教育部科学技术研究重点项目(208109)
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 相关作者：王华许积文黄小丹冯湘杨玲更多>>
- 相关机构：桂林电子科技大学郑州铁路职业技术学院更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目广西省自然科学基金广西研究生教育创新计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学化学工程更多>>
- La、Nb掺杂对Bi_4Ti_3O_(12)薄膜介电性能和C-V特性的影响被引量：1
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶工艺制备了Bi4-xLaxTi3O12和Bi4Ti3-yNbyO12铁电薄膜,研究了La、Nb掺杂对薄膜介电性能和C-V特性的影响。研究表明,在x<0.75、y<0.06范围内,随La、Nb掺杂量的增加,Bi4-xLaxTi3O12和Bi4Ti3-yNbyO12薄膜的介电常数和C-V特性曲线回滞窗口增大,介电损耗和漏电流密度减小。x>0.5时,Bi4-xLaxTi3O12薄膜可获得大于1.8V的C-V回滞窗口,且经1010极化开关后其回滞窗口的减小未超过6%;而Nb掺杂对增大Bi4Ti3-yNbyO12薄膜C-V回滞窗口的作用更加明显,但经1010极化开关后,其回滞窗口的减小较为明显,并出现一定平移。
- 冯湘王华
- 关键词：介电性能漏电流C-V特性
- Nb掺杂对Bi4Ti3O12陶瓷铁电性能的影响被引量：2
- 2009年
- 采用固相反应法制备了Bi4Ti3-xNbxO12+x/2(x=0～0.090,BTN)铁电陶瓷,研究了Nb掺杂量对BTN陶瓷铁电性能的影响。结果表明,适量的Nb掺杂可显著提高材料的剩余极化强度Pr,一定程度上降低矫顽场强Ec,并减小BTN陶瓷的平均晶粒尺寸(1～2μm)。当x=0.045时,陶瓷的综合性能较好,即有较高的2Pr(0.27×10–4C/cm2)和较小的2Ec(7.43×104V/cm),其剩余极化强度与未掺Nb的Bi4Ti3O12陶瓷相比,提高了近3.8倍。
- 黄小丹冯湘王华许积文杨玲
- 关键词：无机非金属材料铁电陶瓷BI4TI3O12
- Nb掺杂Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷的微结构与介电性能研究
- 2009年
- 采用固相烧结工艺制备了Nb掺杂的Bi4Ti3O12(BIT)铁电陶瓷。用XRD和AFM对其微观结构进行了分析,研究了Nb掺杂对材料微观结构和介电性能的影响。结果发现,微量Nb的掺入并未改变BIT的晶体结构,但可减小陶瓷的晶粒尺寸并降低材料的居里温度。同时,Nb的掺入大大降低了BIT陶瓷的介电常数并削平了BIT陶瓷的介电损耗峰,适当掺杂Nb可明显降低BIT陶瓷的介电损耗。
- 黄小丹王华任明放许积文杨玲
- 关键词：铁电陶瓷介电性能BIT微结构
- Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的制备及研究进展
- 2008年
- 铁电薄膜具有良好的铁电、介电性能,在非挥发存储器件方面有很好的应用前景。本文介绍了钛酸铋(Bi4Ti3O12)铁电薄膜的研究现状,对目前Bi4Ti3O12铁电薄膜最常用的几种主要制备方法及其掺杂改性进行了评述,指出了Bi4Ti3O12铁电薄膜研究中亟待解决的几个问题。
- 黄小丹许积文
- 关键词：BI4TI3O12铁电薄膜掺杂
