国家自然科学基金(10674134)
- 作品数：9 被引量：30H指数：4
- 相关作者：李艳秋刘克周远刘景峰孙知渊更多>>
- 相关机构：中国科学院北京理工大学中国科学院研究生院更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程一般工业技术更多>>
- 移相干涉术中有分割遮拦干涉图的相位展开被引量：6
- 2009年
- 在质量图导引路径积分法的基础上,提出了一种适用于移相干涉术中有分割遮拦干涉图的相位展开方法,可以有效地解决不同有效区域之间相位展丌结果不连续的问题。首先,采用图像修复方法,根据有效区域中包裹相位的纹理特征对遮拦区域进行填充,使被遮拦分割的各个有效区域连通,相位展开路径可以通过各个有效区域。在此基础上,提出了一种新的质量图,导引相位展开沿着相位变化最小的路径穿过各个有效区域之间的填充区域,以保证不同有效区域中属于同一干涉级次的包裹相位主值加减2π的倍数相同。研究结果表明,这种方法能有效地防止相位展开结果中2π整数倍的全局误差,使不同有效区域相位展开结果连续。
- 刘克李艳秋
- 关键词：光学测量相位展开
- 高数值孔径光学光刻成像中的体效应被引量：3
- 2008年
- 为有效控制成像线宽,研究了高数值孔径光学光刻中的体效应并提出一种光刻胶膜层优化方法,利用成像中的摇摆效应平衡体效应对成像线宽的影响。首先根据系统数值孔径和照明相干因子确定成像光入射角分布,相对所有入射光求出光刻胶底面单位体积吸收的能量平均值。然后用最小二乘法拟合得到能量平均值随光刻胶厚度变化的解析式并求能量平均值的导数。最后通过优化光刻胶膜层,使能量平均值的导数绝对值最小。按优化结果设计光刻胶膜层,利用商业光刻软件Prolith9.0得到成像线宽随光刻胶厚度的变化。结果表明,该方法能在3040nm的光刻胶厚度范围,有效地减小由体效应引起的成像线宽的变化。
- 周远李艳秋
- 关键词：光刻体效应
- 分辨力增强技术的频谱分析被引量：4
- 2007年
- 离轴照明和衰减型相移掩模作为重要的分辨力增强技术,不仅可以提高光刻的分辨力,同时还可以改善成像焦深,扩大光刻工艺窗口,实现65-32 nm分辨成像。从频谱的角度分析了离轴照明和衰减型相移掩模对成像系统交叉传递函数和像场空间频率分布的影响,研究这两种技术的物理光学本质,由此进一步优化光学成像系统设计、分辨力增强技术和确定设备使用的参量。对分辨力增强技术的频谱分析研究表明,分辨力增强技术通过调整像场频谱分布,改善了光学光刻的图形质量。对于65 nm密集图形,离轴照明和相移掩模结合后可以使成像衬比度最高达到0.948,工艺窗口在5%曝光范围内焦深达到0.51μm。
- 孙知渊李艳秋
- 关键词：成像系统光学光刻频谱分析
- 高数值孔径光刻成像中顶层抗反膜的优化被引量：4
- 2008年
- 高数值孔径光学光刻中,成像光分布在较大的入射角范围内,传统顶层抗反膜优化方法只对垂直光来减小光刻胶上表面反射率,难以保证光在整个入射角范围实现反射率最小。提出全入射角范围顶层抗反膜优化方法,即在入射角范围内实现光刻胶-顶层抗反膜-空气(或浸没液体)界面的最小平均反射率,并优化顶层抗反膜参量。结果表明,该方法能减小薄膜干涉引起的成像线宽(CD)变化,有效控制成像摆效应,增大顶层抗反膜透射率,提高横电和横磁偏振光透射率之比,从而提高扫描曝光系统的生产率,进一步改善成像衬比度。
- 周远李艳秋
- 关键词：光学光刻
- 浸没式ArF曝光过程中液体热性能分析
- 2007年
- 浸没式ArF曝光系统在最后一面物镜和晶圆之间引入液体作为成像介质。曝光过程中,液体存在热分布变化,并引起液体折射率的改变,导致光刻性能下降,因此,有必要确定液体热分布变化的情况。应用有限元方法,建立二维模型,分析液体在不同进口压强下的温度分布,同时分析液体流入方向与晶圆移动方向异同情况下的液体温度分布。在此基础上,分析了晶圆上残留热量对液体热分布变化的影响。结果表明,不考虑晶圆残留热量,温度升高的最大值在0.15 K左右,温升厚度最大可达到0.4 mm;考虑晶圆残留热量的影响,温度升高最大值增加0.02 K左右,温升厚度最大可达到0.45 mm。
- 樊明哲李艳秋
- 关键词：浸没式ARF光刻热分布有限元
- 45nm分辨率增强技术优化被引量：1
- 2008年
- 针对45nm节点的需求,系统分析和研究了该节点不同周期图形的成像规律,并采用了不同的分辨率增强技术进行对比研究,从中分析出最适合45nm不同周期图形的光刻方案。采用了传统的离轴照明技术及新照明方式进行对比,并结合交替式相移掩模、衰减式相移掩模及传统二元掩模进行分析,探讨了45nm节点不同周期图形的可实现性。通过优化光源参数,采用Y偏振,对比不同分辨率增强技术的组合,得出结论,采用双弧带照明,对于Y向Line/Spcae图形,其焦深,对比度等参数均可满足45 nm节点需要。最后通过双底层抗反射层(DBARC)优化,减小了底层反射率,有效地降低了摇摆效应,提高了Z向图形保真度。
- 高松波李艳秋
- 关键词：分辨率增强技术离轴照明相移掩模偏振
- 高数值孔径光刻成像中双层底层抗反膜的优化被引量：3
- 2008年
- 在高数值孔径光学光刻中,成像光入射角分布在较大范围内,传统的单底层抗反膜不足以控制抗蚀剂-衬底界面反射率(衬底反射率)。考虑照明光源形状以及掩模的影响,提出了一种新的双层底层抗反膜优化方法,依据各级衍射光光强求衬底反射率的最小权重平均值来配置膜层。针对传统掩模、衰减相移掩模以及交替相移掩模的情况,用该方法优化双层底层抗反膜。结果表明,如果成像时进入物镜光瞳的高阶光越多,高阶光光强越大,则掩模对底层抗反膜优化的影响越大。在某些成像条件下,如使用交替相移掩模实现成像,有必要在底层抗反膜优化中考虑掩模的影响。
- 周远李艳秋
- 关键词：光学光刻
- 带有分割遮拦环形干涉图的波面拟合
- 针对干涉测量实验中采集到的带有分割遮拦的环形干涉图,采用Zernike环多项式作为基底函数系对波面数据进行拟合,并对拟合结果进行了理论分析和实验验证。首先,利用相关矩阵,在理论上分析了Zernike环多项式在带有分割遮拦...
- 刘克李艳秋刘景峰
- 关键词：光学测量波面拟合
- 文献传递
- 含噪声包裹相位图的加权最小二乘相位展开算法研究被引量：12
- 2008年
- 二维相位展开广泛应用在精密光学测量、自适应光学、合成孔径雷达、图像处理等领域中。为处理含噪声包裹相位图,以预条件共轭斜量法求解权重最小二乘相位展开方程。引入非加权二维离散余弦变换求解泊松方程得到的最小二乘相位解作为共轭斜量法的初始解,从而加快了收敛速度,同时提出一种新质量图确定算法求解过程中的权重项。计算机模拟和试验表明算法计算速度快,能有效地消除传统路径积分法在处理信噪比低包裹相位图时的"拉线"现象,是一种有效的相位展开方法。
- 刘景峰李艳秋刘克
- 关键词：相位展开泊松方程最小二乘离散余弦变换
- 带有分割遮拦环形干涉图的波面拟合被引量：7
- 2008年
- 针对干涉测量实验中采集到的带有分割遮拦的环形干涉图,采用Zernike环多项式作为基底函数系对波面数据进行拟合,并对拟合结果进行了理论分析和实验验证。首先,利用相关矩阵,在理论上分析了Zernike环多项式在带有分割遮拦的单位环形区域内的交叉耦合现象。其次,分别采用Zernike圆多项式和Zernike环多项式对实验得到的中心遮拦比ε≈0.504,且带有分割遮拦的环形干涉图进行波面拟合,从拟合残余误差、各项Zernike系数的稳定性、传递矩阵的条件数三个方面,对比分析了两种多项式的拟合精度、可靠性以及抗扰动能力。实验结果表明,对于带有分割遮拦环形波面的拟合,当环形区域中分割遮拦较小时,Zernike环多项式具有较高的拟合精度、可靠性和抗扰动能力,可以达到很好的拟合效果。
- 刘克李艳秋刘景峰
- 关键词：光学测量波面拟合
