江苏省高等学校自然科学基金(03KJA140117)
- 作品数：8 被引量：7H指数：1
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- 三维横向晶场稀疏Ising模型的相变行为及磁化
- 2007年
- 在有效场理论和切断近似的框架内,研究自旋S=1横向晶场稀疏Ising模型的相变行为和磁化.研究发现晶场稀疏情况下,相图的负晶场方向存在临界温度的峰值,正晶场方向随晶场浓度的降低出现重入现象,高温和低温下的磁化存在许多差异.
- 许玲晏世雷
- 关键词：相变行为磁化
- 随机晶场作用的Blume-Capel模型的相图研究
- 2011年
- 在有效场框架下,运用切断近似的方法,取自旋S为1的三维简立方格子,对随机晶场作用的Blume-Capel模型(BCM)相图进行研究,重点探讨随机晶场浓度和不同的晶场分布形式(晶场比率参数α)对相图的影响,具体分析了4种晶场分布形式:晶场稀疏分布,正负晶场对称分布,正负晶场非对称分布和负晶场随机分布,并给出相应的相图。在晶场稀疏情况下,三临界点(TCP)存在于一定的晶场浓度范围内,低温区域出现相变线的重入现象和晶场简并模式;α=-1.0和α=-0.4时,临界点存在的晶场浓度范扩大,相图出现正晶场分布,特别当α=0.4时,三临界点始终存在,重入现象和晶场简并模式消失,二级相变线始终与晶轴没有交点,相变线均无趋于∞,磁有序相范围减小。
- 朱海霞晏世雷
- 关键词：相图
- 具有三模外场和晶场作用的横场Ising模型的临界性质研究
- 2011年
- 在有效场理论和切断近似的框架内,研究三模外场和晶场作用自旋S=1横场Ising模型的临界性质,在T-h空间中横场和三模外场参数的变化对三临界点、二级相变以及基态时外场简并均有很大的影响,横场与合适的三模外场参数能有效地抑制三临界点;T-D空间中三模外场及合适的三模外场参数在无横场时呈现出另一类三临界点和重入相变,横场的引入可很好地抑制三临界点和重入相变,在一定的横场作用范围内三临界点可出现起伏.
- 李敦然晏世雷
- 关键词：晶场
- 稀疏晶场作用的键无规BC模型的相变特性
- 2010年
- 运用切断近似的方法,在有效场框架下,对稀疏晶场作用的键无规Blume-Capel(BC)模型的相变进行了研究.具体分析了三种键无规分布的BC模型.分别探讨了系统三临界点(TCP)随稀疏晶场和键无规这两种无序因子的变化关系及相变曲线呈现的一些新特征,对不同键无规分布的BC模型的相图进行了比较,并给出相应的相图.
- 朱海霞晏世雷
- 关键词：相图
- 横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为研究被引量：7
- 2007年
- 在有效场理论和切断近似框架内,选择自旋S=1的二维方格子,研究横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为,重点是横向随机晶场浓度和晶场比率对相图和磁化的影响.给出了T-Dx空间的相图和m-T空间的磁化图.在晶场稀疏情况下,负晶场方向存在临界温度的峰值,正方向可出现重入现象.晶场比率取+0.5和-0.5时,磁有序相范围缩小,特别是晶场比率取-0.5时,随晶场浓度的降低,临界温度峰值从横向晶场负方向渡越到正方向.固定某一负晶场值,不同晶场比率的磁化行为有明显差异.同时与纵向稀疏晶场Ising模型结果进行有意义的比较.
- 许玲晏世雷
- 关键词：ISING模型相图
- 外场作用下稀疏晶场分布和对称晶场分布的BC模型相变特点研究
- 2011年
- 在有效场框架下,运用切断近似的方法,对有外场作用的Blume-Capel模型的相图进行研究,探讨外场对2种晶场分布形式(稀疏晶场分布和对称晶场分布)的BC模型相图的影响,并给出相应的相图.在晶场稀疏分布情况下,外场的存在,系统的三临界点(TCP)存在的晶场稀疏浓度范围变大;有序相的区域变大;系统基态晶场简并模式数减小.而对于对称晶场分布情况,外场的存在,三临界点存在的晶场随机浓度范围和系统基态晶场简并模式均没有发生变化.
- 朱海霞晏世雷
- 关键词：相变BLUME-CAPEL模型外场
- 不同子格随机横场作用的混合伊辛自旋系统补偿行为的研究
- 2005年
- 在有效场理论的框架内,讨论简立方晶格中不同子格随机横场作用的混合自旋S-1/2和S-1系统的补偿行为。研究发现在两种组合随机浓度下一定的不同横场范围内均存在补偿行为,同时得到补偿行为及P型和Q型磁化曲线存在的区域,但两种情况表现出不同结果,给出了详细描述和解释。
- 陈强晏世雷
- 关键词：混合自旋系统有效场理论
- 三维键无规Blume-Capel模型的相图研究
- 2011年
- 在有效场框架下,运用切断近似的方法,对三维键无规Blume-Capel模型(BCM)的相图进行了研究.具体分析了三临界点(TCP)随两种无序因子的变化关系,讨论了稀疏晶场和键无规对相图特征的具体影响,并给出相应的相图.
- 朱海霞晏世雷
