上海市科学技术委员会资助项目(1052nm07000)
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
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- 相关机构：中国科学院中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于0．13μm工艺的8Mb相变存储器被引量：4
- 2011年
- 采用0.13μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8Mb相变存储器。1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50F2。外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路。Set和Reset操作电流分别为0.4mA和2mA。读出操作的电流为10μA,芯片疲劳特性次数超过了108。
- 蔡道林陈后鹏王倩丁晟富聪陈一峰宏潇李喜陈小刚刘波宋志棠封松林
- 关键词：相变存储器
- 相变存储器中灵敏放大器的设计被引量：2
- 2012年
- 设计了一种用于相变存储器(PCRAM)的全对称差分灵敏放大器电路,该电路采用预充电技术、限幅电路和防抖动电阻,具有抗干扰能力强、灵活性好、系统性失配小等优点。基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个8Mb的PCRAM测试芯片,并进行了流片。测试结果表明,设计的电路在读周期为2μs时能达到很好的读出效果。
- 张怡云陈后鹏龚亮王倩蔡道林陈一峰宋志棠
- 关键词：相变存储器灵敏放大器预充电
- 基于PCRAM的射频标签模拟前端关键电路设计
- 2012年
- 基于相变存储器,对无源超高频电子标签模拟前端四个关键电路进行低功耗设计。整流电路采用9级电荷泵,结合储能电容和过压保护电路,得到了很好的整流效果。上电复位电路在箝位电路的基础上利用简单的缓冲器及异或逻辑,得到性能良好的矩形脉冲复位信号PORB,通过PMOS栅交叉耦合,极大地降低了电路静态电流(<1nA)。在基准电源电路中,设计了双极晶体管和MOS晶体管,兼具功耗低和准确性高的优势。稳压电路采用串联稳压结构,电源抑制比达到28.2dB。仿真结果显示,功耗达到nA级,输出直流电压为3V。
- 王兆敏蔡道林陈后鹏宋志棠傅忠谦
- 关键词：相变存储器电子标签模拟前端
- 用于相变存储器的超低输出纹波电荷泵被引量：2
- 2012年
- 针对相变存储器编程操作对电荷泵低输出纹波与高瞬态响应速度的要求,提出了一种超低输出电压纹波的开关电容型电荷泵。相比于传统开关电容型电荷泵,在充电阶段,由电压比较器控制泵电容充电时间,泵电容被充电至预先设定的电压值Vo Vin后停止充电,其中Vo为预期输出电压,Vin为输入电源电压;放电阶段,泵电容串联在输入电源Vin与电荷泵输出端,泵电容上极板电压自然地被提升至Vo并向外部负载输出电流。通过该方法固定电荷泵输出电压,可有效地消除由于电容间电荷分享所造成的输出纹波,并兼顾了高瞬态响应速度。使用中芯国际0.18μm标准CMOS工艺模型进行仿真验证,结果表明新结构的电荷泵在输入电压为2.2～4.8 V间,输出5 V电压,10 mA负载电流,输出纹波低于3 mV,电源效率最高可达88%。
- 富聪宋志棠陈后鹏蔡道林王倩宏潇
- 关键词：电荷泵DC-DC相变存储器
- 基于编程电流／电压的相变存储器写驱动电路
- 2013年
- 相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流和电压脉冲编程的写驱动电路。针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波。设计采用SMIC 130nm CMOS标准工艺库。对相变存储单元进行了测试,结果表明,用电流梯度波写驱动电路替代传统单一脉高电流脉冲波写驱动电路,相变存储器的低阻分布更加集中,可提高实验芯片的成品率。
- 范茜陈后鹏许伟义王倩蔡道林金荣宏潇李喜陈一峰宋志棠
- 关键词：相变存储器阶梯波
- 一种适用于相变存储器锁相环时钟的新型电荷泵
- 2013年
- 设计了一款低噪声、低功耗的电荷泵,适用于相变存储器驱动电路中的锁相环时钟。与其它结构的电荷泵相比较,此款电路对时钟馈通与电荷注入等干扰免疫力强。根据相变存储器对驱动电路低噪声的性能要求,本电路具有低的热噪声和1/f噪声。仿真结果表明输出电压在0℃～80℃温度范围内最大仅有11mV的偏差,其与PFD所产生的相位噪声在1MHz频率下为-102dB。电路采用40nm CMOS工艺设计,电源电压2.5V,功耗0.125mW,芯片面积60 m×55 m。
- 宏潇陈后鹏宋志棠刘波
- 关键词：电荷泵锁相环相位噪声相变存储器
- 一种具有掉电数据保持功能的触发器设计
- 2012年
- 提出了一种用相变器件作为可擦写存储单元的具有掉电数据保持功能的触发器电路.该触发器由四部分组成:具有恢复掉电时数据的双置位端触发器DFF、上电掉电监测置位电路(Power On/Off Reset)、相变存储单元的读写电路(Read Write)和Reset/Set信号产生电路,使之在掉电时能够保存数据,并在上电时完成数据恢复.基于0.13μm SMIC标准CMOS工艺,采用Candence软件对触发器进行仿真,掉电速度达到0.15μs/V的情况下,上电时可以在30ns内恢复掉电时的数据状态.
- 张怡云陈后鹏王倩许伟义金荣宋志棠
- 关键词：相变存储器触发器
