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新型弛豫铁电晶体PIN-PT的单晶生长与性能表征: 2014年; 按照0.65Pb(In1/2Nb1/2)O3-0.35PbTiO3的计量组成,应用高温固相分步合成方法制备出钙钛矿相PIN-PT多晶料,采用熔体坩埚下降法生长出尺寸φ20 mm×50 mm的PIN-PT晶体毛坯。采用XRD、DTA/TG对PIN-PT晶体的结晶物相与热学性能进行了分析表征,测试了(111)取向PIN-PT晶片样品的介电温谱、压电常数和电滞回线。结果表明所生长晶体毛坯呈现具有显著特征的结晶相分布,即晶体毛坯中间部分为钙钛矿相而外围部分出现焦绿石相,且钙钛矿相晶体呈现沿晶体毛坯轴向逐渐发育生长趋势;取自晶体毛坯中上部的晶片基本为四方相,其(111)取向晶片的压电常数d33~415 pC/N,机电耦合系数k33~37.5%,室温介电常数ε~3095,介电损耗tanδ~1.0%,居里温度达266℃,矫顽电场Ec^11.04 kV/cm,剩余极化Pr^21.07μC/cm2。; 方义权赵学洋柯毅阳向军涛胡旭波魏冉王敏刚陈红兵

大尺寸弛豫铁电单晶PIMNT的坩埚下降法生长被引量：8: 2012年; PIMNT单晶是近年来最新发现的弛豫铁电晶体材料,该三元固溶体单晶具有比较理想的压电、铁电和介电性能,本文报道了大尺寸PIMNT单晶的熔体坩埚下降法生长的实验研究结果。采用固相合成钙钛矿相多晶料,采用垂直坩埚下降法成功生长出最大直径为3英寸的PIMNT单晶;从所生长单晶原胚的三方相区段切割加工出(001)取向晶片,就(001)晶片的介电、压电及铁电性能进行了测试表征,表明其材料性能能够满足相关超声换能器件制作的实用需求。本论文还着重讨论了PIMNT单晶生长所涉及的系列关键技术问题,如富铅熔体对铂金坩埚的侵蚀、晶体原胚的单晶性表征、晶体生长过程的组分偏析与单晶原胚的性能分布等。; 陈红兵柯毅阳罗来慧倪峰赵学洋方义权潘建国; 关键词：单晶生长坩埚下降法

Er^(3+)掺杂弛豫铁电材料PMNT的单晶生长与性能表征被引量：2: 2015年; 按照0.71Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.26Pb Ti O3-0.03Pb(Er1/2Nb1/2)O3化学式所示组分比例,采用分步高温固相反应合成出Er3+掺杂PMNT多晶,通过熔体坩埚下降法生长出尺寸φ25 mm×100 mm的Er3+掺杂PMNT晶体,Er3+离子以三元固溶体组元方式被掺杂进入钙钛矿相铁电体晶格;测试了Er3+掺杂PMNT晶片的介电、压电与铁电性能以及上转换发光性能。结果表明,Er3+掺杂PMNT晶体呈现跟三方相纯PMNT晶体相近的介电、压电与铁电性能;在980 nm激发光作用下,该掺杂晶体呈现出Er3+离子特有的较强上转换荧光发射,并且极化后掺杂晶体的上转换发光强度得到增强。; 向军涛杜鹏罗来慧方义权赵学洋胡旭波陈红兵; 关键词：单晶生长坩埚下降法上转换发光

高相变温度弛豫铁电单晶PMN-PT-PZ的生长与性能表征被引量：2: 2016年; 按照0.624Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-0.336Pb TiO3-0.04Pb ZrO3化学式所示组分比例,采用分步高温固相反应合成出PMN-PT-PZ多晶,通过熔体坩埚下降法生长出尺寸φ25 mm×90 mm的PMN-PT-PZ单晶。应用X射线衍射对所获多晶和单晶试样进行了物相分析,测试了PMN-PT-PZ晶片的介电温谱、电滞回线和压电常数。结果表明,所得三元固溶体单晶PMN-PT-PZ为不含焦绿石相的纯钙钛矿相结构,其三方-四方相变温度Trt达130℃,居里温度Tc为165-170℃,取自单晶原坯三方相区段的（001）取向晶片的压电常数d33在1300-1800 p C/N之间;其矫顽电场Ec为4-4.5 k V/cm,剩余极化强度Pr为20-31.5μC/cm2。跟PMN-PT单晶比较,PMN-PT-PZ单晶仍具有较大压电常数d33,而三方-四方相变温度明显提高,其矫顽电场有所增大。; 吴冠洁邓安猛蔡帅汪振海罗来慧陈红兵; 关键词：坩埚下降法相变温度电学性能

PIMNT单晶生长用多晶料的固相合成被引量：1: 2011年; 以In2O3、Nb2O5、4MgCO3.Mg(OH)2.4H2O、TiO2、PbO为初始试剂,先合成出前体化合物MgNb2O6和InNbO4;按照0.25Pb(In1/2Nb1/2)O3-0.44Pb(Mg1/2Nb2/3)O3-0.31PbTiO3的组分比例,添加1.5 mol%过量PbO,通过高温固相反应合成出PIMNT多晶料。X射线粉末衍射、差热/热重分析表明,PIMNT多晶系钙钛矿结构的固溶体化合物。采用本实验合成PIMNT多晶料锭,通过坩埚下降法成功生长出25 mm直径的PIMNT单晶,证实采用预先合成多晶料有助于钙钛矿相PIMNT单晶的稳定生长。; 柯毅阳梁哲沈琦罗来慧董友仁潘建国陈红兵; 关键词：固相合成单晶生长

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浙江省重点科技计划(2009C11144)