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氧空位对Fe掺杂ZnO的铁磁性的影响被引量：4: 2008年; 利用反应磁控溅射法在S i基地生长Zn1-xFexO(x=0.04,0.06,0.08,0.10,0.12)薄膜.X射线衍射结果表明所有样品都具有纤锌矿结构,且C轴择优取向.X射线光电子能谱显示薄膜中的Fe离子为+2价态.磁力显微镜结果表明薄膜具有明显的磁畴花样.磁性测量表明所有在真空下退火的样品都具有室温铁磁性而空气下退火样品具有顺磁性.薄膜中的铁磁性与氧空位有关.; 侯登录赵瑞斌; 关键词：稀磁半导体 ZNO 铁磁性氧空位

Co掺杂ZnO稀磁半导体的微观结构与磁学性质被引量：4: 2010年; 用溶胶-凝胶方法制备了具有单一纤锌矿结构的Co掺杂ZnO稀磁半导体粉末样品.通过对样品的结构、元素价态、电学和磁学性质的分析,研究了样品室温铁磁性来源.研究结果表明,2次烧结的样品比1次烧结样品的磁化强度明显增强;观测到的铁磁性与ZnO本征缺陷(Zn空位)有关,铁磁性起源于局域化受主(Zn空位)之间的交换相互作用.; 刘清华刘永利董自卫张倩; 关键词：ZNO 稀磁半导体铁磁性 CO掺杂

N掺杂SiO_2纳米薄膜的制备及其磁性: 2010年; 利用射频磁控反应溅射技术,制备了氮掺杂的SiO2纳米薄膜.发现N掺杂SiO2体系纳米薄膜具有铁磁性.较小的氮化硅颗粒均匀分布在氧化硅基质中有利于磁有序的形成.基底温度为400℃时,样品薄膜具有最大的饱和磁化强度和矫顽力,分别为35emu/cm3和75Oe.薄膜的磁性可能产生于氮化硅和氧化硅的界面.理论计算表明,N掺杂SiO2体系具有净自旋.同时,由氮化硅和氧化硅界面之间的电荷转移导致的轨道磁矩也会对样品的磁性有贡献.; 周鸿娟甄聪棉张永进赵翠莲马丽侯登录; 关键词：射频磁控反应溅射基底温度

N对Fe掺杂Si半导体性质的影响: 2010年; 采用离子注入方法在Si基底上制备了Fe和N共掺Si的薄膜样品。在没有N原子共掺的情况下,样品中掺入的Fe原子与Si反应生成了FeSi2,且薄膜的铁磁性非常微弱;而Fe与N共掺样品中没有发现FeSi2及Fe团簇,且在室温下显示明显的铁磁性。结果表明,N的引入对FeSi2的形成有一定的抑制作用,从而使样品的铁磁性增强。样品的输运性质也进一步证实了N的掺入使更多的Fe掺入到晶格中。; 潘成福刘清华刘永利; 关键词：稀磁半导体磁性离子注入铁磁性

Investigation of luminescence from SiC nano-granule films on porous glass substrate被引量：1: 2008年; SiC granule films were fabricated onto porous glass substrate by RF-magnetron sputtering. Photoluminescence （PL） measurements show that there are light emissions at three different wavelengths. Ultraviolet emission peaked at 360 nm originated from the band-band transmission of SiC nanoparticles with relatively small size. The 370 nm light emission was due to the luminescence of the nano-skeletons of porous glass that was formed during the etching of the glass substrate. The blue emission at about 460 nm was associated with the recombination of the excited electron and O-deficient defects appeared at the interface between SiC nanoparticles and the porous glass. Furthermore, the optimal PL performance was obtained when SiC deposited time was I h and the glass substrate was etched for 20 min in the annealing sample （450 ℃）.; ZHEN Cong-mianZHANG Jin-juanWANG Xiao-qiangZHANG Yong-jinPAN Cheng-fuHOU Deng-lu; 关键词：SIC

MnxGe1-x薄膜结构磁性和输运特性的研究: 2009年; 用磁控溅射法制备了MnxGe1-x(x=0.05、0.07、0.11、0.15、0.19、0.23、0.26、0.29)系列薄膜样品。X射线衍射(XRD)表明所有样品为Ge立方体结构,没有发现第二相存在。晶格常数随Mn摩尔浓度增加而增加,符合Vegard定律。磁力显微镜(MFM)测量表明没有明显的磁畴结构出现,原子力显微镜(AFM)测量表明样品表面颗粒均匀并且呈圆柱状生长。X射线光电谱测量表明Mn原子并不是处于单一的正二价态。电子输运特性测量表明室温电阻率随Mn摩尔浓度增加而增加,Mn原子处于深的受主态,电阻率随温度增加而减小,样品仍表现为典型的半导体特性。物理性质测量仪测量表明样品的铁磁性是固有的长程有序的,通过s、p-d载流子的交换耦合来实现。; 刘清华乔双刘永利; 关键词：半导体磁畴电阻率

Zn_(0.96)Mn_(0.04)O薄膜的制备及结构、磁性分析被引量：2: 2008年; 采用射频溅射法制备了Zn0.96Mn0.04O薄膜样品,并对样品进行了结构和性能的检测,其中使用的靶材是通过标准固态反应法制备的.经过X射线衍射分析,样品均未被发现任何杂质相,都表现为纤锌矿结构.磁性测量表明,薄膜样品在室温下表现出较强的铁磁性,每个Mn离子的饱和磁化强度为1.05μB,矫顽力为0.01 T,居里温度高于400 K.分析表明,薄膜样品所检测到的铁磁性不是杂质相的贡献,而是MnZnO的内禀性质,并且生长环境及缺陷对样品的铁磁性产生了很大的影响.; 刘清华曲蛟史彬茹刘永利; 关键词：射频溅射法磁性

Mn掺杂GaN粉末的制备和性质研究被引量：1: 2008年; 利用溶胶-凝胶法制备了不同Mn质量分数（0%-7%）的GaMnN粉体样品。经XRD检测所有样品均为六角纤锌矿结构，没有发现第二相，而且晶格常数随Mn质量分数的增加而增加。光致发光谱（PL）结果显示，紫外发光峰P1为GaN来源于带间发射的本征发光峰，且随着Mn质量分数增加略有红移，说明GaN的带隙变窄。XPS谱证明Mn离子处于＋2价。磁性测量显示，所有掺Mn的样品在5 K温度下均为顺磁性，居里-外斯温度为负值，表明样品中最近邻Mn离子之间存在着很强的反铁磁相互作用。; 郭俊梅刘清华赵瑞斌李秀玲周鸿娟侯登录; 关键词：溶胶-凝胶氮化镓顺磁性光致发光

Ni掺杂ZnO的结构、光学和磁学性质被引量：1: 2009年; 利用溶胶-凝胶法制备了Zn1-xNixO(x=0.1%,0.4%,0.7%,1.0%)粉末,研究了样品的结构、光学和磁学性质.X射线衍射表明所有样品都具有纤锌矿结构,没有发现第2相.随着掺杂量的增加c轴晶格常数变小.X射线光电子能谱显示样品中的Ni离子处于+2价态.由紫外可见光吸收谱发现,随着掺杂量的增加能隙逐渐变小,证实了Ni2+对Zn2+的替代.由光致发光谱发现,在390 nm附近出现了由于近带边自由激子复合引起的紫外峰和以467 nm为中心宽带深能级发光带组成的由缺陷引起的较宽的蓝光.磁化强度测量表明,样品具有室温铁磁性,且随着掺杂浓度的增加,饱和磁化强度增加.当掺杂量为1.0%时饱和磁化强度最大为0.076μB/Ni.; 冯春辉刘清华赵瑞斌; 关键词：溶胶-凝胶光致发光室温铁磁性

电化学腐蚀多孔硅的发光特性被引量：2: 2008年; 采用直流电化学腐蚀的方法在不同电流密度下制备了多孔硅样品.用SEM,FTIR,PL谱研究了制备样品的结构和发光特性.结果表明,多孔硅样品的发光强度和峰位与电流密度存在密切关系,制备的多孔硅存在378,470,714 nm的光致发光,对这几个发光峰的发光机理进行了讨论.; 甄聪棉张金娟刘彩霞张永进; 关键词：多孔硅电化学腐蚀光致发光量子限制效应

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