为了寻找新的高Tc的稀磁半导体(DMS),利用自旋局域密度泛函的第一性原理对 3d过渡金属(TM= V、Cr、Mn、Fe、Co或Ni)掺杂的II IV V2(CdGeP2 和ZnGeP2)以及I III VI2(CuGaS2 和CuGaSe2)黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算.结果发现:V或Cr 掺杂的 II IV V2 将出现铁磁(FM)状态,而 Mn、Fe或者 Co掺杂的 II IV V2 将出现反铁磁(AFM)状态,Ni掺杂时,DMS的磁性非常不稳定;在TM掺杂的 I III VI2 的DMS中,Cr、Mn掺杂的 CuGaS2 和 CuGaSe2将表现为FM状态,而当V、Fe、Co或Ni掺杂时,Cu(Ga,TM)S2 和Cu(Ga,TM)Se2 则表现了AFM性质.Cr掺杂的I IV V 以及 I III VI 黄铜矿半导体将可能出现较高的居里温度(Tc).
