国家重点基础研究发展计划(2003CB314903)
- 作品数：26 被引量：42H指数：3
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- 相关机构：中国科学院武汉光迅科技股份有限公司中国科学院研究生院更多>>
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- 离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响被引量：3
- 2008年
- 采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注入剂量5×1014cm-2和450℃退火1min.结果显示随着电流限制孔径的缩小,器件的电阻呈线性增大;电流限制孔径的形成显著增强1.3μm面发射器件结构的电致发光强度,孔径为15μm的样品是没有限制孔径样品的4倍(注入电流3mA),并就电流限制孔对EL器件结构电致发光的影响进行了物理解释.
- 刘成曹春芳劳燕锋曹萌吴惠桢
- 关键词：离子注入
- 直接键合微腔结构的光谱特性
- 2006年
- 采用直接键合方法制备了法布里-珀罗共振微腔结构,并用传输矩阵方法对其反射光谱进行了理论模拟.通过构造键合界面两侧多层薄膜材料的光学厚度呈现指数规律变化的模型,分析了键合效应对微腔结构光学特性的影响.结果表明:在较低退火温度下(如580℃)进行直接键合有利于高光学性能微腔结构的制备,而提高退火温度则需要在键合结构中加入缺陷阻挡层以提高键合质量.
- 劳燕锋吴惠桢黄占超刘成曹萌
- 关键词：晶片直接键合反射光谱
- SG-DBR激光器波长自动测试控制系统被引量：7
- 2007年
- 基于LabVIEW虚拟仪器平台,研制了一套可调谐取样光栅分布布拉格反射式(Sampled Grating Distributed Bragg Reflector,SG-DBR)激光器的波长自动测试控制系统。该系统能对四段式SG-DBR激光器进行电流扫描,采集、分析其输出光谱,生成SG-DBR激光器的“波长-电流”数据查询表;并且通过调用数据查询表,实现对SG-DBR激光器输出波长的控制。
- 陈磊张靖张瑞康江山毛谦
- 关键词：波长控制虚拟仪器
- SGDBR激光器中取样光栅的理论和实验研究被引量：2
- 2008年
- 讨论了取样光栅分布布拉格反射激光器(SGDBR)中取样光栅对激光器调谐范围、输出功率和光谱质量的影响,介绍了其设计流程,并据此对SGDBR进行了实验研究.其取样光栅的反射谱和设计相符,且在30nm准连续调谐范围内边模抑制比都大于30dB.
- 董雷张瑞康王定理张靖陈磊江山赵圣之余永林刘水华
- 关键词：取样光栅
- 气态源分子束外延1.3μm VCSEL器件结构被引量：3
- 2005年
- 采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP(100)衬底上生长了InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱为有源层和InP/InGaAsP分布布拉格反射镜(DBR)为上、下腔镜的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构。通过湿法刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作出了1.3μmVCSEL,器件在室温下可连续单模激射,阈值电流约为4mA。实验测得的VCSEL结构反射光谱包括高反射带和腔模等参数与传递矩阵法拟合的反射光谱相符合;边发射电致发光谱的增益峰与腔模位置一致。
- 刘成吴惠桢劳燕锋黄占超曹萌
- 关键词：垂直腔面发射激光器气态源分子束外延光电特性
- 1.31μm垂直腔面发射激光器材料生长及其物理特性
- 2005年
- 采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱结构组装到GaAs衬底上生长的DBR结构上,对其微结构和发光等特性进行了比较系统的研究.发现500～620℃的高温键合过程和后续的剥离工艺不仅没有引起量子阱发光效率的降低,反而由于键合过程中的退火改进了晶体质量,大大提高了量子阱的发光强度,其中620℃退火处理后的光致发光强度是原生样品的3倍.
- 吴惠桢黄占超劳燕锋
- 关键词：键合
- 离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理
- 2006年
- 采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面使量子阱表面变粗糙,使出射光逃逸几率增大;另一方面Ar离子隧穿引起的量子阱内部微结构变化则是发光效率提高的主要原因。
- 吴惠桢曹萌劳燕锋刘成谢正生曹春芳
- 关键词：半导体刻蚀应变多量子阱
- 干法刻蚀对InAsP/InGaAsP应变多量子阱发光特性的影响
- 2007年
- 采用气态源分子束外延(GSMBE)生长了具有不同阱宽的InAsP/InGaAsP应变多量子阱,并对干法刻蚀前、干法刻蚀及湿法腐蚀不同厚度覆盖层后的多量子阱光致发光(PL)谱进行了表征.测量发现干法刻蚀量子阱覆盖层一定厚度后量子阱光致发光强度得到了明显的增强.这与干法刻蚀后量子阱覆盖层表面粗糙度变化及量子阱内部微结构变化有关.
- 曹萌吴惠桢劳燕锋刘成谢正生曹春芳
- 关键词：干法刻蚀应变量子阱光致发光谱
- 掩埋隧道结在长波长VCSEL结构中的应用被引量：3
- 2006年
- 采用气态源分子束外延技术在InP(100)衬底上分别生长了δ掺杂的p+-AlIn-As-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p+-AlInAs-n+-InP隧道结性能优于p+-InP-n+-InP隧道结.在InP(100)衬底上生长了包含p+-AlInAs-n+-InP掩埋隧道结和多量子阱有源层的1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,测试得出其开启电压比普通的pin结VCSEL小,室温下其电致发光谱波长为1.29μm.
- 刘成吴惠桢劳燕锋黄占超曹萌
- 关键词：隧道结垂直腔面发射激光器光电特性
- 离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理
- 采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对 InGaN／AlGaN、InAsP／InP应变多量子阱和InAsP／ InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致...
- 吴惠桢曹萌劳燕锋刘成谢正生曹春芳
- 关键词：半导体刻蚀应变多量子阱
- 文献传递
