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CuS/TiO2纳米管异质结阵列的制备及光电性能被引量：10: 2013年; 利用水热反应制备了CuS/TiO2纳米管异质结阵列,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射谱(XRD)等手段表征了异质结阵列的表面形貌和晶体结构.电流-电压曲线结果表明,CuS/TiO2纳米管异质结阵列具有明显的整流效应.根据表面光电压谱和相位谱,在376～600 nm之间,CuS/TiO2纳米管异质结阵列表现为p型半导体特征,电子在表面聚集;在300～376 nm之间表现为n型半导体特征,空穴在表面聚集;在376 nm处异质结阵列的表面光伏响应为零.CuS/TiO2和CuS/ITO之间界面电场的不同导致异质结在不同波长范围内表面电荷聚集的差异.光电化学性能测试发现,以CuS/TiO2纳米管异质结阵列为光阳极组成的光化学太阳电池,在大气质量AM 1.5G,100 mW/cm2标准光强作用下具有0.4%的光电转换能力.; 柯川蔡芳共杨峰程翠华赵勇; 关键词：CUS 表面光电压谱光电化学性能

钛箔上生长α-Fe2O3纳米氧化膜及其光电性质研究: 2012年; 利用电镀法在钛箔上沉积一层铁镀层,通过热氧化法将铁镀层氧化。利用X射线衍射谱(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、背散射电子像(BEI)和X射线能量散射谱(EDX)对氧化产物的晶体结构、形貌和组成进行了表征,利用表面光电压谱(SPS)和相位谱(PS)研究了氧化产物的表面光电性质,同时测定了氧化产物的I-V特性。结果表明,铁镀层的表面被热氧化后生成了含α-Fe2O3纳米带和纳米片的纳米氧化膜,α-Fe2O3纳米氧化膜在300～600 nm之间出现了一个与带-带跃迁相关的光伏响应,相位谱显示纳米膜呈n型半导体的导电特征。I-V测试表明在AM 1.5G 100 mW.cm-2标准光强作用下,0.23 V(vs.Ag/AgCl)的偏压下能产生的电流密度为0.58 mA.cm-2。; 史占花王蓉蔡芳共杨峰贾永芳黎颖程翠华赵勇; 关键词：表面光电压谱

溅射时间对Mo薄膜结晶取向的影响被引量：4: 2013年; 采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,并用XRD、SEM、四探针等对薄膜进行表征,研究了沉积时间对薄膜晶体结构、表面形貌以及电学性能的影响。研究发现,沉积时间能够调节Mo薄膜的择优取向。溅射时间较短(5～10min)时,沉积的Mo薄膜呈(110)择优取向。溅射时间超过15min后,薄膜呈现(211)取向,且(211)晶面择优程度随沉积时间的增加而提高。随着择优取向的改变,薄膜的表面形貌由三角形颗粒变为长条形颗粒,电阻率也发生相应变化,由3.92×10-5Ω·cm增加到4.27×10-5Ω·cm再降低,对应薄膜生长的晶带模型由晶带T型组织变为晶带2组织。; 张艳霞冀亚欣欧玉峰闫勇李莎莎刘连张勇赵勇余洲; 关键词：直流磁控溅射电性能

非晶CIGS前驱膜无硒退火的相变历程: 2012年; 采用一步射频磁控溅射法在室温获得了CIGS薄膜,研究了不同的真空无硒退火温度(150～350℃)对CIGS薄膜相变历程的影响。薄膜相变历程中的结构和性能采用XRD、SEM、EDS、紫外-可见光吸收和四探针等测试手段进行测试表征。结果表明,室温下制备的CIGS薄膜为非晶态,随退火温度升高发生非晶CIGS→CuSe→CIGS的相变。150℃退火形成的CuSe薄膜的电阻率最低,光透过性能最差。退火温度超过200℃便生成CIGS相,CIGS相的结晶质量随退火温度升高而改善,薄膜的电阻率和光透过率也随退火温度的提高而增加。; 闫勇张艳霞李莎莎晏传鹏刘连张勇赵勇余洲; 关键词：退火温度射频磁控溅射 CIGS薄膜

基于数字PID增量控制的恒温晶体振荡器被引量：1: 2012年; 针对晶体时钟振荡器输出频率易受外界温度变化影响的特点,设计了以MSP430F4618单片机为控制核心的恒温晶体振荡器。将高精度负温度系数热敏电阻作为传感器对晶体温度进行采样,并采用精密放大器IAN330芯片对晶体温度变化差值信号进行转换并输出至控制核心。输出的信号经12位A/D转换后进行数字PID增量控制运算得到控制量增量,再通过12位D/A转换输出至DRV593芯片驱动半导体制冷片(TEC)对晶体温度进行控制,并循环该过程使晶体振荡器的工作温度保持稳定。; 周大进郭建强王小峰李平原赵立峰张勇; 关键词：晶体振荡器 PID

双层Mo薄膜的制备工艺与性能被引量：2: 2013年; 利用直流磁控溅射法在普通钠钙玻璃(SLG)衬底上沉积双层Mo薄膜,对不同条件下沉积的薄膜通过X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、四探针电阻仪等对其相结构、表面形貌以及电性能进行测试。结果表明:双层Mo薄膜呈体心立方结构;由于非晶玻璃基底的影响以及沉积时间较短,缓冲层结晶质量差,薄膜表面粗糙,有空洞、裂纹,电阻率大,随温度的升高电阻率减小,薄膜表现出半导体的特性。随着顶层薄膜(溅射工作气压0.1 Pa)沉积时间的增加,薄膜厚度增加,结晶性能变好,表面更加平整、致密,总体电阻率变小,导电性能提高,随温度的升高电阻率增大,薄膜表现出金属特性。与单层膜相比,双层膜具有更低的电阻率,且溅射时间短,厚度薄,能够降低成本,节省源材料,更符合CIGS电池背电极的需求。; 张艳霞闫勇李莎莎黄涛刘连张勇赵勇余洲; 关键词：MO薄膜磁控溅射双层膜导电机制

基于TC35i的无线信息采集传输终端设计被引量：2: 2013年; 为提高无线信息采集传输系统的实用性能,设计了一种绿色节能无线信息采集传输终端系统。该系统采用TI公司超低功耗微处理器MSP430FG4618作为控制核心,以风能与太阳能作为系统电源,使用温度、图像、压力等传感器对远程目标相关信息进行采集,并通过西门子TC35i模块接入GSM网络,向接收端发送采集信息。; 周大进马家庆王小峰李平原赵立峰张勇; 关键词：绿色节能无线传输 GSM TC35I

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国际热核聚变实验堆计划(2011GB112001)