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国家自然科学基金(51202197)

作品数:7 被引量:6H指数:2
相关作者:介万奇徐亚东周岩查钢强何亦辉更多>>
相关机构:西北工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇化学工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 3篇晶体
  • 3篇CDZNTE
  • 2篇退火
  • 2篇光电
  • 2篇掺杂
  • 2篇CD
  • 1篇点缺陷
  • 1篇电学
  • 1篇性能研究
  • 1篇英文
  • 1篇应变弛豫
  • 1篇溶剂法
  • 1篇退火处理
  • 1篇退火过程
  • 1篇碲化物
  • 1篇温度梯度
  • 1篇晶体内
  • 1篇晶体生长
  • 1篇光谱
  • 1篇光学

机构

  • 6篇西北工业大学

作者

  • 6篇介万奇
  • 4篇周岩
  • 4篇徐亚东
  • 3篇何亦辉
  • 3篇查钢强
  • 3篇蔺云
  • 2篇刘航
  • 2篇王涛
  • 2篇杨睿
  • 2篇刘惠敏
  • 1篇汤三奇
  • 1篇张昊
  • 1篇李嘉伟
  • 1篇孙晓燕
  • 1篇郭欣
  • 1篇呼唤
  • 1篇杨敏

传媒

  • 2篇功能材料
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇Chines...

年份

  • 3篇2015
  • 4篇2014
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
Effect of de-trapping on carrier transport process in semi-insulating CdZnTe被引量:1
2015年
The effect of de-trapping on the carrier transport process in the CdZ'nTe detector is studied by laser beam-induced transient current (LBIC) measurement. Trapping time, de-trapping time, and mobility for electrons are determined directly from transient waveforms under various bias voltages. The results suggest that an electric field strengthens the capture and emission effects in trap center, which is associated with field-assisted capture and the Poole-Frenkel effect, respectively. The electron mobility is calculated to be 950 cm2/V-s and the corresponding electron mobility-lifetime product is found to be 1.32 × 10-3 cm2/V by a modified Hecht equation with considering the surface recombination effect. It is concluded that the trapping time and de-trapping time obtained from LBIC measurement provide direct information concerning the transport process.
郭榕榕介万奇查钢强徐亚东冯涛王涛杜卓同
关键词:CDZNTELBIC
退火处理对CdZnTe晶体光电性能的影响被引量:4
2014年
研究了生长态CdZnTe晶体在经历了不同温度和时间的Cd/Zn和Te气氛退火后,其光电性能的变化规律。研究表明,在Cd/Zn气氛下退火180h后,CdznTe晶体中直径在5μm以上的Te夹杂的密度减小了1个数量级,晶体的体电阻率由10^10Ω·cm减小至~10^7Ω·cm。同时发现,Cd/Zn源区的温度决定了退火后晶体在500~4000cm^-1范围内红外透过率曲线的平直状态,这可能与晶体中的Cd间隙缺陷浓度相关,而与晶体中的载流子浓度和夹杂/沉淀相状态无关。在Te气氛下退火时,发现晶体的红外透过率的平直状态与晶体电阻率的对数lg(p)呈近似线性关系,同样可归因于退火过程中Cd间隙缺陷的浓度变化。
何亦辉介万奇周岩刘惠敏徐亚东王涛查钢强
关键词:CDZNTE晶体红外透过率退火
近空间升华法制备CdZnTe外延厚膜及其性能研究
2014年
采用近空间升华法在GaAs(100)衬底上外延生长CdZnTe单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs(100)衬底后,对CdZnTe外延膜上、下表面的形貌、成分、结构以及电学性能进行了表征分析。SEM和EDS的结果表明,CdZnTe外延膜表面平滑致密且膜中成分分布较均匀;红外透过成像分析的结果表明,CdZnTe厚膜中无明显的Te夹杂相;X射线摇摆曲线、PL谱的结果表明,随着薄膜厚度的增加,CdZnTe外延膜中的晶体缺陷减少,应变弛豫,结晶质量提高,通过增加膜厚可以获得高质量的CdZnTe外延膜;电学测试表明,CZT外延膜的电阻率在1010Ω·cm数量级,且具有较好的光电响应特性,可用于高能射线探测。
蔺云介万奇查钢强张昊周岩汤三奇李嘉伟
关键词:PL谱应变弛豫
Cd/Zn气氛退火过程中CdZnTe晶体内Te夹杂的迁移研究被引量:2
2014年
通过红外透过成像研究了 Cd/Zn 气氛退火过程中 Cd0.9 Zn0.1 Te∶In 晶体内 Te 夹杂的密度及尺寸分布的演变.结果发现,Cd/Zn 气氛退火前,晶体中的 Te 夹杂密度分布比较均匀;退火后,晶体高温端近表面区域的 Te 夹杂密度较退火前提高了1个数量级,而晶体内部的 Te 夹杂密度则较退火前降低了1个数量级,且其密度沿温度梯度方向逐渐增加.退火前,晶体表面和内部的 Te 夹杂的直径主要分布在1~25μm;退火后,在晶体表面,直径<45μm 的 Te 夹杂密度显著增大;而在晶体内部,直径<5μm 和>25μm的 Te 夹杂密度显著增大.导致这些现象的原因是退火过程中,Te 夹杂沿着温度梯度方向不断向晶体表面迁移,在迁移过程中尺寸相近的 Te 夹杂通过合并长大,尺寸相差较大的 Te 夹杂则以 Ostwald 熟化方式长大,并使小尺寸的 Te 夹杂更小.但由于熟化不充分,在 Ostwald 熟化长大过程中留下了很多尺寸<5μm 的 Te 夹杂颗粒.
周岩介万奇何亦辉蔺云郭欣刘惠敏王涛徐亚东查钢强
关键词:CDZNTECDZN合金退火
温度梯度溶液法生长的Cr掺杂的ZnTe晶体的表征被引量:1
2015年
以Cr Te作为掺杂源、以Te作为溶剂,用温度梯度溶液法生长了Cr掺杂的Zn Te晶锭。晶锭头部的晶粒尺寸较大(>10 mm×10 mm),且Te夹杂相较少。Te夹杂相的大小、形状和分布可以反映晶锭中的温场分布。晶锭的径向非对称温场导致富Te相沿径向非对称分布。Te夹杂相在温度梯度作用下的热迁移会导致其相互融合长大、变长。Te夹杂相也会在晶体中引入裂纹和空洞等缺陷。部分未被掺入Zn Te中的Cr Te富集于固液界面处,表明温度梯度溶液法生长晶体时具有一定的排杂作用。Cr掺杂的Zn Te晶体的电阻率(约1000?·cm)高于未掺杂的Zn Te(约300?·cm)。Cr掺杂晶体在约1750 nm处的吸收峰表明Cr2+离子被成功地掺入了Zn Te中。但是Cr掺杂后晶体的红外透过率降低,表明Cr掺杂引入了较多的缺陷。
杨睿介万奇孙晓燕杨敏呼唤蔺云
关键词:晶体生长
In掺杂对MVB-Te溶剂法生长的ZnTe晶体光电性能的影响被引量:1
2014年
采用Te溶剂结合改进的垂直布里奇曼法(MVB)制备了In∶ZnTe与ZnTe晶体,并对晶体的光学与电学特性进行了表征。通过红外透过显微成像技术观察了In∶ZnTe与ZnTe中的Te夹杂并进行了统计分析,发现In掺杂未对ZnTe中的Te夹杂的分布和尺寸产生显著影响。红外透过光谱分析表明,In∶ZnTe与ZnTe晶体的红外透过率曲线均表现出平直的趋势,且其平均透过率基本相等,约为60%,进一步表明In的掺入并未导致严重的晶格和杂质吸收。然而,I-V测试分析发现,In掺杂使得ZnTe晶体的电阻率提高了5个数量级。同时Hall测试分析表明,In∶ZnTe与ZnTe晶体均为p型导电,In掺杂很大程度上补偿了晶体中的V Zn,使得晶体中的载流子浓度降低了4个数量级。对比了两种晶体的紫外-可见-近红外透过光谱,可以观察到,In掺杂使ZnTe的吸收边从550 nm红移到560nm,这可能是由于In掺杂引入的浅能级导致的吸收边带尾现象造成的。
刘航介万奇徐亚东杨睿
Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶低温光致发光谱研究(英文)
2015年
采用熔体法生长Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶时,不同的生长条件及热经历过程会导致生长态晶体材料中,占主导的点缺陷类型存在较大的差异,进而影响了晶体的物理性能及器件的使用。低温光致发光(PL)谱作为一种无损检测方法,可以用于研究不同条件下生长的Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶中的点缺陷和杂质的能级状态。对比富Te条件下生长的未掺杂ZnTe和CdTe晶体在8.6 K下的PL谱可以发现,电阻率较低的p型ZnTe晶体,其PL谱中,电子到中性受主复合发光峰(e,A^0)强度高于施主-受主对复合发光峰(DAP),而高电阻率阻n型CdTe晶体则刚好相反,这可能是由于生长速率及降温过程的热经历不同导致占主导的本征点缺陷类型不同造成的。按化学计量比生长的未掺杂CdZnTe晶体,其PL谱中自由激子发光峰(D^0,X)占主导,而(e,A^0)峰强度高于DAP峰,变温PL谱测试表明当温度高于15 K时,(e,A^0)峰与DAP峰逐渐叠加在一起。In掺杂导致在富Te条件下生长的CdZnTe晶体的PL谱中产生明显的A中心复合发光峰,与导带的能量差约为0.15 eV,主要与In补偿Cd空位形成的复合体[In_(Cd)^+V_(Cd)^(2-)]^-有关,且其强度与In掺杂元素的含量成正比。
徐亚东刘航何亦辉周岩介万奇
关键词:光致发光谱点缺陷掺杂
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