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上海市科委纳米专项基金(0452nm013)

作品数:4 被引量:41H指数:4
相关作者:雷红张鹏珍张剑平施利毅褚于良更多>>
相关机构:上海大学清华大学更多>>
发文基金:上海市科委纳米专项基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:机械工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇机械工程

主题

  • 3篇纳米
  • 3篇化学机械抛光
  • 3篇机械抛光
  • 2篇抛光
  • 2篇抛光液
  • 1篇氧化铝
  • 1篇氧化铈
  • 1篇抛光技术
  • 1篇平面化
  • 1篇平整
  • 1篇纳米CEO2
  • 1篇纳米级
  • 1篇纳米氧化硅
  • 1篇纳米氧化铈
  • 1篇CMP
  • 1篇超细
  • 1篇超细氧化铝

机构

  • 4篇上海大学
  • 1篇清华大学

作者

  • 4篇雷红
  • 2篇张鹏珍
  • 1篇施利毅
  • 1篇路新春
  • 1篇褚于良
  • 1篇雒建斌
  • 1篇卢海参
  • 1篇张剑平

传媒

  • 1篇机械工程学报
  • 1篇光学技术
  • 1篇润滑与密封
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
超细氧化铝抛光液的制备及其抛光特性研究被引量:13
2005年
化学机械抛光(CMP)技术广泛用于表面的超精加工,抛光液是CMP技术中的关键要素。本文制备了一种超细Al2O3抛光液,采用激光粒度仪、扫描电镜等对其进行了表征。进而研究了其在镍磷敷镀的硬盘基片CMP中的抛光特性。结果表明抛光液中Al2O3粒子用量、氧化剂用量均直接影响抛光后的表面质量及材料去除速率。借助对抛光后表面的原子力显微镜(AFM)、俄歇能谱以及X射线光电子能谱分析,对其CMP机理进行了推断。
雷红褚于良屠锡富丘海能方亮罗桂海
关键词:抛光液
纳米氧化硅在玻璃基片表面亚纳米级抛光中的应用被引量:4
2006年
为满足先进电子产品对玻璃基片表面超光滑的要求,制备了一种纳米氧化硅抛光液,并研究了氧化硅粒子大小、抛光时间等参数对玻璃基片抛光后表面粗糙度、材料去除速率的影响。ZYGO形貌仪表明,采用纳米氧化硅抛光液,可以使玻璃表面粗糙度达到0.5 nm左右。AFM表明,抛光后的玻璃基片表面超光滑且无划痕等微观缺陷。
雷红张鹏珍卢海参
关键词:平面化
纳米氧化铈的制备及其抛光性能的研究被引量:23
2006年
采用溶胶-凝胶法制备了纳米CeO2粉体,并采用XRD、TOF-SIMS对其进行了表征。结果表明平均晶粒度在13.3nm,粒度分布均匀。进而研究了纳米CeO2在玻璃基片抛光中的抛光性能。ZYGO形貌仪表明,抛光后其表面平均粗糙度值(Ra)可降低到0.6nm左右。原子力显微镜(AFM)在5μm×5μm范围内测得基片表面粗糙度Ra值为0.281nm,表面光滑,划痕等表面微观缺陷明显改善。
张鹏珍雷红张剑平施利毅
关键词:纳米CEO2化学机械抛光
数字光盘玻璃基片的三步抛光技术被引量:5
2007年
为得到超光滑的数字光盘母盘玻璃基片表面,研究玻璃基片的亚纳米级抛光技术。分别采用2μm、0.3μm超细氧化铈抛光液以及纳米氧化硅抛光液进行三步化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP),抛光后最终表面粗糙度R_a达到0.44nm,为目前报道的数字光盘母盘玻璃基片抛光的最低值。原子力显微镜分析表明,抛光后的表面超光滑且无微观缺陷。通过对玻璃基片CMP中机械作用及化学作用进行分析,对抛光机理进行了探讨。
雷红雒建斌路新春
关键词:化学机械抛光抛光液
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