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吉林省科技发展计划基金(20030513)

作品数：3 被引量：13H指数：2
相关作者：王维彪李佳梁静秋金霞侯凤杰更多>>
相关机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金：吉林省科技发展计划基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇湿法腐蚀
  • 3篇隔离沟槽
  • 2篇微显示
  • 2篇微显示器
  • 2篇微显示器件
  • 2篇显示器
  • 2篇显示器件
  • 1篇阵列器件
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇ALGAIN...
  • 1篇GAA
  • 1篇GAP
  • 1篇LED阵列
  • 1篇S-
  • 1篇GAAS

机构

  • 3篇中国科学院长...

作者

  • 3篇梁静秋
  • 3篇李佳
  • 3篇王维彪
  • 2篇金霞
  • 1篇赵莉娜
  • 1篇孔庆峰
  • 1篇侯凤杰

传媒

  • 1篇液晶与显示
  • 1篇光电子技术
  • 1篇微细加工技术

年份

  • 2篇2006
  • 1篇2005
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
GaAs-LED阵列器件隔离沟槽的制备研究被引量：3
2006年
良好的电学和光学隔离能显著提高微LED阵列器件的亮度、分辨率等工作性能,高深宽比隔离沟槽的制备是决定电学隔离效果的关键。本文分析比较了各种制备工艺,选择湿法腐蚀工艺,使用了不同比例柠檬酸双氧水腐蚀液对G aA s进行了腐蚀,在二者配比为3∶1的条件下,在G aA s衬底材料上制备了深宽比为2∶1的隔离沟槽。腐蚀后芯片表面平整度、侧蚀等指标初步达到器件设计的要求。
李佳梁静秋金霞孔庆峰侯凤杰王维彪
关键词：GAAS湿法腐蚀
LED阵列的设计和制作工艺研究被引量：11
2006年
根据Al GaInP外延片的结构特点设计了LED型微显示器件的主要结构。利用Markus-Christian Amann等人提出的模型对器件电流注入后的空间分布进行了简单的理论分析,总结出了像素元和上隔离沟槽的理想尺寸分别是16μm×16μm和2μm。简述了减薄GaAs衬底的作用,设计衬底电隔离沟槽宽度为5μm。采用湿法腐蚀工艺进行器件结构制备,利用不同的腐蚀剂对金属层、p-GaP层、Al GaInP层和n-GaAs衬底层进行腐蚀。实验结果表明,腐蚀后的沟槽形貌较好,其深度和宽度可以达到设计要求。
梁静秋李佳王维彪
关键词：微显示器件隔离沟槽湿法腐蚀
发光二极管阵列中上隔离沟槽的设计与制备被引量：2
2005年
分析了发光二极管阵列上隔离沟槽的理想尺寸。采用湿法腐蚀方法对金属层、p-GaP层及多层AlGaInP进行了逐层腐蚀,完成了宽2μm深6μm的上隔离沟槽的制作。腐蚀后的上隔离沟槽边缘平整,其深度和宽度可以解决注入电流在相邻像素之间产生的干扰问题。
金霞梁静秋李佳赵莉娜王维彪
关键词：微显示器件隔离沟槽湿法腐蚀欧姆接触ALGAINPGAP
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