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江苏省科技厅基金(BG2007026)

作品数:12 被引量:49H指数:4
相关作者:曾祥华张俊兵王书昶崔磊范玉佩更多>>
相关机构:扬州大学扬州华夏集成光电有限公司宿迁学院更多>>
发文基金:江苏省科技厅基金宿迁学院科研基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 5篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇机械工程

主题

  • 4篇二极管
  • 4篇发光
  • 4篇发光二极管
  • 3篇密度泛函
  • 3篇密度泛函理论
  • 3篇光学
  • 3篇泛函
  • 3篇泛函理论
  • 3篇LED
  • 2篇有限元
  • 2篇有限元法
  • 2篇结构和光学性...
  • 2篇光效
  • 2篇光效率
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性质
  • 2篇分子
  • 2篇ALGAIN...
  • 2篇GAN
  • 2篇出光

机构

  • 13篇扬州大学
  • 5篇扬州华夏集成...
  • 3篇宿迁学院
  • 1篇常熟理工学院
  • 1篇浙江大学

作者

  • 13篇曾祥华
  • 6篇张俊兵
  • 3篇王书昶
  • 3篇金豫浙
  • 3篇崔磊
  • 2篇范玉佩
  • 2篇胡永金
  • 2篇季正华
  • 2篇董雅娟
  • 1篇陈海涛
  • 1篇张萱
  • 1篇赵江
  • 1篇李伙全
  • 1篇李建华
  • 1篇刘剑霜
  • 1篇王小娟
  • 1篇谭明秋
  • 1篇林岳明
  • 1篇徐秀莲
  • 1篇刘海平

传媒

  • 6篇物理学报
  • 2篇半导体技术
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇发光学报
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇中国科学(G...

年份

  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
AlGaInP LED出光效率的模拟被引量:3
2009年
采用有限元法来模拟研究采用透明电极AlGaInP LED出光效率的影响因素和分布情况,并在此基础上对不透明电极进行优化以提高芯片的出光效率。研究发现,随着窗口层厚度的增加,顶面出光效率有所下降,侧面出光效率大大提高,总出光效率呈上升趋势,且总出光效率的最高分布区从芯片的四个直角区域向中央圆形电极边缘靠近。然而,随着芯片尺寸的增加,其变化趋势正好与之相反。在此基础上进一步对普通生产芯片进行模拟分析,得知其光提取效率最高区主要分布在芯片的四个直角区域,并以此为指导进行不透明电极形状的优化,进而对其条形电极的宽度进行优化,可使所获得的出光效率比传统圆形电极提高了62.85%,能够为实际生产提供一定的理论指导。
林岳明张俊兵曾祥华
关键词:ALGAINPLED出光效率有限元法
高压下ZnSe的电子结构和光学性质被引量:7
2008年
运用密度泛函理论体系下的平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,利用第一性原理计算了不同的压强下ZnSe晶体闪锌矿结构,得到了它的平衡晶格常数、总能量、电子态密度分布、能带结构、光反射与吸收系数等性质,详细讨论了高压下ZnSe的电子结构,并且结合实验结果定性地分析了高压下的光学性质.
季正华曾祥华胡永金谭明秋
关键词:闪锌矿结构态密度密度泛函理论
γ辐照对GaN基白光和蓝光LED的光学和电学特性影响
随着LED在空间应用领域的拓展,LED在高辐射环境的研究备受瞩目。本文中GaN基白光和蓝光LED在14万居里的Co(剂量率2kGy/h)源上进行γ射线的辐照处理,LED样品分别给予2kGy、8kGy、16kGy、32kG...
金豫浙曾祥华胡益佩
文献传递
FC(O)O自由基与NO反应机理的理论研究被引量:1
2008年
用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,在6-311G(d,p)基组水平上研究了FC(O)O自由基与NO反应的微观机理,全参数优化了反应过程中各反应物、中间体、过渡态和产物的几何构型,在CCSD(T)水平上计算了它们的能量,振动分析结果证实了中间体和过渡态的真实性,从对FC(O)O与NO的反应机理的研究结果看,FC(O)O与NO反应为4条反应通道多步反应过程,其反应的主要通道是FC(O)O+NO→M3→TS6→M5→FNO+CO2,其主要产物是自由基FNO和CO2,与文献结果较为符合.
赵江崔磊曾祥华徐秀莲
关键词:密度泛函理论反应机理
Ne原子在纳米碳管中的动力学模拟被引量:1
2009年
采用TLHT势和经典分子动力学方法,对Ne原子进入单壁纳米碳管(single—wall carbon nanctube,SWCNT)的动力学过程进行了模拟.根据计算结果,讨论了Ne原子在SWCNT形成稳定振荡的条件及其振荡频率的影响因素.研究表明,Ne原子在碳管半径范围为3.5~6.1A可以稳定性振荡,而与SWCNT的类型无关.同时还发现Ne原子的振荡频率与管径、管长和螺旋性有关,随管径和管长的增大而减小,而Ne原子在扶手椅型纳米碳管的周期比在锯齿型的纳米碳管的周期长,表明原子在扶手椅型纳米碳管中滑动摩擦阻力比后者要大.
崔磊李世影曾祥华
关键词:纳米碳管分子动力学模拟NE原子
大功率全方位反射镜发光二极管性能研究
2011年
在现有工艺条件下通过简单工艺实现大功率GaN基多量子阱全方位反射镜(ODR)发光二极管(LED)的研制,并对试制LED样品进行了光学、电学和色参数三个方面性能测试.测试结果发现,ODR芯片比普通芯片的光强提高了244mcd,极大提高了发光强度;ODRLED光通量、光效、色纯度比普通LED分别提高了6.04%,5.74%,78.64%.ODRLED具有绝对优势是其色温要比普通LED的色温低1804K,明显改善大功率LED的色温缺陷.
董雅娟张俊兵陈海涛曾祥华
关键词:发光二极管ODR
脉冲激光偏振方向对氧分子高次谐波的影响——基于含时密度泛函理论的模拟
2010年
采用含时密度泛函方法,结合赝势模型和电子交换相关作用的广义梯度近似,模拟了氧分子在超强飞秒激光脉冲作用下的高次谐波产生现象,并研究了激光脉冲偏振方向对氧分子高次谐波的影响.结果表明氧分子的高次谐波谱具有典型原子谐波谱的特征;当θ=45°(激光偏振方向与分子轴向夹角)时,谐波谱强度最大.这与文献报道的实验结果基本一致.
崔磊王小娟王帆曾祥华
关键词:TDDFT高次谐波氧分子
Sr_2YRuO_6有序双钙钛矿结构及其Mott绝缘体的研究
2007年
运用第一性原理方法对双钙钛矿Sr2YRuO6各种可能的无序结构和有序结构的能量进行计算,计算结果显示有序结构双钙钛矿具有最低能量,说明该结构最稳定,这一结果也与实验中样品的多晶样品X射线衍射图(XRD)中出现超晶格有序峰相符合。通过计算给出该材料的能带,显示该材料是Mott绝缘体,这一结论也与实验结果相一致。
张萱曾祥华夏炜炜胡永金刘海平
关键词:双钙钛矿
图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制被引量:12
2010年
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm,呈六角形分布。与同批生长的普通蓝宝石衬底(CSS)GaN基LED芯片相比,PSS芯片的光强和光通量比CSS分别提高57.32%和28.33%(20 mA),并可减小芯片的反向漏电流,且未影响芯片的波长分布和电压特性。
张俊兵林岳明范玉佩王书昶曾祥华
关键词:光提取效率ICP
GaN基不同电极形状的LED性能比较被引量:3
2011年
对前期工作中使用Crosslight APSYS软件模拟的6种优化电极的GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进行可靠性分析。结果表明,优化电极的实验结果和软件模拟结果基本吻合,优化电极的光学、电学等特性的确有明显改善,芯片出光效率也有提升。对称型指形在光通量、光效和电压(电流为20 mA)等方面在这6种电极中最优;旋转形电极的寿命在预测中最高,为37 000 h,对称型指形位居第二;老化对优化电极的影响与未优化电极相差不多,所以综合考虑,对称型指形的性能最优。
董雅娟张俊兵林岳明金豫浙王书昶曾祥华
关键词:GAN发光二极管光电性能
共2页<12>
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