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一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关被引量：6: 2008年; 设计并制备了一种低电压的静电驱动接触式单刀四掷(SP4T)RFMEMS开关。单元开关采用以低应力氮氧化硅(SiON)作为桥膜的双端固定桥式结构,并利用附着的金层形成接触结构。整个SP4T开关包括与50Ω特征阻抗相匹配的共面波导,1个输入端,4个输出端,4个静电驱动的侧拉桥,以及4个驱动引出区(pad)。测试数据表明,开关驱动电压18.8V;插入损耗S21<0.26dB@DC-3GHz,S31<0.46dB@DC-3GHz;隔离度S21>69.5dB@DC-3GHz,S31>69.2dB@DC-3GHz。结果显示,此开关的隔离度在所有输出端有很好的一致性,插损在DC-3GHz的频段内均较小,非常适合低频使用。; 胡光伟刘泽文侯智昊李志坚; 关键词：MEMS 开关

串联电容式RF MEMS开关设计与制造研究被引量：3: 2008年; 介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度的缺点。其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同,解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段（〈10GHz）的问题。其插入损耗为-0.88dB@3GHz,在6GHz以上,插入损耗为-0.5dB;隔离度为-33.5dB@900MHz、-24dB@3GH和-20dB@5GHz,适合于3-5GHz频段的应用。; 侯智昊刘泽文胡光伟刘理天李志坚; 关键词：射频微电子机械系统 MEMS开关内应力

新型可重构RF-MEMS天线的设计: 2008年; 设计了一种新型的可重构双C型RF—MEMS贴片天线，它由T型桥膜结构的电容式MEMS开关实时地控制天线结构，使之能够发生双频谐振。采用背腔结构的硅基底，使硅衬底的相对有效介电常数从9．18下降到1．51，这有利于减小表面波的损耗，通过优化设计有效地实现了天线的小型化。理论计算得到在开关断开和连通状态下，天线的谐振频率分别为11．14GHz和5．56GHz。将理论结果与HFSS软件仿真的结果进行比较，发现它们吻合得比较好，说明了可重构天线的设计具有可行性。; 余文革巫正中杨廷鸿付诗禄; 关键词：可重构天线 HFSS软件

GM(1,1)组合优化模型被引量：1: 2010年; 从影响GM（1，1）模型产生误差的两个主要原因出发，重新选择灰导数，并基于Newton．Cote’s积分公式和相邻最近插值方法构造出GM（1，1）组合模型，提出了求该组合模型参数的计算方法，通过实例验证了组合模型的模拟精度，具有重要的应用价值。; 李玻余显志蒋艳

用于悬浮纳米结构制作的氢氟酸气相刻蚀研究被引量：2: 2009年; 针对纳米悬浮结构的制作,对不同温度和不同气相条件下的氢氟酸(HF)气相刻蚀进行了研究。利用自制的研究装置,使用HF/水混合气体和HF/乙醇混合气体分别进行了HF对PECVD SiO2的气相刻蚀实验,同时测量了不同衬底温度下刻蚀速率的变化。研究结果表明,在常温常压下,HF/乙醇混合气体气相刻蚀速率约为7.6 nm/s,而HF/水混合气体气相刻蚀速率约为11.5 nm/s。在衬底温度分别为35,40和50℃时,HF/水混合气体的气相刻蚀速率分别为10.25,7.95和5.18 nm/s。利用HF气相腐蚀进行SiO2牺牲层释放,得到了悬浮的纳米梁结构,梁与衬底的间距为400 nm。; 张伟刘泽文; 关键词：氢氟酸二氧化硅

用于制备高机械可靠性RF MEMS开关的新型工艺被引量：3: 2008年; 对介质桥串联接触式RF MEMS开关的制备工艺进行了研究。介绍了开关的结构,说明了采用常规制备工艺容易在桥膜上形成应力集中,严重影响开关的机械可靠性。通过改进工艺,提出了一种侧向钻蚀刻蚀介质桥膜下金属的方法,获得了平坦的介质桥膜。最后,给出了完整的开关制备流程。与常规工艺相比,新工艺避免了应力集中问题,提高了开关的机械可靠性,成品率从10%提高到了95%,工作寿命从1000次提高到了2.5×107次。此外,在23.3 V的驱动电压下,开关插入损耗<0.55 dB@DC-10 GHz,隔离度>53.2 dB@DC-10 GHz。结果表明该工艺可满足无线通讯对MEMS开关成品率、寿命和微波性能的要求。; 胡光伟刘泽文侯智昊李志坚; 关键词：MEMS开关接触式开关机械可靠性

DC～30GHz并联接触式RF MEMS开关的设计与制造被引量：6: 2009年; 对适用于DC～30GHz频率的并联接触式RF MEMS开关的设计与制造进行了研究。利用低应力电镀Au桥膜作为上电极,实现了接触电极之间的Au-Au接触。使用BorofloatTM玻璃作为衬底,并用隔离电阻对内置射频信号与驱动电极旁路进行隔离;通过对上电极桥膜与CPW间距的优化设计,使开关具有较低的插入损耗。所设计制造的并联接触式RF MEMS开关的下拉电压为60V,上下电极的接触电阻为0.1Ω。插入损耗为-0.03dB@1GH,-0.13dB@10GHz和-0.19dB@20GHz,在DC～30GHz的插入损耗都<-0.5dB;隔离度为-47dB@1GHz,-30dB@10GHz和-25dB@20GHz,在DC～30GHz的隔高度都>-23dB。测试结果表明,所设计的并联接触式RF MEMS开关适用频率为DC～30GHz,是一种应用频率范围较宽的RF MEMS开关。; 侯智昊刘泽文李志坚; 关键词：微机电系统 MEMS开关

微加热器热传导试验与计算被引量：5: 2011年; 为了研究微加热膜下方的结构与微加热器性能的关系,利用数值计算与有限元仿真,研究了微加热膜下方空气隙厚度的变化对加热器性能的影响。首先,通过微加热器试验确定了对流换热系数等关键热学计算参数,建立了一维Fourier导热微分方程组,计算了Biot数并以此为依据对模型进行了薄壁简化,使用有限差分法对微分方程进行了数值计算。然后,使用ANSYS有限元分析软件对模型进行了电热耦合仿真,并对在对流换热边界下硅衬底(无空气隙),100,200,300,400μm气隙以及加热膜(完全贯通)6种模型的瞬态温度响应及稳态热分布的结果进行了对比。计算结果表明,相比硅衬底,目前的微加热膜结构在同样边界条件下可以将最高温度提高约17%。空气隙为200μm时,在+5 V驱动电压和空气对流边界条件下,微加热器可以达到390 K,稳态功耗为134 mW,起到了改善最高温度性能,降低功耗的作用。; 刘泽文田昊刘冲; 关键词：微加热器

函数变换提高灰色预测模型精度的条件被引量：6: 2009年; 指出选择函数变换来提高模型精度主要与三个方面的因素有关：提高数据序列的光滑比、调整数据序列的级比和确保凸凹性。在调整级比方面，扩充了级比压缩变换的相关定理，并讨论了几种常用的函数变换在上述三个方面的关系。最后结合实例提出，对于变换后的数据序列若不满足这三方面的要求可以再进行函数变换以达到提高模型精度的目的。; 李玻方玲; 关键词：凸凹性

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国家自然科学基金(60576048)