公共文化服务平台

共 5 条记录，以下是 1-5

全选清除导出

排序方式：

月季eIF5A基因的表达提高毕氏酵母高温和氧化胁迫的抗性被引量：3: 2010年; 对月季(Rosa chinensis)真核起始因子5A基因(RceIF5A)进行洋葱表皮亚细胞定位,结果显示RceIF5A主要定位于细胞质中.经Southern杂交分析得出该基因在月季基因组中为单拷贝.用RT-PCR方法研究该基因在多种非生物胁迫下的表达模式,初步推断该基因与高温,氧化和渗透胁迫有关.将该基因转入真核模式生物毕氏酵母(Pichia pastoris)SMD1168中,通过各种胁迫处理及生长势测定分析,证明该基因的表达能够提高宿主菌的高温和氧化胁迫抗性.; 徐健遥蒋昌华石金磊明凤; 关键词：EIF5A 月季毕氏酵母氧化胁迫

水稻OsFAD2、OsFAD6的克隆及其家族成员对非生物胁迫的响应被引量：10: 2010年; 植物中的不饱和脂肪酸由脂肪酸去饱和酶(Fatty acid desaturase,FAD)合成,它在植物的生长发育以及植物非生物胁迫方面起着重要的作用。文章采用RT-PCR方法,从水稻日本晴(Oryza sativa L.)中克隆了分别与FAD2、FAD6同源的脂肪酸脱氢酶序列,命名为OsFAD2和OsFAD6。OsFAD2的ORF为1 167 bp,推测其编码蛋白含有388个氨基酸,等电点为8.17,分子量为52.24 kDa,C端有内质网定位序列;OsFAD6的ORF长度为1 365 bp,推测编码454个氨基酸的蛋白质序列,分子量44.35 kDa,等电点为9.24,推测N端38个氨基酸为叶绿体导肽。两者都具有膜整合脂肪酸去饱和酶特有的3个组氨酸簇。RT-PCR分析表明,OsFAD2和OsFAD6在水稻所有器官中都表达,在叶中表达量为最高。在水稻FAD基因家族中,叶中OsFAD2、OsFAD6的mRNA对低温不响应,而OsFAD7和OsFAD8的mRNA在低温下上升。水稻叶中OsFAD2、OsFAD6、OsFAD3和OsFAD7的mRNA表达具有昼夜节律性,在光照下表达量低,而在随后的黑暗中表达量高,OsFAD6和OsFAD7 mRNA表达的昼夜节律性可能与水稻幼苗叶片中NADPH量的改变有关。; 曹英萍石金磊李钟明凤; 关键词：水稻脂肪酸去饱和酶非生物胁迫昼夜节律表达谱

用ISSR分子标记技术分析16个蝴蝶兰品种的亲缘关系研究被引量：18: 2010年; 从DNA提取、退火温度、扩增循环数、镁离子浓度等方面对ISSR-PCR反应体系的条件进行了优化,筛选出8个引物,共扩增出193条片段（多态性条带比例为92.2%）,所扩增的条带数分布范围为300-2 500bp,表明供试品种间具有丰富的遗传多态性。聚类分析结果表明：来源于不同地域的16个品种在遗传距离L=0.222 5处可分为2个类群;来源于日本、台湾的品种分别聚类为一簇,公司新育成的品种为一簇。根据分子标记确定的亲缘性远近提出了可能的杂交组合。蝴蝶兰ISSR分子标记优化体系的建立为兰科类观赏植物的亲缘关系分析提供了理论依据。; 李敏王尧峰明凤; 关键词：ISSR 亲缘关系分子育种

月季RcHSP17.8基因表达提高大肠杆菌对非生物胁迫的耐性被引量：4: 2009年; 月季RcHSP17.8为编码小分子热激蛋白基因,Southern检测其在月季基因组中为多拷贝存在。38℃/3h热激处理后,该基因在耐热月季品种‘曼海姆宫殿’(Schloss Mannieim)、‘彩虹’(Radio)、‘赌城’(Las Vegas)、‘梅郎随想曲’(Capricede Meiland)、‘小女孩’(Girl)中强表达,而在不耐热品种‘新十全’(Kordes Perfecta)、‘绯扇’(Hiogi)、‘莱茵黄金’(Pfalzer Gold)中弱表达或不表达,表明该基因与月季耐热性关系密切。为确定月季RcHSP17.8基因功能,将其转化E.coliBL21,结果表明重组菌株能正常诱导表达包含RcHSP17.8的融合蛋白,并因此提高了重组菌株对高温、低温、高盐、高pH、重金属、氧化等非生物胁迫的耐性,表明RcHSP17.8参与了上述非生物胁迫的响应。; 蒋昌华胡永红徐健遥张浩石金磊李敏王雅琼明凤; 关键词：月季非生物胁迫

蝴蝶兰PhAP3基因的表达特性研究被引量：11: 2010年; 为了探索蝴蝶兰中MADS盒基因在花发育过程中对花器官发育的调控机制,目前从蝴蝶兰中克隆出一个MADS盒基因家族B族基因PhAP3,并对其进行了序列分析和基因表达研究.聚类分析结果表明PhAP3是拟南芥AP3基因的同源基因,但基因表达分析表明PhAP3可以在植物的营养器官和生殖器官中均有表达,这与典型的AP3类基因有所不同.; 张浩郭滨李敏韩颖颖明凤; 关键词：MADS盒基因

全选清除导出

共1页<1>

国家高技术研究发展计划(2008AA10Z116)