋完善,从而使得各种低维半导体量子器件(如半导体、超晶格、量子阱、量子线和量子点等)制造日趋成熟。由于这些低维半导体量子器件具有很强的非线性光效应,而且随着材料、外形、尺寸等的不同,非线性光效应也有很大的差别,更由于其可能存在的广泛的应用前景,所以近年来,一直是人们研究的重点。近来,由于人们相信,利用GaAs/AlGaAs量子阱有可能制造出一些新型的光学仪器,如光开关、光限幅器、光调制器等,所以,对不同势形的GaAs/AlGaAs量子阱的非线性光学特性一直吸引着人们进行理论和实验的研究。而在最近几年,对双量子阱的研究也成为了人们的研究重点。通过密度矩阵和迭代的方法,得到双量子阱中的第一、第三阶子带光吸收表达式,我们将用一个典型的GaAs/AlGaAs双量子阱代入其中进行数值计算,并进行讨论。我们的计算结果显示,阱的光吸收峰不但与中间的势垒宽度有关,更与入射光强有关。
- 邓永晴郭康贤于凤梅俞友宾王瑞强
- 关键词：双量子阱
- 激子效应对抛物量子点中光电导的影响(英文)
- 2007年
- 利用记忆函数方法研究了抛物量子点中的光电导,并导出了光电导的解析表达式.以典型的GaAs/Ga1-xAlxAs抛物量子点为例作了数值计算,结果表明,在弱耦合区域,随着抛物势频率的增加,光电导会随之增强,而在强耦合区域,光电导会随之减弱;在弱耦合区域,随着抛物势频率的增加,光电导峰会向左漂移,而且抛物势频率越大,光电导曲线越不对称;考虑了激子效应后的光电导比未考虑激子效应的光电导大了10%以上.
- 郭康贤
- 关键词：抛物量子点激子
- Morse势阱中线性和三阶非线性光折射率的改变被引量：4
- 2005年
- 利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法,导出莫尔斯(Morse)势阱中线性和三阶非线性光折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/A lGaAsMorse势阱为例进行数值计算。数值结果表明,随着入射光强度增强,总的折射率改变将减少;随着势阱参数a的增大,总的折射率改变将减小;而随着载流子浓度的增加,总的折射率改变将增加。结果表明要获得较大的折射率改变,则需选取较小的入射光强度,较小的参数a,较大的载流子浓度,从而为实验研究提供理论依据。
- 于凤梅郭康贤王克强
- 关键词：非线性光学MORSE势阱密度矩阵方法
- 非对称量子阱中二次极化率的研究(英文)
- 2008年
- 利用密度矩阵的方法研究了一种非对称量子阱的光学非线性,推导出了二次谐波解析表达式,最后利用典型的GaAs/AlGaAs非对称量子阱进行数值计算.数值结果表明,当非对称性增大时,可得到比较大的二次谐波,从而为实验上制作比较大的非线性材料提供一种可行办法.
- 郑允宝郭康贤刘佐濂张超金李斌
- 关键词：密度矩阵非线性
