浙江省科技厅资助项目(2010R50020)
- 作品数：2 被引量：5H指数：1
- 相关作者：叶志镇吕建国陈凌翔李霞朱丽萍更多>>
- 相关机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：浙江省科技厅资助项目国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 功率和退火对磁控溅射生长ZnO∶Ga薄膜的影响被引量：4
- 2014年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Ga透明导电薄膜(GZO)。通过X射线衍射(XRD)、四探针电导率测试、紫外可见分光光度等表征方法研究了溅射功率对薄膜结晶特性及光电性能的影响。结果表明:当溅射功率180W时制备的GZO薄膜光电性能最优,方块电阻为9.8Ω/sq,电阻率为8.6×10-4Ω·cm,霍尔迁移率为12.5cm2/V·s,载流子浓度为5.8×1020cm-3,可见光透过率超过92%。另外,研究了最优制备条件下的GZO薄膜的高温稳定性,在氩气、氧气和真空气氛下分别对薄膜进行退火处理。结果表明,氩气退火的薄膜电学性能显著提高,是显著改善GZO薄膜性能的有效方法之一;氧气退火不利于薄膜的导电性;真空退火介于两者之间。
- 李霞陈凌翔吕建国叶志镇
- 关键词：磁控溅射电学性能功率退火
- 高晶体质量ZnCdO薄膜和ZnCdO/ZnO多量子阱的生长及光学性能被引量：1
- 2013年
- 分别在石英衬底和c面蓝宝石衬底上制备了ZnCdO薄膜和ZnCdO/ZnO多量子阱结构。XRD和PL测试分析表明该ZnCdO薄膜具有单一取向和高晶体质量。对多量子阱结构进行低温PL测试得到较强的势阱层发光峰和较弱的势垒层发光峰,表明高质量的多量子阱结构。变温PL测试表明该多量子阱结构在室温下仍然具有优良的光学性能。
- 蒋杰朱丽萍李洋郭艳敏
- 关键词：脉冲激光沉积光致发光
