中国博士后科学基金(20060390988)
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
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- MOCVD方法生长ZnO薄膜的XPS分析
- 2008年
- 在不同温度下利用MOCVD方法生长了ZnO薄膜,并在较高温度下进行了NH3掺杂。采用X射线光电子能谱(XPS)技术分析了薄膜的性质,结果表明,生长温度和N掺杂会影响薄膜的表面吸附、O缺陷、C、H杂质、元素价态、化学键的断裂及晶粒尺寸等性质。440℃低温下生长的薄膜,C、H杂质及O缺陷较多,晶粒尺寸较小。在530℃生长的薄膜中,可以见到由断裂两个键的Zn离子所引起的2p3/2光电子峰。NH3掺杂以后,ZnO薄膜表面O1s峰移向低能侧,而在内部则移向高能侧。
- 马艳张源涛张宝林杜国同
- 关键词：氧化锌金属有机化学气相沉积X射线光电子能谱
- NH3掺杂ZnO薄膜的生长及特性
- 2009年
- 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,以NH3作为N元素的掺杂源,在蓝宝石衬底上生长了掺N的ZnO薄膜。利用X射线衍射、X射线光电子能谱、原子力显微镜、霍尔测量及光致荧光光谱等测试技术分析了薄膜的结晶性质、表面形貌、光电性质及掺杂元素N的价键特性。结果表明,NH3的掺杂会影响ZnO薄膜的结晶特性,薄膜虽然仍是(002)面择优取向生长,但同时也出现了ZnO的(100)及(101)面生长。在薄膜生长时N元素掺入到ZnO薄膜当中,并形成N—Zn、N—H、N—C键。C、H杂质的存在,使掺N ZnO薄膜表现为高阻,同时也影响了薄膜的光致发光特性。
- 马艳张宝林高福斌张源涛杜国同
- 关键词：氧化锌薄膜金属有机物化学气相沉积
- MOCVD方法生长ZnO薄膜的XPS分析
- 在不同温度下利用MOCVD方法生长了ZnO薄膜,并在较高温度下进行了NH掺杂。采用X射线光电子能谱（XPS）技术分析了薄膜的性质,结果表明,生长温度和N掺杂会影响薄膜的表面吸附、O缺陷、C、H杂质、元素价态、化学键的断裂...
- 马艳张源涛张宝林杜国同
- 关键词：氧化锌金属有机化学气相沉积X射线光电子能谱
- 文献传递
