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四川省科技计划项目(2011JY0130)

作品数:6 被引量:18H指数:3
相关作者:赵勇周大进马家庆赵立峰柯川更多>>
相关机构:西南交通大学新南威尔士大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金四川省科技计划项目国家磁约束核聚变能发展研究专项更多>>
相关领域:理学电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇电化学
  • 1篇电化学性能
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米管
  • 1篇化学性能
  • 1篇光电
  • 1篇光电化学
  • 1篇光电化学性能
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能
  • 1篇TIO2纳米
  • 1篇TIO2纳米...
  • 1篇FE掺杂
  • 1篇表面光电压
  • 1篇表面光电压谱
  • 1篇掺杂
  • 1篇磁性
  • 1篇磁性质
  • 1篇CUS

机构

  • 2篇西南交通大学
  • 1篇新南威尔士大...

作者

  • 2篇赵勇
  • 1篇蔡芳共
  • 1篇杨峰
  • 1篇周大进
  • 1篇王小峰
  • 1篇李平原
  • 1篇崔雅静
  • 1篇陈永亮
  • 1篇程翠华
  • 1篇柯川
  • 1篇苏春燕

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇高等学校化学...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
6 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
CuS/TiO2纳米管异质结阵列的制备及光电性能被引量:10
2013年
利用水热反应制备了CuS/TiO2纳米管异质结阵列,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射谱(XRD)等手段表征了异质结阵列的表面形貌和晶体结构.电流-电压曲线结果表明,CuS/TiO2纳米管异质结阵列具有明显的整流效应.根据表面光电压谱和相位谱,在376~600 nm之间,CuS/TiO2纳米管异质结阵列表现为p型半导体特征,电子在表面聚集;在300~376 nm之间表现为n型半导体特征,空穴在表面聚集;在376 nm处异质结阵列的表面光伏响应为零.CuS/TiO2和CuS/ITO之间界面电场的不同导致异质结在不同波长范围内表面电荷聚集的差异.光电化学性能测试发现,以CuS/TiO2纳米管异质结阵列为光阳极组成的光化学太阳电池,在大气质量AM 1.5G,100 mW/cm2标准光强作用下具有0.4%的光电转换能力.
柯川蔡芳共杨峰程翠华赵勇
关键词:CUS表面光电压谱光电化学性能
SmCo1-xFexAsO的多重磁性转变
2014年
采用固相反应法,制备出一系列SmCo1-xFexAsO(x=0,0.05,0.1,0.2)多晶样品。XRD测试结果表明所有样品均为单相,且具有ZrCuSiAs型四方结构,随着掺杂量的增加,晶格参数a逐渐减小,c逐渐增加。磁性测量结果表明,低掺杂量样品在5~300 K之间先后经历了反铁磁-铁磁-顺磁的磁性转变,低场下的M-T曲线表现出明显的不可逆性,且随着掺杂量的增加,反铁磁转变温度降低,铁磁转变温度向高温方向移动,表明样品的反铁磁性逐渐被抑制,而铁磁性逐渐增强。M-H曲线表明,在反铁磁转变温度以下,掺杂量x〈0.2的样品,随着磁场的增加发生了由反铁磁到铁磁性的变磁性转变,且随着掺杂量的增加,在同一温度下的转变磁场变小。在掺杂量x=0.2时,当温度降低到5 K时仍没有观察到变磁性转变,在掺杂量x=0.2附近可能存在变磁性临界终点。
苏春燕陈永亮周大进王小峰李平原崔雅静赵勇
关键词:FE掺杂磁性质
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