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国家自然科学基金(60876093)
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王国伟
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图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究
2011年
报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构,量子线尺寸约为底边60nm高14nm的近三角形.低温87K下光致发光谱测试在793.7和799.5nm处出现峰值,验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示,相比等宽度量子阱有8meV的蓝移正是由于横向量子限制引起的.
王秀平
杨晓红
韩勤
鞠研玲
杜云
朱彬
王杰
倪海桥
贺继方
王国伟
牛智川
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量子线
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