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脉冲激光沉积制备的HfO2薄膜的结构与电学性能: 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在 Si(100) 基底上制备了有效氧化层厚度为8．6nm,介电常数为 29．3的 HfO薄膜．借助 X 射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)分析了样品的...; 王毅王浩张志鹏莫琦冯洁朱建华杨辅军汪汉斌; 关键词：脉冲激光沉积 HFO2薄膜电学特性; 文献传递

脉冲激光沉积制备的HfO2薄膜的结构与电学性能: 2007年; 采用脉冲激光沉积（PLD）方法在Si（100）基底上制备了有效氧化层厚度为8．6nm，介电常数为29．3的HfO2薄膜．借助C射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、高分辨透射电镜（HRTEM）分析了样品的微观结构，对电容的C-V与I-V电学特性进行了测试。实验结果表明，该方法制得的HfO2薄膜表面光滑，N2500℃下退火30mm后样品表面粗糙度由0．203nm变为0．498nm，薄膜由非晶转变为简单正交结构，界面层得到有效控制，该栅介质电容具有良好的C-V特性，较低的漏电流密度（4．3×10^-7A/cm^2，@-1V），是SiO2栅介质的理想替代物．; 王毅王浩张志鹏莫琦冯洁朱建华杨辅军汪汉斌; 关键词：脉冲激光沉积 HFO2薄膜电学特性

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湖北省自然科学基金(2007ABC05)