国家自然科学基金(60806045)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 相关作者：蔡雅楠梁大宇崔灿唐为华沈洪磊更多>>
- 相关机构：浙江理工大学北京邮电大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省大学生科技创新项目浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 硅纳米晶/SiO2多层薄膜的制备
- 2012年
- 采用射频磁控溅射结合后续热处理方法制备了镶嵌在SiO2基质中的Si纳米晶（nanocrystalline silicon,nc-Si）薄膜,实验结果表明,在单层nc-Si薄膜中,随着硅含量的增加,Si纳米晶的尺寸、分布密度也增加;在多层nc-Si/SiO2薄膜中,SiO2层会起到限制nc-Si层中Si纳米晶生长的作用,使多层结构中Si纳米晶的尺寸分布更加集中。
- 蔡雅楠梁大宇崔灿唐为华
- 关键词：硅纳米晶射频磁控溅射
- 热处理对富硅氧化硅薄膜中硅纳米晶形成的影响被引量：1
- 2012年
- 采用磁控溅射法制备了富硅氧化硅薄膜,然后分别经过一步热处理、两步热处理和快速热处理制备了镶嵌有硅纳米晶的氧化硅薄膜.实验结果表明,在硅含量为～42.63 at.%的富硅氧化硅薄膜中,三种热处理均能形成10^(12)/cm^2量级的硅纳米晶.其中在两步热处理中,硅纳米晶的密度最高,达到2.2×10^(12)/cm^2,并且尺寸均匀、结晶完整性好;一步热处理后的样品中,硅纳米晶密度较低,并且部分纳米晶结晶不充分;快速热处理后的样品中,硅纳米晶密度最低、尺寸分布不均匀,并且存在孪晶结构.分析认为,热处理初始阶段的形核过程对纳米晶的密度及微观结构有着重要的影响,两步热处理中的低温段促进了纳米晶的成核,有助于形成高密度高质量硅纳米晶.
- 蔡雅楠崔灿沈洪磊梁大宇李培刚唐为华
- 关键词：硅纳米晶氧化硅薄膜
