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上海市自然科学基金(10ZR1436300)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：张永刚顾溢曹远迎王凯方祥更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院研究生院更多>>
发文基金：上海市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇英文
  • 1篇探测器
  • 1篇缓冲层
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇INALAS
  • 1篇材料特性
  • 1篇INGAAS

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 1篇李成
  • 1篇方祥
  • 1篇王凯
  • 1篇曹远迎
  • 1篇顾溢
  • 1篇张永刚

传媒

  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文)被引量：3
2011年
利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs缓冲层的结构都能获得较平整的表面;具有InxGa1-xAs缓冲层的探测器结构表现出更大的剩余应力;具有InxAl1-xAs缓冲层的探测器结构所观察到的光学特性更优.
顾溢王凯李成方祥曹远迎张永刚
关键词：光电探测器缓冲层INGAASINALAS
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