您的位置： 专家智库 > >

国家重点基础研究发展计划(G2000068304)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：齐鸣刘训春苏树兵刘新宇王润梅更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇INGAAS...
  • 1篇电子发射
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇双异质结
  • 1篇双异质结双极...
  • 1篇晶体管
  • 1篇RTA
  • 1篇DHBT
  • 1篇DX中心
  • 1篇INGAP
  • 1篇MBE
  • 1篇MBE生长

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇香港科技大学
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 1篇卢励吾
  • 1篇徐安怀
  • 1篇王润梅
  • 1篇刘新宇
  • 1篇苏树兵
  • 1篇刘训春
  • 1篇齐鸣

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2001
共 1 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT被引量：2
2006年
报道了一种以InGaAs为基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs双异质结晶体管,获得了直流性能良好的器件.其共射直流增益β达到100,残余电压Voffset约为0.4V,膝点电压Vknee约为1V,击穿电压BVceo超过10V,器件的基极和集电极电流理想因子分别为nb=1.16,nc=1.11,可应用于低功耗、高功率领域.
苏树兵徐安怀刘新宇齐鸣刘训春王润梅
关键词：MBE双异质结双极晶体管
RTA对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响
研究分子束外延(MBE)生长的应变InGaAs/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应。结果表明,RTA移除了InGaAs/GaAs界面非辐射中心,提高77K光致发光效率和有源层电子发射...
卢励吾张砚华徐遵图徐仲英王占国J.WangWeikunGe
关键词：电子发射DX中心
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0