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Ga(In)NAs材料的异常能带结构与光学特性被引量：1: 2005年; 文章详细总结了近十年来人们对于Ga(In)NAs材料体系的理论和实验研究;从典型实验出发,分析了应用于Ga(In)NAs材料的四个理论模型以及它们的成功与不足;同时,通过对研究工作的总结与分析进一步阐述了Ga(In)NAs材料的异常能带结构和光学性质,并从实验结果分析现有理论的优点和不足,提出了进一步研究的方向。; 罗向东戴兵孙炳华; 关键词：光学特性材料体系光学性质

GaN_xAs_(1-x)(x<0.01)中合金态的光学特性被引量：1: 2005年; 应用多种光谱手段研究了分子束外延生长在半绝缘的 (0 0 1)GaAs衬底上的低氮含量的GaNAs中三元合金态的光学特性 .变温PL谱揭示了合金态的本征特性以及其与氮的杂质态的根本区别 ,而脉冲激发的光荧光谱则进一步显示了合金态的本征光学特性 .最后还研究了GaNAs的吸收光谱特征 .; 罗向东孙炳华徐仲英; 关键词：光学特性吸收光谱

Resonant Raman Scattering and Photoluminescence Emissions from Above Bandgap Levels in Dilute GaAsN Alloys: 2006年; The transitions of E0 ,E0 ＋A0, and E＋ in dilute GaAs（1-x） Nx alloys with x = 0.10% ,0.22% ,0.36% ,and 0.62% are observed by micro-photoluminescence. Resonant Raman scattering results further confirm that they are from the intrinsic emissions in the studied dilute GaAsN alloys rather than some localized exciton emissions in the GaAsN alloys. The results show that the nitrogen-induced E E＋ and E0 ＋ A0 transitions in GaAsN alloys intersect at a nitrogen content of about 0.16%. It is demonstrated that a small amount of isoelectronic doping combined with micro-photoluminescence allows direct observation of above band gap transitions that are not usually accessible in photoluminescence.; 谭平恒罗向东葛惟昆徐仲英Zhang YMascarenhas AXin H PTu C W; 关键词：GAASN PHOTOLUMINESCENCE

F-近似下颗粒的多重散射计算公式的改进: 2007年; 利用多重散射基础理论和修正的Fraunhofer近似及其相位函数,我们对过去F一近似下得到的颗粒的多重散射计算公式进行了改进。与理论值的相对误差的计算表明,我们的公式的准确性较原公式有了较大程度的提高。此外,我们也发现,随着光学厚度增加,多重散射光强的角分布的震荡减弱。; 戴兵贺安之; 关键词：多重散射光学厚度

显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E_0+Δ_0光学性质被引量：1: 2007年; 通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348eV处有一个新的荧光峰.结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E0+Δ0能级的非平衡荧光发射.同时,通过研究E0+Δ0能级的偏振、激发光强度依赖关系,以及温度依赖关系说明E0+Δ0能级与带边E0共享了共同的导带位置Γ6,同时这也说明在GaAs中主要是导带的性质决定了材料的光学行为.同时,通过与n-GaAs和δ掺杂GaAs相比较,半绝缘GaAs晶体的E0+Δ0能级的发光峰更能反映GaAs电子能级高临界点E0+Δ0的能量位置和物理性质.研究结果说明显微光致发光技术是研究半导体材料带边以上能级光学性质的一种非常有力的研究工具.; 包志华景为平罗向东谭平恒; 关键词：半绝缘GAAS

大气颗粒物PM_(2.5)的消光特性研究被引量：5: 2006年; 基于Mie散射理论,对大气颗粒物PM2.5的消光特性进行了研究,建立了混合颗粒系统消光系数的理论及等效计算方法.计算表明,不像大颗粒,PM2.5单颗粒的消光效率因子强烈地依赖于折射率和粒径;多颗粒的消光系数随粒度增加而增大,在强吸收时,也随分布宽度增加而增大;其随波长的变化与折射率、分布有关,往往是非单调的,而对混合的颗粒系统,还与混合比有关.分析表明,我们提出的消光系数的理论及等效计算方法也为实际大气颗粒物的光学特性研究提供了一个新的研究手段.; 戴兵罗向东唱鹤鸣; 关键词：大气颗粒物 PM2.5 消光 MIE理论

光学厚度对颗粒媒质的多重散射的影响: 2007年; 基于辐射传播方程及多重散射基础理论,利用Fraunhofer近似,对颗粒媒质的多重散射光强进行了计算。研究了光学厚度对多重散射的影响,揭示了多重光散射的角分布特征,光强大小随光学厚度的变化,以及单散射引起的误差等方面的规律。为实际的颗粒媒质的光学测量等提供了理论根据。; 戴兵贺安之; 关键词：应用光学多重散射光学厚度

大气气溶胶消光系数的计算方法研究被引量：19: 2008年; 基于Mie散射理论,在过去的同种颗粒消光系数计算的基础上,对多种成分颗粒的大气气溶胶,建立了消光系数的平均(理论的)计算方法,同时,利用容积占比等效折射率,建立了消光系数的等效计算方法,验证了该等效法的可靠性。随着最近实验测量技术的发展,可将大气气溶胶分成成分相近的若干组分,应用上述方法可按这些组分去计算成分复杂的实际的大气气溶胶的消光系数。对Kleiner Feldberg测量数据的应用得到了较理想的结果,这充分说明了方法的可靠性和可行性。该方法的建立,不仅为气溶胶的光学特性研究提供了一个新的理论方法,也为分析大气环境质量提供了有力的支持。; 戴兵罗向东唱鹤鸣; 关键词：气溶胶消光系数

GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性: 2005年; 通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性.在超短激光脉冲激发下,第一次在GaNAs/GaAs量子阱发光光谱中,观察到非局域激子发光.选择激发光谱表明,局域中心主要聚集在GaNAs、GaAs异质结界面.在低N含量的GaNAs体材料发光光谱中,除了与N相关的局域态发光外,也发现发光特性完全不同的GaNAs合金态发光.这些结果为理解ⅢⅤN族半导体的异常能带特性具有十分重要的意义.; 罗向东徐仲英谭平恒GE Wei-Kun; 关键词：光学性质半导体材料

低温分子束外延生长的GaMnAs反射光谱的低能振荡现象被引量：3: 2008年; 通过傅里叶变换红外光谱和光调制反射光谱技术测量了不同Mn含量的低温分子束外延生长在GaAs衬底上的GaMnAs样品的反射光谱.在低于Ga(Mn)As带边的红外反射光谱和光调制反射光谱上观测到低能振荡现象.通过分析振荡产生的原因并使用双层界面反射模型拟合了红外反射光谱的低能振荡过程,拟合结果与实验相符.研究表明,反射光谱的低能振荡是由于GaMnAs中空穴浓度的变化导致GaMnAs中的折射率发生变化,GaMnAs与衬底GaAs之间的折射率差导致了不同Mn含量的GaMnAs材料的反射谱的低能振荡现象.测量了不同GaMnAs材料在室温和低温下的光调制光谱,进一步说明GaMnAs材料中空穴浓度对反射光谱的低能振荡现象的影响.; 罗向东姬长建王玉琦王建农; 关键词：GAMNAS 反射光谱折射率

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