国家自然科学基金(5080305)
- 作品数：2 被引量：7H指数：2
- 相关作者：马寒冰徐光亮罗庆平刘桂香查忠勇更多>>
- 相关机构：西南科技大学中国人民解放军后勤工程学院更多>>
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- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 稀土氧化物Pr_2O_3掺杂对高压ZnO压敏电阻性能的影响被引量：3
- 2013年
- 采用低温固相化学反应法制备了Pr2O3掺杂的ZnO纳米复合粉体,并用此粉体在不同烧结温度下制备了高压ZnO压敏电阻。采用X射线衍射、比表面测试、透射电镜、扫描电镜等手段对制备的ZnO纳米复合粉体及高压ZnO压敏电阻进行了表征,并与未掺杂ZnO压敏电阻进行了对比研究,探讨了稀土氧化物Pr2O3掺杂对高压ZnO压敏电阻电性能的影响机制。结果表明:较低的烧结温度(1030～1130℃)时,掺杂的稀土氧化物Pr2O3偏析于ZnO晶界中,有活化晶界、促使晶粒生长的作用;同时,Pr2O3掺杂导致1080℃烧结的ZnO压敏陶瓷体中晶体相互交织形成晶界织构,比未掺杂的更均匀和致密,这有助于高压ZnO压敏电阻晶界性能的改善,从而提高其综合电性能。当烧结温度为1080℃时,Pr2O3掺杂的高压ZnO压敏电阻的综合电性能最佳:电位梯度为864.39V/mm,非线性系数为28.75,漏电流为35μA。
- 刘桂香徐光亮罗庆平查忠勇马寒冰
- 关键词：掺杂ZNO压敏陶瓷纳米复合粉体
- 共沉淀法制备ZnO基纳米复合粉体及高压ZnO压敏电阻的电性能被引量：4
- 2012年
- 以金属离子盐为原料,氨水、乙醇胺为沉淀剂,十二烷基苯磺酸钠、聚乙二醇2000为表面改性剂,采用共沉淀法制备ZnO基纳米复合粉体。以共沉淀法最佳工艺所得粉体制备高压ZnO压敏电阻。采用热重–差示扫描量热分析、X射线衍射、扫描电子显微镜、激光粒径分析对ZnO基复合前驱体及ZnO基纳米复合粉体进行表征,探讨了沉淀剂种类、溶液pH值、Zn2+起始浓度和表面改性剂对粉体粒度的影响。结果表明:以氨水为沉淀剂、溶液体系pH值为6.0、Zn2+浓度为1.0mol/L、聚乙二醇2000为表面改性剂时可制备出粒径分布窄、平均粒径为89nm的ZnO基复合粉体。用该粉体制备的高压ZnO压敏电阻的平均电位梯度为543V/mm,非线性系数为29.3,漏电流为49μA。通过共沉淀工艺,可制备出电性能优良的高压ZnO压敏电阻。
- 刘桂香徐光亮罗庆平马寒冰
- 关键词：共沉淀法纳米粉体
