河南省教育厅自然科学基金(2006700014)
- 作品数：5 被引量：18H指数：3
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- Sm元素对BiFeO_3介电性能的影响
- 2010年
- 采用快速液相烧结法制备Bi1-xSmxFeO3(x=0,0.05,0.1)系列陶瓷样品,对样品的晶体结构、介电性能进行研究.结果表明:Bi1-xSmxFeO3陶瓷样品均为三方钙钛矿结构;室温下,掺杂适量的Sm3+可以改善BiFeO3样品的介电性能,且随着掺杂样品介电常数的显著提高,介电损耗明显减小.
- 宋桂林田亚芳王昕杜丽军浩洁王晶晶李涛
- 关键词：BIFEO3介电常数介电损耗
- 烧结温度对Bi_(0.7)Ba_(0.3)FeO_3陶瓷介电、铁电特性影响被引量：5
- 2009年
- 用固相反应法在不同烧结温度下制备了Bi0.7Ba0.3FeO3陶瓷样品,研究了烧结温度对Bi0.7Ba0.3FeO3陶瓷结构、介电和铁电特性的影响.运用XRD进行物相分析可知,Bi0.7Ba0.3FeO3陶瓷样品为正交结构,主衍射峰与纯相BiFeO3一致,烧结温度在870℃以上时样品有良好的结晶度,电阻率达到108Ω?数量级.在一定的温度区间内,介电常数随烧结温度的升高而增大.在低频区830℃烧结的样品的介电损耗比较大,而对应于870℃和900℃两个烧结温度的样品介电损耗有了明显的减小;在高频区介电损耗对烧结温度的依赖性不大.样品的交流电导率随烧结温度的升高而增大.在900℃烧结的Bi0.7Ba0.3FeO3样品的Pr值可达到113.11μc/cm2,远大于纯相BiFeO3.通过Ba2+的A位掺杂进一步提高了纯相BiFeO3的介电、铁电性能.
- 常方高于伏娟刘越奇叶云哲宋桂林王昕
- 关键词：烧结温度铁电性
- 氧含量对BiFeO_δ多晶陶瓷介电特性的影响被引量：10
- 2007年
- 采用固相反应法制备了不同含氧量的BiFeOδ多晶陶瓷样品,利用HP4294A阻抗分析仪测量了样品的介电特性随频率和氧含量的变化,用正电子湮没寿命谱学的方法研究了样品中因氧含量的变化所引起的结构缺陷.实验结果表明:引入氧空位和氧填隙离子缺陷都会使介电常数减小,而介电损耗则随氧含量的增加而增加,二者的变化范围均在10%—35%之间;对不同氧含量的BiFeOδ样品,介电常数和介电损耗随测量频率的增加而减小.氧空位的引入使得局域电子密度变小,正电子平均寿命τm增加.在氧含量δ=2.99时电子密度最大(ne=3.90×1023/cm3),继续增加氧含量对正电子寿命与局域电子密度的影响不大.BiFeOδ样品的介电常数和介电损耗随氧含量的变化可以在空间电荷限制电导的框架下来理解.
- 常方高宋桂林房坤王照奎
- 关键词：氧含量正电子寿命介电损耗
- Ho掺杂BiFeO3陶瓷的制备及介电性能被引量：7
- 2010年
- 采用快速液相烧结法制备Ho掺杂BiFeO3系列陶瓷样品Bi1–xHoxFeO3(x=0,0.05,0.1,摩尔分数),X射线衍射物相分析表明:样品均为三方钙钛矿结构,掺杂微量的Ho3+可以有效消除样品中的Bi2Fe4O9杂相,获得单相Bi0.95Ho0.05FeO3。用HP4294A精密阻抗分析仪测量样品介电特性随频率、温度及偏置电压的变化关系,结果表明:Ho掺杂样品的室温相对介电常数(εr)比未掺杂的显著提高,测量频率为40Hz时,Bi0.9Ho0.1FeO3陶瓷样品的εr提高了1个数量级;观测到样品的介电峰,掺杂后介电峰向低温移动且强度显著增加,表明Ho掺杂在降低样品反铁磁Néel温度的同时增强了磁电耦合效应。讨论样品εr随偏置直流电压的变化关系,掺杂后出现明显的介电回滞现象,Ho掺杂可提高样品的剩余极化强度,改善样品的铁电性质。
- 常方高胡棚王丹丹宋桂林朱美玲
- 关键词：掺杂介电特性偏置电压
